SIC
close

Транзисторы(100539)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Вход Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Ток-отсечка коллектора (макс.) НТЦ Термистор Входная емкость (Cies) при Vce Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Коэффициент шума (дБ, тип@f)
AONS36326 Alpha & Omega Semiconductor Inc. АОНС36326 -
запросить цену
 ECAD 3418 0,00000000 Альфа и Омега Полупроводник Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший АОНС363 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 785-АОНС36326ТР УСТАРЕВШИЙ 3000 -
APT75GT120JRDQ3 Microchip Technology APT75GT120JRDQ3 46.6100
запросить цену
 ECAD 6808 0,00000000 Микрочиповая технология Тандерболт IGBT® Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси СОТ-227-4, миниБЛОК АПТ75GT120 480 Вт Стандартный ИЗОТОП® скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 Одинокий ДНЯО 1200 В 97 А 3,7 В при 15 В, 75 А 200 мкА Нет 5,1 нФ при 25 В
CP304X-MPSA06-CT Central Semiconductor Corp CP304X-MPSA06-CT -
запросить цену
 ECAD 9378 0,00000000 Центральная полупроводниковая корпорация - Поднос Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править CP304 Править скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0040 400 80 В 500 мА 100нА НПН 250 мВ при 10 мА, 100 мА 100 на 100 мА, 1 В 100 МГц
KSC2001GTA onsemi KSC2001GTA -
запросить цену
 ECAD 8533 0,00000000 онсеми - Лента и коробка (ТБ) Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения КСК2001 600 мВт ТО-92-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 2000 г. 25 В 700 мА 100нА (ИКБО) НПН 600 мВ при 70 мА, 700 мА 200 при 100 мА, 1 В 170 МГц
AON6232A Alpha & Omega Semiconductor Inc. АОН6232А -
запросить цену
 ECAD 3148 0,00000000 Альфа и Омега Полупроводник Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerSMD, плоские выводы АОН62 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (5х6) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 В 35А (Та), 85А (Тс) 4,5 В, 10 В 2,9 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 60 НК при 10 В ±20 В 3250 пФ при 20 В - 6,2 Вт (Та), 113,5 Вт (Тс)
IRFR014TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR014TRLPBF-BE3 1,5900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Вишай Силиконикс - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 IRFR014 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252АА скачать 1 (без блокировки) 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 В 7,7 А (Тс) 200 мОм при 4,6 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 11 нк @ 10 В ±20 В 300 пФ при 25 В - 2,5 Вт (Та), 25 Вт (Тс)
IRFR7546TRPBF Infineon Technologies IRFR7546TRPBF 1.0400
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Инфинеон Технологии StrongIRFET™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 IRFR7546 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 60 В 56А (Тс) 6В, 10В 7,9 мОм при 43 А, 10 В 3,7 В @ 100 мкА 87 НК при 10 В ±20 В 3020 пФ при 25 В - 99 Вт (Тс)
JANTX2N5686 Microchip Technology JANTX2N5686 195.5100
запросить цену
 ECAD 6907 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/464 Масса Активный -55°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-204АЭ 2N5686 300 Вт ТО-3 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 80 В 50 А 500 мкА НПН 5 В при 10 А, 50 А 15 @ 25А, 2В -
MMBT2907AWT1 onsemi ММБТ2907AWT1 -
запросить цену
 ECAD 1585 г. 0,00000000 онсеми * Разрезанная лента (CT) Устаревший ММБТ2907 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000
MPSA13_D75Z onsemi MPSA13_D75Z -
запросить цену
 ECAD 5074 0,00000000 онсеми - Лента и коробка (ТБ) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения MPSA13 625 мВт ТО-92-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 2000 г. 30 В 1,2 А 100нА (ИКБО) NPN – Дарлингтон 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА 10000 при 100 мА, 5 В 125 МГц
KSE340STSTU onsemi КСЭ340ССТТУ -
запросить цену
 ECAD 3115 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-225АА, ТО-126-3 КСЕ34 20 Вт ТО-126-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2880 300 В 500 мА 100 мкА (ИКБО) НПН - 30 при 50 мА, 10 В -
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,ЛФ 0,4900
запросить цену
 ECAD 2168 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 SSM6J216 МОП-транзистор (оксид металла) ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 P-канал 12 В 4,8 А (Та) 1,5 В, 4,5 В 32 мОм при 3,5 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 12,7 НК при 4,5 В ±8 В 1040 пФ при 12 В - 700 мВт (Та)
BSR33QTA Diodes Incorporated BSR33QTA 0,4800
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА БСР33 2,1 Вт СОТ-89-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 1000 80 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 5 В 100 МГц
NTD4815N-35G onsemi NTD4815N-35G 0,7800
запросить цену
 ECAD 153 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-251-3 Заглушки, ИПак NTD4815 МОП-транзистор (оксид металла) Ай-Пак скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 75 N-канал 30 В 6,9 А (Та), 35 А (Тс) 4,5 В, 11,5 В 15 мОм при 30 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 14,1 нк при 11,5 В ±20 В 770 пФ при 12 В - 1,26 (Та), 32,6 Вт (Тс Вт)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,Q(Дж -
запросить цену
 ECAD 2689 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SJ438 ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 5А (Тдж)
BC846AW,135 Nexperia USA Inc. BC846AW, 135 0,0240
запросить цену
 ECAD 6499 0,00000000 Нексперия США Инк. BC846xW Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 BC846 200 мВт СОТ-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 10 000 65 В 100 мА 15нА (ИКБО) НПН 400 мВ при 5 мА, 100 мА 110 при 2 мА, 5 В 100 МГц
SSVPZTA92T1 onsemi ССВПЗТА92Т1 0,2400
запросить цену
 ECAD 49 0,00000000 онсеми * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0095 1000
MJE13006 NTE Electronics, Inc MJE13006 1,6000
запросить цену
 ECAD 531 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ Сумка Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 80 Вт ТО-220 скачать не соответствует RoHS 2368-MJE13006 EAR99 8541.29.0095 1 300 В 8 А 1 мА НПН 3 В при 2 А, 8 А 8 @ 2А, 5В 4 МГц
PH1214-300M MACOM Technology Solutions РН1214-300М 464,9400
запросить цену
 ECAD 8636 0,00000000 Технологические решения МАКОМ - Масса Активный 200°С (ТДж) Крепление на шасси 2Л-ФЛГ PH1214 583 Вт 2Л-ФЛГ - 1465-ПХ1214-300М 1 8,75 дБ 90В 21А НПН - - -
DMN6069SFGQ-7 Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-7 0,7100
запросить цену
 ECAD 6955 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ДМН6069 МОП-транзистор (оксид металла) МощностьDI3333-8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 60 В 18А (Тс) 4,5 В, 10 В 50 мОм при 4,5 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 1480 пФ при 30 В - 2,4 Вт
APT13003LZTR-G1 Diodes Incorporated АПТ13003LZTR-G1 -
запросить цену
 ECAD 6804 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и коробка (ТБ) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения АПТ13003 800 мВт ТО-92 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH APT13003LZTR-G1DI EAR99 8541.21.0095 2000 г. 450 В 800 мА - НПН 500 мВ при 40 мА, 200 мА 6 @ 300 мА, 10 В -
PMN120ENEX Nexperia USA Inc. ПМН120ЕНЕКС -
запросить цену
 ECAD 2201 0,00000000 Нексперия США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 ПМН120 МОП-транзистор (оксид металла) 6-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 В 3,1А (Та) 4,5 В, 10 В 123 мОм при 2,4 А, 10 В 2,7 В @ 250 мкА 7,4 НК при 10 В ±20 В 275 пФ при 30 В - 1,4 Вт (Та), 6,25 Вт (Тс)
MMBF170LT3G onsemi ММБФ170LT3G -
запросить цену
 ECAD 3191 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ММБФ17 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 (ТО-236) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 10 000 N-канал 60 В 500 мА (Та) 10 В 5 Ом при 200 мА, 10 В 3 В @ 1 мА ±20 В 60 пФ при 10 В - 225 мВт (Та)
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН4607(ТЕ85Л,Ф) 0,4700
запросить цену
 ECAD 795 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 РН4607 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 47 кОм
MS2209 Microsemi Corporation MS2209 -
запросить цену
 ECAD 9367 0,00000000 Корпорация Микросеми - Масса Устаревший 200°С (ТДж) Крепление на шасси М218 220 Вт М218 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 1 8,4 дБ 65В 7А НПН 20 @ 2А, 5В 225 МГц -
APTC60DHM24T3G Microchip Technology APTC60DHM24T3G 126.2000
запросить цену
 ECAD 3973 0,00000000 Микрочиповая технология CoolMOS™ Поднос Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси SP3 APTC60 МОП-транзистор (оксид металла) 462 Вт SP3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 2 N-канальных (двойных) асимметричных 600В 95А 24 мОм при 47,5 А, 10 В 3,9 В при 5 мА 300 НК при 10 В 14400пФ при 25В Супер Джанкшн
GTRB266502FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRB266502FC-V1-R0 158.3080
запросить цену
 ECAD 7873 0,00000000 Вольфспид, Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 48 В Поверхностный монтаж H-37248C-4 GTRB266502 2,62 ГГц ~ 2,69 ГГц ХЕМТ H-37248C-4 - 1697-GTRB266502FC-V1-R0TR 50 - - 630 Вт 14 дБ -
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated DST857BDJ-7 0,4000
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-963 ДСТ857 300мВт СОТ-963 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 10 000 45В 100 мА 15нА (ИКБО) 2 ПНП (двойной) 500 мВ при 5 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 5 В 340 МГц
CPV364M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division КПВ364М4Ф -
запросить цену
 ECAD 6788 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов - Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 19-СИП (13 отведений), ИМС-2 Цена за просмотр 364 63 Вт Стандартный ИМС-2 - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 84 Трехфазный инвертор - 600 В 27 А 1,6 В @ 15 В, 27 А 250 мкА Нет 2,2 нФ при 30 В
BC817K-16HR Nexperia USA Inc. BC817K-16HR 0,2800
запросить цену
 ECAD 1759 г. 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BC817 350 мВт ТО-236АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 45 В 500 мА 100нА (ИКБО) НПН 700 мВ при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 1 В 100 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.