SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
AOTF5B65M2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF5B65M2 0,6659
RFQ
 ECAD 4821 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF5 Станода 25 Вт DO-220F СКАХАТА Rohs3 Додер 785-AOTF5B65M2TR Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 5А, 60OM, 15 - 650 10 а 15 а 1,98 В @ 15V, 5A 80 мкд (на), 70 мкд (выключен) 14 NC 8,5NS/106NS
STGWA40H65DHFB2 STMicroelectronics STGWA40H65DHFB2 2.4485
RFQ
 ECAD 2769 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGWA40 Станода 230 Вт Долин. - Rohs3 Додер 497-stgwa40h65dhfb2 Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 20А, 4,7 ОМ, 15 111 м По -прежнему 650 72 а 120 А. 2V @ 15V, 40a 214 мк (на), 220 мк (выключен) 153 NC 23ns/77ns
IM241S6T2BAKMA1 Infineon Technologies IM241S6T2BAKMA1 10.0600
RFQ
 ECAD 719 0,00000000 Infineon Technologies IM241, Cipos ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru IM241S6 9 Вт Станода 23-Dip СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Додер Ear99 8541.29.0095 15 Треоф - 600 1,78 В @ 15 В, 500ma В дар
FS200R12N3T4RB81BPSA1 Infineon Technologies FS200R12N3T4RB81BPSA1 402.1000
RFQ
 ECAD 6977 0,00000000 Infineon Technologies * Поднос Актифен FS200R12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 10
SFGH50N3 onsemi SFGH50N3 -
RFQ
 ECAD 8827 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо SFGH50 - Додер 488-SFGH50N3 Ear99 8541.29.0095 1
IHW30N110R5XKSA1 Infineon Technologies IHW30N110R5XKSA1 4,8000
RFQ
 ECAD 228 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 330 Вт PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30 - - 60 а 90 а 1,85 В @ 15 В, 30А - 240 NC -/350ns
MSCGLQ200SK65TG Microchip Technology MSCGLQ200SK65TG 146.6100
RFQ
 ECAD 5238 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен MSCGLQ - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 150-MSCGLQ200SK65TG Ear99 8541.29.0095 1
MSCGLQ50A120CTBL1NG Microchip Technology MSCGLQ50A120CTBL1NG 119 8600
RFQ
 ECAD 7827 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул MSCGLQ 375 Вт Станода - - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 150-MSCGLQ50A120CTBL1NG Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 1200 110 а 2.4V @ 15V, 50a 25 мк В дар 2,77 NF @ 25 V
MSCGLQ50DDU120CTBL2NG Microchip Technology MSCGLQ50DDU120CTBL2NG 197.3300
RFQ
 ECAD 7751 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул MSCGLQ 375 Вт Станода - - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 150-MSCGLQ50DDU120CTBL2NG Ear99 8541.29.0095 1 Polnыйmost - 1200 110 а 2.4V @ 15V, 50a 25 мк В дар 2,77 NF @ 25 V
FGH4L40T120LQD onsemi FGH4L40T120LQD 8.5200
RFQ
 ECAD 448 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 Станода 306 Вт Дол. 247-4L СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Додер 488-FGH4L40T120LQD Ear99 8541.29.0095 450 600V, 40a, 10OM, 15 В 59 м По -прежнему 1200 80 а 160 а 1,8 В @ 15 В, 40a 1,04MJ (ON), 1,35MJ (OFF) 227 NC 42NS/218NS
NXH300B100H4Q2F2S1G onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G 193.8300
RFQ
 ECAD 4941 0,00000000 OnSemi - Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул 194 Вт Станода 53-PIM/Q2PACK (93x47) - Rohs3 Neprigodnnый Додер Ear99 8541.29.0095 36 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК По -прежнему 1118 v 73 а 2,25 -прри 15 - 800 мк В дар 6 323 NF @ 20 V
NXH100B120H3Q0SG onsemi NXH100B120H3Q0SG 90.1200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 OnSemi - Поднос Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 186 Вт Станода 22-PIM/Q0BOOST (55x32,5) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Додер 488-NXH100B120H3Q0SG Ear99 8541.29.0095 24 2 neзaviymый По -прежнему 1200 61 а 2,3 В @ 15 В, 50a 200 мк Не 9.075 NF @ 20 V
NXH600A100H4F5SNG onsemi NXH600A100H4F5SNG 303 9500
RFQ
 ECAD 6638 0,00000000 OnSemi - Поднос Актифен NXH600 - Rohs3 Neprigodnnый Додер 488-NXH600A100H4F5SNG Ear99 8541.29.0095 8
FP150R12N3T7PB11BPSA1 Infineon Technologies FP150R12N3T7PB11BPSA1 380.4800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Econopim ™ 3 Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул 20 м Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Ag-Econo3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 6 Treхpaзnый -nertor -stormohom По -прежнему 1200 150 А. 1,8 В @ 15 В, 150a 12 Мка В дар 30,1 nf @ 25 V
FF750R17ME7DB11BPSA1 Infineon Technologies FF750R17ME7DB11BPSA1 545 7600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Econodual ™ 3 Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул 20 м Станода - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 10 Полевина мостеово По -прежнему 1700 В. 750 А. 1,85 Е @ 15V, 750A 5 май В дар 78,1 NF @ 25 V
F433MR12W1M1HB76BPSA1 Infineon Technologies F433MR12W1M1HB76BPSA1 99.0600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен F433MR12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 24
FP75R12N3T4PB81BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N3T4PB81BPSA1 259 5250
RFQ
 ECAD 5617 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен FP75R12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 6
FS150R12N3T4PB81BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N3T4PB81BPSA1 305 7767
RFQ
 ECAD 3653 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен FS150R12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 6
FP100R12N3T4PB81BPSA1 Infineon Technologies FP100R12N3T4PB81BPSA1 302.1550
RFQ
 ECAD 5975 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен FP100R12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 6
DDB6U134N16RRB38BPSA1 Infineon Technologies DDB6U134N16RRB38BPSA1 125,9473
RFQ
 ECAD 8138 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 500 Вт Станода Ag-Econo2b - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 15 Одинофан - 1200 70 а 2.75V @ 15V, 70a 500 мк В дар 5,1 NF @ 25 V
FP35R12W2T7PBPSA1 Infineon Technologies FP35R12W2T7PBPSA1 55,3106
RFQ
 ECAD 4463 0,00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул 20 м Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Ag-Iasy2b - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 18 Треоф По -прежнему 1200 35 а 1,6 - @ 15V, 35A 5,8 мка В дар 6,62 NF @ 25 V
F3L75R12W1H3PB11BPSA1 Infineon Technologies F3L75R12W1H3PB11BPSA1 75.1200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 Infineon Technologies FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 313,9000
RFQ
 ECAD 1334 0,00000000 Infineon Technologies EasyPack ™ Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул FS3L400R10 20 м Станода Ag-Iasy3b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 8 Тридж По -прежнему 950 120 А. 1,48 В @ 15V, 45A 26 Мка В дар 12,6 NF @ 25 V
FGD3040G2-F085-1 onsemi FGD3040G2-F085-1 -
RFQ
 ECAD 1106 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FGD3040 Лейка 150 Вт D-PAK (DO 252) СКАХАТА 488-FGD3040G2-F085-1 Ear99 8541.29.0095 1 300 В, 6,5а, 1 кум, 5 - 400 41 а 1,25 h @ 4v, 6a - 21 NC -/4,8 мкс
FP35R12N2T4B86BPSA1 Infineon Technologies FP35R12N2T4B86BPSA1 178.3073
RFQ
 ECAD 6563 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен - Rohs3 Додер Ear99 8541.29.0095 15
IKQ50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ50N120CH7XKSA1 11.8200
RFQ
 ECAD 220 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKQ50N120 Станода 398 Вт PG-TO247-3-U01 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Додер Ear99 8541.29.0095 30 - 133 м По -прежнему 1200 71 а 200 А. 2.15V @ 15V, 50a 2,61mj (ON), 1,1MJ (OFF) 366 NC 40NS/323NS
IGQ100N120S7XKSA1 Infineon Technologies IGQ100N120S7XKSA1 14.7800
RFQ
 ECAD 225 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен - Rohs3 Neprigodnnый Додер Ear99 8541.29.0095 30
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies IKZA40N120CS7XKSA1 11.4000
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен Ikza40 - Rohs3 Neprigodnnый Додер Ear99 8541.29.0095 30
FS150R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FS150R12N3T7B11BPSA1 313.9500
RFQ
 ECAD 4204 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул FS150R12 20 м Станода Ag-Econo3b - Rohs3 Додер Ear99 8541.29.0095 10 Треоф По -прежнему 1200 150 А. 1,8 В @ 15 В, 150a 12 Мка В дар 30,1 nf @ 25 V
FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FS33MR12W1M1HPB11BPSA1 166.0400
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.29.0095 30
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть