SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Мощность - Макс. Вход Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Условия испытаний Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Время обратного восстановления (trr) Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Напряжение – Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) НТЦ Термистор Входная емкость (Cies) при Vce Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
2N4391UBC Microchip Technology 2N4391UBC 53,5950
запросить цену
ECAD 1921 год 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный - Поверхностный монтаж 3-СМД, без свинца ЮБК - REACH не касается 150-2Н4391УБК 1 N-канал -
FF150R12KE3B8BDLA1 Infineon Technologies ФФ150Р12КЕ3Б8БДЛА1 82,6800
запросить цену
ECAD 40 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль 1250 Вт Стандартный АГ-62ММ скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8542.39.0001 1 Половина моста - 1200 В 225 А 3,7 В при 15 В, 150 А 5 мА Нет 11 нФ @ 25 В
MIXG70W1200TED IXYS MIXG70W1200TED 114.1850
запросить цену
ECAD 8095 0,00000000 ИКСИС - Коробка Активный - Крепление на шасси Е2 MIXG70 Стандартный Е2 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 238-МИКСГ70В1200ТЕД 6 Одинокий ПТ - Нет
MSCSM120DUM31CTBL1NG Microchip Technology MSCSM120DUM31CTBL1NG 166.2400
запросить цену
ECAD 3045 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль МСКСМ120 Карбид кремния (SiC) 310 Вт - - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG EAR99 8541.29.0095 1 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением 1200В 79А 31 мОм при 40 А, 20 В 2,8 В @ 1 мА 232 НК при 20 В 3020пФ при 1000В -
BUK7907-55ATE127 Nexperia USA Inc. БУК7907-55АТЭ127 1,0000
запросить цену
ECAD 4695 0,00000000 Нексперия США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-5 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-5 скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 55 В 75А (Тс) 10 В 7 МОм при 50 А, 10 В 4 В при 1 мА 116 НК при 10 В ±20 В 4500 пФ при 25 В Диодный измеритель температуры 272 Вт (Тс)
SIHB30N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB30N60ET1-GE3 6.0700
запросить цену
ECAD 426 0,00000000 Вишай Силиконикс - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д²ПАК (ТО-263) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 600 В 29А (Тц) 10 В 125 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 130 НК при 10 В ±30 В 2600 пФ при 100 В - 250 Вт (Тс)
PMV52ENER Nexperia USA Inc. ПМВ52ЕНЕР 0,4000
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Нексперия США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-236АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 В 3,2 А (Та) 4,5 В, 10 В 70 мОм при 3,2 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 3,3 нк при 10 В ±20 В 100 пФ при 15 В - 630 мВт (Ta), 5,7 Вт (Tc)
SIHB6N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHB6N80E-GE3 1,3550
запросить цену
ECAD 1217 0,00000000 Вишай Силиконикс Э Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ SIHB6 МОП-транзистор (оксид металла) Д²ПАК (ТО-263) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 5,4 А (Тс) 10 В 940 мОм при 3 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 44 НК при 10 В ±30 В 827 пФ при 100 В - 78 Вт (Тс)
HGTD1N120BNS9A onsemi ХГТД1Н120БНС9А 1,6500
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ХГТД1Н120 Стандартный 60 Вт ТО-252АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 960 В, 1 А, 82 Ом, 15 В ДНЯО 1200 В 5,3 А 6 А 2,9 В при 15 В, 1 А 70 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) 14 НК 15 нс/67 нс
IXTY32P05T IXYS IXTY32P05T 2,5163
запросить цену
ECAD 1956 год 0,00000000 ИКСИС ТренчП™ Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 IXTY32 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 70 P-канал 50 В 32А (Тс) 10 В 39 мОм при 16 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 46 НК при 10 В ±15 В 1975 ПФ при 25 В - 83 Вт (Тс)
SIHP17N80E-BE3 Vishay Siliconix SIHP17N80E-BE3 4.8400
запросить цену
ECAD 3082 0,00000000 Вишай Силиконикс Э Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 SIHP17 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ - 1 (без блокировки) 742-SIHP17N80E-BE3 EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 15А (Тс) 10 В 290 мОм при 8,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 122 НК при 10 В ±30 В 2408 пФ при 100 В - 208 Вт (Тс)
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB11BPSA1 59.2000
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 Инфинеон Технологии ИзиПАК™ Поднос Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль DF80R07 20 мВт Стандартный АГ-EASY1B-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 30 2 независимых Траншейная полевая остановка 650 В 40 А 1,72 В @ 15 В, 20 А 12 мкА Да 2 нФ при 25 В
BLF6G13L-250P,112 Ampleon USA Inc. БЛФ6Г13Л-250П,112 -
запросить цену
ECAD 8530 0,00000000 Амплеон США Инк. - Масса Снято с производства в НИЦ 100 В Крепление на шасси СОТ-1121А БЛФ6 1,3 ГГц ЛДМОС ЛДМОСТ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 20 - 100 мА 250 Вт 17 дБ - 50 В
FDS6672A Fairchild Semiconductor FDS6672A 1,6500
запросить цену
ECAD 259 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 В 12,5 А (Та) 4,5 В, 10 В 8 мОм при 14 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 46 НК при 4,5 В ±12 В 5070 пФ при 15 В - 2,5 Вт (Та)
APT45GR65BSCD10 Microsemi Corporation АПТ45GR65BSCD10 -
запросить цену
ECAD 5467 0,00000000 Корпорация Микросеми - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 АПТ45ГР65 Стандартный 543 Вт ТО-247 - 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 433 В, 45 А, 4,3 Ом, 15 В 80 нс ДНЯО 650 В 118 А 224 А 2,4 В при 15 В, 45 А 203 н.к. 15 нс/100 нс
2N4401-BP Micro Commercial Co 2Н4401-БП -
запросить цену
ECAD 2060 год 0,00000000 Микро Коммерческая Компания 2Н4401 Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 2Н4401 625 мВт ТО-92 скачать Соответствует ROHS3 353-2Н4401-БП EAR99 8541.21.0075 1 40 В 600 мА 100нА НПН 750 мВ при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 1 В 250 МГц
FS800R07A2E3BOSA2 Infineon Technologies FS800R07A2E3BOSA2 -
запросить цену
ECAD 3574 0,00000000 Инфинеон Технологии ГибридПАК™ 2 Поднос Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль FS800R07 1500 Вт Стандартный Модуль - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 3 Трехфазный инвертор Траншейная полевая остановка 650 В 700 А 1,6 В @ 15 В, 550 А 5 мА Да 52 нФ при 25 В
MRFE6VP61K25GNR6 NXP USA Inc. МРФЭ6ВП61К25ГНР6 195,5361
запросить цену
ECAD 8842 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 133 В Крепление на шасси ОМ-1230Г-4Л MRFE6 230 МГц ЛДМОС ОМ-1230Г-4Л скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 935315986528 EAR99 8541.29.0075 150 Двойной - 100 мА 1250 Вт 23 дБ - 50 В
MCAC88N12-TP Micro Commercial Co MCAC88N12-TP 0,8011
запросить цену
ECAD 1227 0,00000000 Микро Коммерческая Компания - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN MCAC88N12 МОП-транзистор (оксид металла) DFN5060 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 120 В 88А 7,2 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 65 НК при 10 В ±20 В 4514 пФ при 50 В - 120 Вт
2SK3435-AZ Renesas 2SK3435-АЗ 2.6000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Ренесас - Масса Устаревший 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ - не соответствует RoHS REACH не касается 2156-2СК3435-АЗ EAR99 8541.29.0075 116 N-канал 60 В 80А (Тс) 10 В 14 мОм при 40 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 60 НК при 10 В ±20 В 3200 пФ при 10 В - 1,5 Вт (Та), 84 Вт (Тс)
JANSR2N5152L Microchip Technology ЯНСР2Н5152Л 98.9702
запросить цену
ECAD 3565 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/544 Масса Активный -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка 1 Вт ТО-5АА - REACH не касается 150-JANSR2N5152L 1 80 В 2 А 50 мкА НПН 1,5 В @ 500 мА, 5 А 30 @ 2,5 А, 5 В -
CP307-2N5308-WN Central Semiconductor Corp CP307-2N5308-WN -
запросить цену
ECAD 6925 0,00000000 Центральная полупроводниковая корпорация - Масса Устаревший -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править 625 мВт Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1514-CP307-2N5308-WN EAR99 8541.21.0095 1 40 В 300 мА 100нА (ИКБО) NPN – Дарлингтон 1,4 В при 200 мкА, 200 мА 20000 при 100 мА, 5 В 60 МГц
SUD50NP04-77P-T4E3 Vishay Siliconix СУД50НП04-77П-Т4Е3 -
запросить цену
ECAD 9003 0,00000000 Вишай Силиконикс ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД 50 долл. США МОП-транзистор (оксид металла) 10,8 Вт, 24 Вт ТО-252-4 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N и P-каналы, общий сток 40В 37 мОм при 5 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 20 НК при 10 В 640пФ при 20В -
PN3643 Fairchild Semiconductor PN3643 0,0400
запросить цену
ECAD 40 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 625 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 2000 г. 30 В 500 мА 50нА НПН 220 мВ при 15 мА, 150 мА 100 при 150 мА, 10 В -
SFT1202-TL-E onsemi SFT1202-TL-E 0,9200
запросить цену
ECAD 795 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 SFT1202 1 Вт ТП-ФА - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 700 150 В 2 А 1 мкА (ИКБО) НПН 165 мВ при 100 мА, 1 А 200 при 100 мА, 5 В 140 МГц
DDTA114YUA-7 Diodes Incorporated ДДТА114ЮА-7 -
запросить цену
ECAD 1898 г. 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 ДДТА114 200 мВт СОТ-323 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 68 @ 10 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 47 кОм
APT56F60L Microchip Technology АПТ56Ф60Л 17.0000
запросить цену
ECAD 4185 0,00000000 Микрочиповая технология СИЛОВАЯ МОС 8™ Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-264-3, ТО-264АА АПТ56Ф60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-264 [Л] скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 600 В 60А (Тс) 10 В 110 мОм при 28 А, 10 В 5 В @ 2,5 мА 280 НК при 10 В ±30 В 11300 пФ при 25 В - 1040 Вт (Тс)
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1 1,4200
запросить цену
ECAD 9218 0,00000000 Инфинеон Технологии CoolMOS™ Трубка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет IPAN65 МОП-транзистор (оксид металла) PG-TO220-FP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 500 N-канал 650 В 10,1 А (Тс) 10 В 650 мОм при 2,1 А, 10 В 3,5 В @ 210 мкА 23 НК при 10 В ±20 В 440 пФ при 100 В - 28 Вт (Тс)
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies ИПГ20Н06С2Л35ААТМА1 1,2800
запросить цену
ECAD 5813 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность 8-PowerVDFN ИПГ20Н МОП-транзистор (оксид металла) 65 Вт ПГ-ТДСОН-8-10 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 2 N-канала (двойной) 55В 20А (Тс) 35 мОм при 15 А, 10 В 2 В при 27 мкА 23 НК при 10 В 790пФ при 25В Ворота логического уровня
SQJA88EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA88EP-T1_BE3 0,9600
запросить цену
ECAD 2205 0,00000000 Вишай Силиконикс Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ПауэрПАК® СО-8 МОП-транзистор (оксид металла) ПауэрПАК® СО-8 скачать 1 (без блокировки) 742-SQJA88EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 В 30А (Тс) 4,5 В, 10 В 7 МОм при 8 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 35 НК при 10 В ±20 В 1800 пФ при 25 В - 48 Вт (Тс)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе