SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
HGT1S14N36G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT 1.5400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Лейка 100 y I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 300 В, 7А, 25OM, 5 В - 390 18 а 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -/7 мкс
IXYA20N120B4HV IXYS IXYA20N120B4HV 11.0300
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Ixys Genx4 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ixya20 Станода 375 Вт ДО-263HV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 238-IXYA20N120B4HV Ear99 8541.29.0095 50 960 мВ, 20А, 10 м, 15 В 47 м Пет 1200 76 а 130 а 2.1V @ 15V, 20a 3,9MJ (ON), 1,6MJ (OFF) 44 NC 15NS/200NS
NTE3322 NTE Electronics, Inc NTE3322 29.1200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 170 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 2368-NTE3322 Ear99 8541.29.0095 1 - 2,5 мкс - 900 60 а 120 А. 2.7V @ 15V, 60a - 460NS/600NS
NTE3302 NTE Electronics, Inc NTE3302 16.4700
RFQ
 ECAD 117 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 30 st TO-220 Full Pack СКАХАТА Rohs 2368-NTE3302 Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 8 а 16 а 4 В @ 15V, 8A - 400NS/500NS
IKWH60N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Ikwh60n65wr6xksa1 5.1200
RFQ
 ECAD 474 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 WR6 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ikwh60n Станода 240 Вт PG-TO247-3-32 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60., 15 ч, 15 По -прежнему 650 100 а 180 А. 1,85 В @ 15 В, 60a 1,82MJ (ON), 850 мкд (OFF) 174 NC 35NS/311NS
FZ1600R33HE4BPSA1 Infineon Technologies FZ1600R33HE4BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Ihm-b Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FZ1600 3600 Вт Станода AG-IHVB130-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2 2 neзaviymый По -прежнему 3300 В. 1600 А. 2,65 -прри 15 -й, 1,6ka 5 май Не 187 NF @ 25 V
IKWH30N65WR6XKSA1 Infineon Technologies IKWH30N65WR6XKSA1 3.4300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ikwh30n Станода 136 Вт PG-TO247-3-32 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - По -прежнему 650 67 а 90 а 1,75 В @ 15 В, 30А - 97 NC -
IKWH30N65WR5XKSA1 Infineon Technologies IKWH30N65WR5XKSA1 3.8200
RFQ
 ECAD 180 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 WR5 Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ikwh30n Станода 190 Вт PG-TO247-3-32 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30., 27 ОМ, 15 По -прежнему 650 75 а 90 а 1,7 В @ 15 В, 30А 870 мкд (на), 400 мкд (выключен) 133 NC 41NS/398NS
FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Ihm-b Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул FZ800 2400000 Станода AG-IHVB130-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2 Один По -прежнему 3300 В. 825 а 2.65V @ 15V, 825A 5 май Не 93,5 NF @ 25 V
NGTD13T120F2WP onsemi NGTD13T120F2WP -
RFQ
 ECAD 6873 0,00000000 OnSemi - Поднос Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират Станода Пластина СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 488-NGTD13T120F2WP Ear99 8541.29.0095 1 - По -прежнему 1200 60 а 2,4 -прри 15 В, 15А - -
SGW30N60HS Infineon Technologies SGW30N60HS -
RFQ
 ECAD 5264 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SGW30N Станода 250 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 30., 11 ОМ, 15 В Npt 600 41 а 112 а 3,15- 15-, 30A 1,15MJ 141 NC 20NS/250NS
SGW50N60HS Infineon Technologies SGW50N60HS -
RFQ
 ECAD 6824 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SGW50N Станода 416 Вт PG-TO247-3-1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 50А, 6,8 ОМ, 15 Npt 600 100 а 150 А. 3,15 В @ 15 В, 50a 1,96MJ 179 NC 47NS/310NS
FZ2400R12KE3NOSA1 Infineon Technologies FZ2400R12KE3NOSA1 943.0000
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул 10000 Вт Станода AG-IHM130-2-1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Один - 1200 3460 а 2,05 В прри 15 В, 2,4KA 5 май Не 150 NF @ 25 V
SKW07N120 Infineon Technologies SKW07N120 3.5400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SKW07N Станода 125 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800V, 8A, 47OM, 15 60 млн Npt 1200 16,5 а 27 а 3,6 - @ 15V, 8a 1mj 70 NC 27NS/440NS
FF400R12KT4HOSA1 Infineon Technologies FF400R12KT4HOSA1 133,3300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
FF400R16KF4NOSA1 Infineon Technologies FF400R16KF4NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 3100 Вт Станода - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 2 neзaviymый - 1600 v 400 а 3,7 В @ 15 В, 400A 3 мая Не 65 NF @ 25 V
RJH30H1DPP-M1#T2 Renesas Electronics America Inc RJH30H1DPP-M1#T2 1.7100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1
RJP63F3ADPP-B1#T2F Renesas Electronics America Inc RJP63F3ADPP-B1#T2F 2.1400
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
MGP15N60U onsemi MGP15N60U 0,7700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
RJP3042DPP-00#T2 Renesas Electronics America Inc RJP3042DPP-00#T2 1.8300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.30.0080 1
IFS150B12N3T4_B31 Infineon Technologies IFS150B12N3T4_B31 -
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул IFS150 750 Вт Станода Ag-Econo3-4-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Polnыйmost По -прежнему 1200 150 А. 2.1V @ 15V, 150A 1 май В дар 9,35 NF @ 25 V
FP100R06KE3B16BOSA1 Infineon Technologies FP100R06KE3B16BOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 1486 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
FMC7G50US60 Fairchild Semiconductor FMC7G50US60 -
RFQ
 ECAD 3299 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 200 th Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta - СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 600 50 а 2,8 В @ 15 В, 50a 250 мк Не 3,46 NF @ 30 V
FMG1G200US60L Fairchild Semiconductor FMG1G200US60L 55 6300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 695 Вт Станода - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий - 600 200 А. 2,7 В @ 15 В, 200A 250 мк Не
DF100R07W1H5FPB53BPSA1 Infineon Technologies DF100R07W1H5FPB53BPSA1 37.8900
RFQ
 ECAD 253 0,00000000 Infineon Technologies EasyPack ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 20 м Станода Ag-Iasy1b СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Полевина мостеово - 650 40 А. 1,55 В @ 15 В, 25А 40 мк В дар 2,8 NF @ 25 V
HGTH20N50C1 Harris Corporation HGTH20N50C1 6.2900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До-218-3 Иолированажа Кладка, 218AC Станода 100 y ДО 218 ИСЛОЛИРОВАН СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 20 а 35 а 3,2- прри 20 В, 35а - 33 NC -
SGW15N120 Infineon Technologies SGW15N120 -
RFQ
 ECAD 8311 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SGW15N Станода 198 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800V, 15A, 33OM, 15 Npt 1200 30 а 52 а 3,6 В @ 15 В, 15a 1,9MJ 130 NC 18NS/580NS
IXYT55N120A4HV IXYS Ixyt55n120a4hv 13.0000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixyt55 Станода 650 Вт DO-268HV (IXYT) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 238-IXYT55N120A4HV Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 40, 5OM, 15 В 35 м Пет 1200 175 А. 350 А. 1,8 В @ 15V, 55A 2,3MJ (ON), 5,3MJ (OFF) 110 NC 23NS/300NS
RJP30H1DPP-MZ#T2 Renesas Electronics America Inc RJP30H1DPP-MZ#T2 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
RJP3043DPK-80#T2 Renesas Electronics America Inc RJP3043DPK-80#T2 2.7400
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.30.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть