SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
запросить цену
ECAD 8324 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040Г7ТР 1 N-канал 1200 В 69А 15 В 53 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +19В, -8В - 357 Вт
P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4 12.1700
запросить цену
ECAD 2233 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06040К4 1 N-канал 650 В 68А 15 В 50 мОм при 40 А, 15 В 2,4 В @ 7,5 мА (тип.) +20В, -8В - 254 Вт
P3M171K0T3 PN Junction Semiconductor П3М171К0Т3 6.1000
запросить цену
ECAD 9441 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К0Т3 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 100 Вт
P3M17040K3 PN Junction Semiconductor P3M17040K3 35.8600
запросить цену
ECAD 3652 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М17040К3 1 N-канал 1700 В 73А 15 В 60 мОм при 50 А, 15 В 2,2 В при 50 мА (тип.) +19В, -8В - 536 Вт
P3M06060L8 PN Junction Semiconductor P3M06060L8 10.3800
запросить цену
ECAD 5762 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SiCFET (карбид кремния) ПОТЕРИ скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060Л8ТР 1 N-канал 650 В 40А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,4 В @ 5 мА (тип.) +20В, -8В - 188 Вт
P3M06120T3 PN Junction Semiconductor P3M06120T3 9.0500
запросить цену
ECAD 8880 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06120Т3 1 N-канал 650 В 29А 15 В 158 мОм при 10 А, 15 В 2,2 В при 5 мА (тип.) +20В, -8В - 153 Вт
P3M06300K3 PN Junction Semiconductor P3M06300K3 4.9800
запросить цену
ECAD 3261 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06300К3 1 N-канал 650 В 15 В 500 мОм при 4,5 А, 15 В 2,2 В при 5 мА (тип.) 904 НК при 15 В +20В, -8В 338 пФ при 400 В - 38 Вт
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor П3М171К0К3 6.1000
запросить цену
ECAD 5311 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К0К3 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 68 Вт
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
запросить цену
ECAD 7390 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060Г7ТР EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 44А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 20 мА (тип.) +20В, -8В - 159 Вт
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе