SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Мощность - Макс. Вход Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Условия испытаний Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Время обратного восстановления (trr) Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Напряжение – Тест Напряжение – проба (В(BR)GSS) Ток-отсечка коллектора (макс.) НТЦ Термистор Входная емкость (Cies) при Vce Сопротивление - RDS(Вкл.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
NTE123AP NTE Electronics, Inc НТЕ123AP 1,3300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 625 мВт ТО-92 скачать Соответствует ROHS3 2368-НТЭ123АП EAR99 8541.21.0095 1 40 В 600 мА 100 нА НПН 750 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 1 В 250 МГц
SSP1N50B Fairchild Semiconductor SSP1N50B 0,3000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 520 В 1,5 А (Тс) 10 В 5,3 Ом при 750 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 11 нк @ 10 В ±30 В 340 пФ при 25 В - 36 Вт (Тс)
64-9174PBF International Rectifier 64-9174ПБФ 1,0000
запросить цену
ECAD 3748 0,00000000 Международный выпрямитель * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 336
AUIRFN8403TR Infineon Technologies AUIRFN8403TR -
запросить цену
ECAD 7640 0,00000000 Инфинеон Технологии ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN ИРФН8403 МОП-транзистор (оксид металла) 8-PQFN (5x6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N-канал 40 В 95А (Тс) 10 В 3,3 мОм при 50 А, 10 В 3,9 В @ 100 мкА 98 НК при 10 В ±20 В 3174 пФ при 25 В - 4,3 Вт (Та), 94 Вт (Тс)
2SJ529-91L-E Renesas Electronics America Inc 2SJ529-91Л-Э 1,0000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor ФЧ76Н60НФ 12,8900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник СупреМОС™ Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать EAR99 8541.29.0095 24 N-канал 600 В 72,8А (Тс) 10 В 38 мОм при 38 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 300 НК при 10 В ±30 В 11045 пФ при 100 В - 543 Вт (Тс)
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL,L1Q 1,9400
запросить цену
ECAD 5381 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN TPHR8504 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП «Аванс» (5х5) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 В 150А (Тс) 4,5 В, 10 В 0,85 мОм при 50 А, 10 В 2,4 В при 1 мА 103 НК при 10 В ±20 В 9600 пФ при 20 В - 1 Вт (Та), 170 Вт (Тс)
UPA2386T1P-E1-A Renesas Electronics America Inc УПА2386Т1П-Е1-А -
запросить цену
ECAD 4509 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший - - - УПА2386 - - - - 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 - - - - - - - -
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903,LXHF(CT 0,3600
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН1903 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 250 МГц 22 кОм 22 кОм
DMN3401LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LDWQ-13 0,0613
запросить цену
ECAD 9863 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 ДМН3401 МОП-транзистор (оксид металла) 290 мВт (Та) СОТ-363 скачать REACH не касается 31-DMN3401LDWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10 000 2 N-канала (двойной) 30 В 800 мА (Та) 400 мОм при 590 мА, 10 В 1,6 В @ 250 мкА 1,2 НК при 10 В 50пФ при 15В -
MRF6VP3091NR1 NXP USA Inc. МРФ6ВП3091НР1 -
запросить цену
ECAD 8018 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 115 В Поверхностный монтаж ТО-270АБ МРФ6 860 МГц ЛДМОС ТО-270 ВБ-4 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 935314619528 EAR99 8541.29.0075 500 Двойной - 350 мА 18 Вт 22 дБ - 50 В
FDD7030BL Fairchild Semiconductor FDD7030BL 0,4400
запросить цену
ECAD 80 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252, (Д-Пак) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 В 14А (Та), 56А (Тс) 4,5 В, 10 В 9,5 мОм при 14 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 20 НК при 5 В ±20 В 1425 пФ при 15 В - 2,8 Вт (Та), 60 Вт (Тс)
PDTA144ET Nexperia USA Inc. PDTA144ET -
запросить цену
ECAD 8052 0,00000000 Нексперия США Инк. * Масса Активный скачать 0000.00.0000 1
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК28В65В5,ЛК 5.5700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ТК28В65 МОП-транзистор (оксид металла) 4-ДФН-ЭП (8х8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 В 27,6А (Та) 10 В 140 мОм при 13,8 А, 10 В 4,5 В @ 1,6 мА 90 НК при 10 В ±30 В 3000 пФ при 300 В - 240 Вт (Тс)
PMZB370UNE,315 NXP USA Inc. ПМЗБ370ЮНЕ,315 -
запросить цену
ECAD 3565 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-XFDFN МОП-транзистор (оксид металла) DFN1006B-3 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 0000.00.0000 10 000 N-канал 30 В 900 мА (Та) 1,8 В, 4,5 В 490 мОм при 500 мА, 4,5 В 1,05 В @ 250 мкА 1,16 НК при 15 В ±8 В 78 пФ при 25 В - 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc)
IXYK110N120C4 IXYS IXYK110N120C4 21.1100
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 ИКСИС ХПТ™ Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-264-3, ТО-264АА IXYK110 Стандартный 1360 Вт ПЛЮС264™ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 238-IXYK110N120C4 EAR99 8541.29.0095 25 600В, 50А, 2Ом, 15В 48 нс - 1200 В 310 А 740 А 2,4 В при 15 В, 110 А 3,6 мДж (вкл.), 1,9 мДж (выкл.) 330 НК 40 нс/320 нс
MRF8P20100HSR3 Freescale Semiconductor MRF8P20100HSR3 93,7900
запросить цену
ECAD 44 0,00000000 Свободный полупроводник - Масса Активный 65 В НИ-780С-4 МРФ8 2,03 ГГц ЛДМОС НИ-780С-4 скачать Непригодный 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 1 Двойной - 400 мА 20 Вт 16 дБ - 28 В
SIDR870ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR870ADP-T1-RE3 2.3800
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 Вишай Силиконикс ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ПауэрПАК® СО-8 МОП-транзистор (оксид металла) PowerPAK® SO-8DC скачать 1 (без блокировки) 742-SIDR870ADP-T1-RE3TR EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 В 21,8А (Та), 95А (Тс) 4,5 В, 10 В 6,6 мОм при 20 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 80 НК при 10 В ±20 В 2866 пФ при 50 В - 6,25 (Та), 125 Вт (Тс) Вт
BUK7K134-100EX NXP USA Inc. БУК7К134-100ЕХ -
запросить цену
ECAD 1443 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 БУК7К134 МОП-транзистор (оксид металла) 32 Вт LFPAK56D скачать EAR99 8541.29.0095 1 2 N-канала (двойной) 100В 9,8А 121 мОм при 5 А, 10 В 4 В при 1 мА 10,5 НК при 10 В 564 пФ при 25 В -
2N4859 Solid State Inc. 2N4859 3.0000
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 Solid State Inc. - Масса Активный - Сквозное отверстие ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 300 мВт ТО-18 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен 2383-2Н4859 EAR99 8541.10.0080 10 N-канал 30 В 18пФ при 10В 30 В 25 Ом
JANKCBF2N2222A Microchip Technology ЯНККБФ2Н2222А -
запросить цену
ECAD 6683 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 500 мВт ТО-18 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ЯНККБФ2Н2222А EAR99 8541.21.0095 1 50 В 800 мА 50нА НПН 1 В @ 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 10 В -
BLC10G18XS-301AVTZ Ampleon USA Inc. BLC10G18XS-301АВТЗ 81.8900
запросить цену
ECAD 56 0,00000000 Амплеон США Инк. - Поднос Активный 65 В Крепление на шасси СОТ-1275-1 БЛК10 1805 ГГц ~ 1,88 ГГц ЛДМОС ДФМ6 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 20 Двойной - 300 мА 300 Вт 15,6 дБ - 30 В
PMDXB550UNE,147 NXP USA Inc. PMDXB550UNE,147 1,0000
запросить цену
ECAD 1879 г. 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный PMDXB550 - скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0095 1 -
SPQ1592 onsemi SPQ1592 0,4700
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 онсеми * Масса Активный SPQ15 - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1
BC817-16WQ Yangjie Technology BC817-16WQ 0,0310
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный BC817 - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-BC817-16WQTR EAR99 3000
IRF7457PBF International Rectifier IRF7457PBF 0,5200
запросить цену
ECAD 1338 0,00000000 Международный выпрямитель ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СО скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 0000.00.0000 435 N-канал 20 В 15А (Та) 4,5 В, 10 В 7 МОм при 15 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 42 НК при 4,5 В ±20 В 3100 пФ при 10 В - 2,5 Вт (Та)
BSM300GA170DLS Infineon Technologies БСМ300ГА170ДЛС 161,7500
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль БСМ300 2500 Вт Стандартный Модуль скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1 Одинокий - 1700 В 600 А 3,3 В при 15 В, 300 А 600 мкА Нет 20 нФ при 25 В
FDS9435A Fairchild Semiconductor FDS9435A -
запросить цену
ECAD 8938 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОИК скачать EAR99 8542.39.0001 1 P-канал 30 В 5,3А (Та) 4,5 В, 10 В 50 мОм при 5,3 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 14 НК @ 10 В ±25 В 528 пФ при 15 В - 2,5 Вт (Та)
DMA501010R Panasonic Electronic Components ДМА501010Р -
запросить цену
ECAD 8949 0,00000000 Электронные компоненты Panasonic - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 5-SMD, плоские выводы DMA50101 150 мВт SMini5-F3-B скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 100 мкА 2 ПНП (двойной) 500 мВ при 10 мА, 100 мА 210 при 2 мА, 10 В 150 МГц
RF1S9630 Harris Corporation RF1S9630 1.1500
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Харрис Корпорейшн * Масса Активный - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе