SIC
close

Транзисторы(100539)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение – Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
IXTT440N055T2 IXYS IXTT440N055T2 15.4300
запросить цену
 ECAD 2791 0,00000000 ИКСИС ТренчТ2™ Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА IXTT440 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-268АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается -IXTT440N055T2 EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 55 В 440А (Тс) 10 В 1,8 мОм при 100 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 405 НК при 10 В ±20 В 25000 пФ при 25 В - 1000 Вт (Тс)
BSH205G2215 NXP USA Inc. БШ205Г2215 -
запросить цену
 ECAD 3178 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0095 2950
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM -
запросить цену
 ECAD 8715 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник QFET® Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК (ТО-263) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 800 P-канал 250 В 2,3 А (Тс) 10 В 4 Ом при 1,15 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 8,5 НК при 10 В ±30 В 250 пФ при 25 В - 3,13 Вт (Та), 52 Вт (Тс)
BC857BW Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC857BW 0,1500
запросить цену
 ECAD 2552 0,00000000 Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 BC857 200 мВт СОТ-323 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 3000 45 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП 650 мВ при 5 мА, 100 мА 220 при 2 мА, 5 В 100 МГц
NTMFSC010N08M7 onsemi NTMFSC010N08M7 1,6500
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 онсеми Двойное охлаждение™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (5х6,15) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 В 12,5 А (Та), 61 А (Тс) 10 В 10 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В @ 120 мкА 38 НК при 10 В ±20 В 2700 пФ при 40 В - 3,3 Вт (Та), 78,1 Вт (Тс)
AOCA32116E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA32116E 0,2223
запросить цену
 ECAD 3124 0,00000000 Альфа и Омега Полупроводник Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, без свинца AOCA32116 МОП-транзистор (оксид металла) 1,7 Вт (Та) 4-АльфаДФН (1,2х1,2) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 8000 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 20 В 6А (Та) 36 мОм при 3 А, 4,5 В 1,3 В @ 250 мкА 5,5 нк @ 4,5 В - -
2SA1253T-SPA onsemi 2SA1253T-СПА -
запросить цену
 ECAD 9175 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший - Сквозное отверстие 3-ССИП 3-СПА - 2156-2СА1253Т-СПА 1 - ПНП 500 мВ при 5 мА, 50 мА 300 при 10 мА, 5 В 250 МГц
MSA1162GT1GH6-PANA onsemi MSA1162GT1GH6-ПАНА -
запросить цену
 ECAD 9964 0,00000000 онсеми * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) 1
IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R185P7AUMA1 3.0900
запросить цену
 ECAD 5794 0,00000000 Инфинеон Технологии CoolMOS™ P7 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-PowerTSFN IPL60R МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ВСОН-4 скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 600 В 19А (Тс) 10 В 185 мОм при 5,6 А, 10 В 4 В @ 280 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 1081 пФ при 400 В - 81 Вт (Тс)
2SD1145G onsemi 2SD1145G 0,2000
запросить цену
 ECAD 121 0,00000000 онсеми * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 1
IRFU2405PBFAKLA1 Infineon Technologies IRFU2405PBFAKLA1 -
запросить цену
 ECAD 5208 0,00000000 Инфинеон Технологии * Трубка Активный - Соответствует ROHS3 REACH не касается 448-ИРФУ2405ПБФАКЛА1
CAB008A12GM3 Wolfspeed, Inc. CAB008A12GM3 327.0000
запросить цену
 ECAD 45 0,00000000 Вольфспид, Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль CAB008 Карбид кремния (SiC) 10 мВт (Тс) - скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 18 2 Н-канала (полумост) 1200 В (1,2 кВ) 182А (Тдж) 10,4 мОм при 150 А, 15 В 3,6 В при 46 мА 472 НК при 15 В 13600пФ при 800В -
BUK9Y1R6-40H,115 Nexperia USA Inc. БУК9Y1R6-40H,115 -
запросить цену
 ECAD 2475 0,00000000 Нексперия США Инк. * Масса Активный скачать 0000.00.0000 1
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0,6200
запросить цену
 ECAD 60 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) РФ1К4 МОП-транзистор (оксид металла) 2Вт (Та) 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 2500 2 N-канала (двойной) 12 В 3,5 А (Та) 50 мОм при 3,5 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 25 НК при 10 В 750пФ при 10 В Ворота логического уровня
BLS6G3135S-120,112 Ampleon USA Inc. BLS6G3135S-120,112 -
запросить цену
 ECAD 5179 0,00000000 Амплеон США Инк. - Поднос Устаревший 60 В Крепление на шасси СОТ-502Б БЛС6 3,1 ГГц ~ 3,5 ГГц ЛДМОС СОТ502Б скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 934060064112 EAR99 8541.29.0075 20 7,2А 100 мА 120 Вт 11 дБ - 32 В
NSVMUN5234T1G onsemi НСВМУН5234T1G 0,0400
запросить цену
 ECAD 36 0,00000000 онсеми - Масса Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 НСВМУН5234 202 МВт СК-70 (СОТ323) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2156-НСВМУН5234Т1Г-488 EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 250 мВ при 1 мА, 10 мА 80 при 5 мА, 10 В 22 кОм 47 кОм
RM50N60DF Rectron USA RM50N60DF 0,5600
запросить цену
 ECAD 3189 0,00000000 Ректрон США - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2516-РМ50Н60ДФТР 8541.10.0080 40 000 N-канал 60 В 50А (Тс) 4,5 В, 10 В 8 мОм при 20 А, 10 В 1,8 В при 250 мкА ±20 В 4000 пФ при 30 В - 75 Вт (Тс)
HUF75345S3S Fairchild Semiconductor HUF75345S3S 1,0000
запросить цену
 ECAD 1906 год 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник УльтраФЕТ™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК (ТО-263) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 400 N-канал 55 В 75А (Тс) 10 В 7 МОм при 75 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 275 НК при 20 В ±20 В 4000 пФ при 25 В - 325 Вт (Тс)
AUIRF3805L International Rectifier АУИРФ3805Л 1,9700
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Международный выпрямитель ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) ТО-262 скачать EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 55 В 160А (Тс) 10 В 3,3 мОм при 75 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 290 НК при 10 В ±20 В 7960 пФ при 25 В - 300 Вт (Тс)
RJK03M8DNS-WS#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03M8DNS-WS#J5 0,5700
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1
JANSF2N2222AUB/TR Microchip Technology JANSF2N2222AUB/TR 146,9710
запросить цену
 ECAD 3677 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/255 Лента и катушка (TR) Активный -65°С ~ 200°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, без свинца 500 мВт УБ - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-JANSF2N2222AUB/TR EAR99 8541.21.0095 1 50 В 800 мА 50нА НПН 1 В @ 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 10 В -
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК3Р2А10ПЛ,С4С 2,9400
запросить цену
 ECAD 99 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК3Р2А10 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 100 В 100А (Тс) 4,5 В, 10 В 3,2 мОм при 50 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 161 НК при 10 В ±20 В 9500 пФ при 50 В - 54 Вт (Тс)
FJPF1943RTU Fairchild Semiconductor FJPF1943RTU 0,7200
запросить цену
 ECAD 621 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Трубка Устаревший -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 50 Вт ТО-220Ф-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0075 50 230 В 15 А 5 мкА (ИКБО) ПНП 3 В при 800 мА, 8 А 55 @ 1А, 5В 30 МГц
NTE2320 NTE Electronics, Inc НТЕ2320 4.7000
запросить цену
 ECAD 66 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 14-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм) 1,25 Вт 14-ДИП скачать не соответствует RoHS 2368-НТЭ2320 EAR99 8541.29.0095 1 30 В 500 мА 30нА (ИКБО) НПН 1,4 В при 30 мА, 300 мА 100 при 150 мА, 10 В 350 МГц
FS25SM-9A#B10 Renesas Electronics America Inc ФС25СМ-9А#Б10 4.6800
запросить цену
 ECAD 692 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1
CPH5614-TL-E Sanyo CPH5614-TL-E 0,3200
запросить цену
 ECAD 21 0,00000000 Саньо * Масса Активный CPH5614 - - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0095 3000 -
TIP127 Harris Corporation СОВЕТ127 1,0000
запросить цену
 ECAD 6542 0,00000000 Харрис Корпорейшн - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 2 Вт ТО-220АБ - Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 50 100 В 5 А 500 мкА PNP - Дарлингтон 4 В при 20 мА, 5 А 1000 @ 3А, 3В -
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТВ027Н65К,С1Ф 22.7000
запросить цену
 ECAD 4982 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 650 В 58А (Тс) 18В 37 мОм при 29 А, 18 В 5 В при 3 мА 65 НК при 18 В +25В, -10В 2288 пФ при 400 В - 156 Вт (Тс)
SMBF1046LT1 onsemi SMBF1046LT1 0,0200
запросить цену
 ECAD 18 0,00000000 онсеми * Масса Активный - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8542.39.0001 3000
2SJ355-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ355-Т1-АЗ 1,0000
запросить цену
 ECAD 5104 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Масса Устаревший Поверхностный монтаж ТО-243АА МОП-транзистор (оксид металла) СК-62 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 1000 P-канал 30 В 2А (Та) 350 мОм при 1 А, 10 В 2 В при 1 мА 12,2 НК при 10 В 300 пФ при 10 В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.