SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
RJH1CF5RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America Inc RJH1CF5RDPQ-80#T2 -
RFQ
 ECAD 8405 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 192.3 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 - - 1200 50 а 2.4V @ 15V, 25a - -
HGT1S20N36G3VL Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VL 1.8700
RFQ
 ECAD 58 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Лейка 150 Вт I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 300 В, 10A, 25OM, 5 В - 395 37,7 а 1,9 - @ 5V, 20a - 28,7 NC -/15 мкс
IXGH20N120A3 IXYS IXGH20N120A3 7.7900
RFQ
 ECAD 7332 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH20 Станода 180 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -IXGH20N120A3 Ear99 8541.29.0095 30 960 -v, 20., 102, 15 В Пет 1200 40 А. 120 А. 2,5 -прри 15-, 20А 2,85MJ (ON), 6,47MJ (OFF) 50 NC 16NS/290NS
HGT1S20N60A4S9A onsemi HGT1S20N60A4S9A -
RFQ
 ECAD 1462 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HGT1S20 Станода 290 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 390 В, 20., 3 ОМ, 15 - 600 70 а 280 А. 2,7 В @ 15 В, 20А 105 мкд (на), 150 мк (выключен) 142 NC 15NS/73NS
NGTB40N120FL2WG onsemi Ngtb40n120fl2wg -
RFQ
 ECAD 1936 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTB40 Станода 535 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 10OM, 15 В 240 м По -прежнему 1200 80 а 200 А. 2.4V @ 15V, 40a 3,4MJ (ON), 1,1MJ (OFF) 313 NC 116NS/286NS
TIG052TS-TL-E onsemi TIG052TS-TL-E -
RFQ
 ECAD 8982 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) TIG052 Станода 8-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 - - 400 150 А. 5,5 -пр. 2,5, 150A - -
IXYH16N250CV1HV IXYS Ixyh16n250cv1hv 31.9100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Ixys XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixyh16 Станода 500 Вт TO-247 (IXYH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 1250V, 16A, 10OM, 15 В 19 млн - 2500 35 а 126 А. 4V @ 15V, 16a 4,75MJ (ON), 3,9MJ (OFF) 97 NC 14ns/260ns
FGHL40S65UQ onsemi FGHL40S65UQ -
RFQ
 ECAD 1753 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 FGHL40 Станода 231 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH FGHL40S65UQOS Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 6, 15 319 м По -прежнему 650 80 а 120 А. 1,7 - @ 15V, 40a 1,76MJ (ON), 362 мкд (OFF) 306 NC 32NS/260NS
STGB20M65DF2 STMicroelectronics STGB20M65DF2 2.3800
RFQ
 ECAD 530 0,00000000 Stmicroelectronics М Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB20 Станода 166 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 20А, 12OM, 15 166 м По -прежнему 650 40 А. 80 а 2V @ 15V, 20a 140 мкд (на), 560 мкд (выключен) 63 NC 26ns/108ns
RJP60D0DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJP60D0DPK-00#T0 -
RFQ
 ECAD 8240 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- RJP60D0 Станода 140 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH RJP60D0DPK00T0 Ear99 8541.29.0095 1 300 В, 22а, 5OM, 15 - 600 45 а 2.2V @ 15V, 22A - 45 NC 35NS/90NS
IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120H3FKSA1 7 9500
RFQ
 ECAD 519 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKW25N120 Станода 326 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 25а, 23om, 15 290 м По -прежнему 1200 50 а 100 а 2.4V @ 15V, 25a 2.65MJ 115 NC 27ns/277ns
IRG8P50N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P50N120KD-EPBF -
RFQ
 ECAD 2315 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Irg8p Станода 350 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001546104 Ear99 8541.29.0095 25 600V, 35A, 5OM, 15 В 170 млн - 1200 80 а 105 а 2V @ 15V, 35A 2,3MJ (ON), 1,9MJ (OFF) 315 NC 35NS/190NS
RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor RGPR30BM40HRTL 0,8260
RFQ
 ECAD 2776 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RGPR30 Станода 125 Вт 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 8а, 100om, 5 В - 430 30 а 2.0V @ 5V, 10a - 22 NC 500NS/4 мкс
IXGH120N30B3 IXYS IXGH120N30B3 -
RFQ
 ECAD 2216 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH120 Станода 540 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - Пет 300 75 а 480 а 1,7 В @ 15 В, 120a - 225 NC -
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC11 2.5127
RFQ
 ECAD 8936 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGT50 Станода 174 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGT50TS65DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 25а, 10 м, 15 58 м По -прежнему 650 48 а 75 а 2.1V @ 15V, 25a - 49 NC 27ns/88ns
IXSA15N120B IXYS IXSA15N120B -
RFQ
 ECAD 5257 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXSA15 Станода 150 Вт ДО-263AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 960 В, 15А, 10OM, 15 В Пет 1200 30 а 60 а 3,4 В @ 15 В, 15а 1,75MJ (OFF) 57 NC 30ns/148ns
APT50GN120B2G Microchip Technology APT50GN120B2G 11.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT50GN120 Станода 543 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800 В, 50А, 2,2 ОМ, 15 Npt, ostanowopol 1200 134 а 150 А. 2.1V @ 15V, 50a 4495 мкж (vыklючen) 315 NC 28ns/320ns
IXGH31N60 IXYS IXGH31N60 -
RFQ
 ECAD 7023 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH31 Станода 150 Вт DO-247AD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480V, 31A, 10OM, 15V - 600 60 а 80 а 1,7 В @ 15 В, 31А 6MJ (OFF) 80 NC 15NS/400NS
NGTG50N60FLWG onsemi Ngtg50n60flwg -
RFQ
 ECAD 4783 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTG50 Станода 223 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 Поящный 600 100 а 200 А. 1,9 В @ 15 В, 50a 1,1MJ (ON), 600 мкд (В. 310 NC 116NS/292NS
FGH75T65UPD-F155 onsemi FGH75T65UPD-F155 4.2327
RFQ
 ECAD 1001 0,00000000 OnSemi - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 FGH75 Станода 375 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 75а, 3 ОМ, 15 В 85 м По -прежнему 650 150 А. 225 а 2,3 В @ 15 В, 75а 3,68MJ (ON), 1,6MJ (OFF) 68 NC 42NS/216NS
IXYH40N120C4 IXYS Ixyh40n120c4 15.9115
RFQ
 ECAD 8092 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx4 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 680 Вт TO-247 (IXTH) - Rohs3 DOSTISH 238-IXYH40N120C4 Ear99 8541.29.0095 30 960V, 32A, 5OM, 15 В 55 м - 1200 120 А. 230 А. 2,5- 15-, 32а 5,55mj (ON), 1,55MJ (OFF) 92 NC 21ns/140ns
NGTB20N120IHLWG onsemi Ngtb20n120ihlwg -
RFQ
 ECAD 8923 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NGTB20 Станода 192 Вт 247-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 20. - 1200 40 А. 200 А. 2,2 В прри 15 В, 20А 700 мкм (В. 200 NC -/235NS
AFGHL40T120RLD onsemi AFGHL40T120RLD 10.9975
RFQ
 ECAD 8460 0,00000000 OnSemi - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Afghl40 Станода 529 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 488-AFGHL40T120RLD Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 40, 5OM, 15 В 195 м По -прежнему 1200 48 а 160 а 2.1V @ 15V, 40a 3,4MJ (ON), 1,2MJ (OFF) 395 NC 48ns/208ns
IXGX32N170AH1 IXYS IXGX32N170AH1 -
RFQ
 ECAD 5210 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ IXGX32 Станода 350 Вт Plus247 ™ -3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 850 В, 32а, 2,7 ОМ, 15 150 млн Npt 1700 В. 32 а 110 а 5в @ 15 В, 21а 4,1mj (wklючeno), 1,25 мк (В.Клхейни) 157 NC 27NS/270NS
APT44GA60B Microchip Technology APT44GA60B 7.5700
RFQ
 ECAD 1651 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 8 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT44GA60 Станода 337 Вт ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 26А, 4,7 ОМ, 15 Пет 600 78 А. 130 а 2,5 -пр. 15 -й, 26а 409 мкд (на), 258 мк (В. 128 NC 16ns/84ns
KGF65A6L Sanken KGF65A6L -
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 САНКЕН - Трубка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 KGF65 Станода 405 Вт 247-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1261-KGF65A6L Ear99 8541.29.0095 1440 400 В, 60 A, 10OM, 15 65 м По -прежнему 650 80 а 180 А. 1,96 В @ 15 В, 60a 1,7MJ (ON), 1,4MJ (OFF) 110 NC 50NS/130NS
IXGH30N60C3C1 IXYS IXGH30N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 1110 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXGH30 Станода 220 Вт DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 300 В, 20А, 5OM, 15 Пет 600 60 а 150 А. 3v @ 15v, 20a 120 мкд (на), 90 мк (выключен) 38 NC 17ns/42ns
IGW08T120FKSA1 Infineon Technologies IGW08T120FKSA1 3.6300
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка В аспекте -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IGW08T120 Станода 70 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600V, 8A, 81OM, 15 В Npt, ostanowopol 1200 16 а 24 а 2.2V @ 15V, 8a 1,37MJ 53 NC 40NS/450NS
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 Renesas Electronics America Inc RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 8.1900
RFQ
 ECAD 1243 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 312 Вт 247А СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 16OM, 15 В 72 м Поящный 650 150 А. 2V @ 15V, 75A 1,6mj (ON), 1MJ (OFF) 54 NC 29ns/113ns
HGT1S7N60C3DS9A onsemi HGT1S7N60C3DS9A -
RFQ
 ECAD 8265 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HGT1S7N60 Станода 60 D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 480V, 7A, 50OM, 15 В 37 м - 600 14 а 56 а 2V @ 15V, 7A 165 мкд (на), 600 мк (выключен) 23 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть