Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Напряжение - номинальное | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Тип входа | Частота | Технология | Мощность - Макс. | Вход | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Текущий рейтинг (А) | Условия испытаний | Текущий — Тест | Мощность — Выход | Прирост | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Коэффициент шума | Время обратного восстановления (trr) | Тип БТИЗ | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Переключение энергии | Заряд от ворот | Td (вкл/выкл) при 25°C | Напряжение – Тест | Ток-отсечка коллектора (макс.) | НТЦ Термистор | Входная емкость (Cies) при Vce | Тип транзистора | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4391UBC | 53,5950 | ![]() | 1921 год | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | - | Поверхностный монтаж | 3-СМД, без свинца | ЮБК | - | REACH не касается | 150-2Н4391УБК | 1 | N-канал | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ФФ150Р12КЕ3Б8БДЛА1 | 82,6800 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Крепление на шасси | Модуль | 1250 Вт | Стандартный | АГ-62ММ | скачать | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Половина моста | - | 1200 В | 225 А | 3,7 В при 15 В, 150 А | 5 мА | Нет | 11 нФ @ 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIXG70W1200TED | 114.1850 | ![]() | 8095 | 0,00000000 | ИКСИС | - | Коробка | Активный | - | Крепление на шасси | Е2 | MIXG70 | Стандартный | Е2 | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 238-МИКСГ70В1200ТЕД | 6 | Одинокий | ПТ | - | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120DUM31CTBL1NG | 166.2400 | ![]() | 3045 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Крепление на шасси | Модуль | МСКСМ120 | Карбид кремния (SiC) | 310 Вт | - | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 150-MSCSM120DUM31CTBL1NG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 1200В | 79А | 31 мОм при 40 А, 20 В | 2,8 В @ 1 мА | 232 НК при 20 В | 3020пФ при 1000В | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | БУК7907-55АТЭ127 | 1,0000 | ![]() | 4695 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Масса | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-5 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-5 | скачать | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 55 В | 75А (Тс) | 10 В | 7 МОм при 50 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 116 НК при 10 В | ±20 В | 4500 пФ при 25 В | Диодный измеритель температуры | 272 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIHB30N60ET1-GE3 | 6.0700 | ![]() | 426 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 600 В | 29А (Тц) | 10 В | 125 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 130 НК при 10 В | ±30 В | 2600 пФ при 100 В | - | 250 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМВ52ЕНЕР | 0,4000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 3,2 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 70 мОм при 3,2 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 3,3 нк при 10 В | ±20 В | 100 пФ при 15 В | - | 630 мВт (Ta), 5,7 Вт (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIHB6N80E-GE3 | 1,3550 | ![]() | 1217 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | SIHB6 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 800 В | 5,4 А (Тс) | 10 В | 940 мОм при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | ±30 В | 827 пФ при 100 В | - | 78 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ХГТД1Н120БНС9А | 1,6500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ХГТД1Н120 | Стандартный | 60 Вт | ТО-252АА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 960 В, 1 А, 82 Ом, 15 В | ДНЯО | 1200 В | 5,3 А | 6 А | 2,9 В при 15 В, 1 А | 70 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) | 14 НК | 15 нс/67 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTY32P05T | 2,5163 | ![]() | 1956 год | 0,00000000 | ИКСИС | ТренчП™ | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | IXTY32 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | P-канал | 50 В | 32А (Тс) | 10 В | 39 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 46 НК при 10 В | ±15 В | 1975 ПФ при 25 В | - | 83 Вт (Тс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIHP17N80E-BE3 | 4.8400 | ![]() | 3082 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | SIHP17 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | - | 1 (без блокировки) | 742-SIHP17N80E-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 800 В | 15А (Тс) | 10 В | 290 мОм при 8,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 122 НК при 10 В | ±30 В | 2408 пФ при 100 В | - | 208 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | 59.2000 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ИзиПАК™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Модуль | DF80R07 | 20 мВт | Стандартный | АГ-EASY1B-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 независимых | Траншейная полевая остановка | 650 В | 40 А | 1,72 В @ 15 В, 20 А | 12 мкА | Да | 2 нФ при 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | БЛФ6Г13Л-250П,112 | - | ![]() | 8530 | 0,00000000 | Амплеон США Инк. | - | Масса | Снято с производства в НИЦ | 100 В | Крепление на шасси | СОТ-1121А | БЛФ6 | 1,3 ГГц | ЛДМОС | ЛДМОСТ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | - | 100 мА | 250 Вт | 17 дБ | - | 50 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6672A | 1,6500 | ![]() | 259 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | PowerTrench® | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 30 В | 12,5 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 8 мОм при 14 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 46 НК при 4,5 В | ±12 В | 5070 пФ при 15 В | - | 2,5 Вт (Та) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | АПТ45GR65BSCD10 | - | ![]() | 5467 | 0,00000000 | Корпорация Микросеми | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | АПТ45ГР65 | Стандартный | 543 Вт | ТО-247 | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 433 В, 45 А, 4,3 Ом, 15 В | 80 нс | ДНЯО | 650 В | 118 А | 224 А | 2,4 В при 15 В, 45 А | 203 н.к. | 15 нс/100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2Н4401-БП | - | ![]() | 2060 год | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | 2Н4401 | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 2Н4401 | 625 мВт | ТО-92 | скачать | Соответствует ROHS3 | 353-2Н4401-БП | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 В | 600 мА | 100нА | НПН | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | 100 при 150 мА, 1 В | 250 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3BOSA2 | - | ![]() | 3574 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГибридПАК™ 2 | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Модуль | FS800R07 | 1500 Вт | Стандартный | Модуль | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 3 | Трехфазный инвертор | Траншейная полевая остановка | 650 В | 700 А | 1,6 В @ 15 В, 550 А | 5 мА | Да | 52 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФЭ6ВП61К25ГНР6 | 195,5361 | ![]() | 8842 | 0,00000000 | NXP США Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 133 В | Крепление на шасси | ОМ-1230Г-4Л | MRFE6 | 230 МГц | ЛДМОС | ОМ-1230Г-4Л | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 935315986528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Двойной | - | 100 мА | 1250 Вт | 23 дБ | - | 50 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCAC88N12-TP | 0,8011 | ![]() | 1227 | 0,00000000 | Микро Коммерческая Компания | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-PowerTDFN | MCAC88N12 | МОП-транзистор (оксид металла) | DFN5060 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | N-канал | 120 В | 88А | 7,2 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 65 НК при 10 В | ±20 В | 4514 пФ при 50 В | - | 120 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3435-АЗ | 2.6000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Ренесас | - | Масса | Устаревший | 150°С | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2156-2СК3435-АЗ | EAR99 | 8541.29.0075 | 116 | N-канал | 60 В | 80А (Тс) | 10 В | 14 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 60 НК при 10 В | ±20 В | 3200 пФ при 10 В | - | 1,5 Вт (Та), 84 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ЯНСР2Н5152Л | 98.9702 | ![]() | 3565 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/544 | Масса | Активный | -65°С ~ 200°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 1 Вт | ТО-5АА | - | REACH не касается | 150-JANSR2N5152L | 1 | 80 В | 2 А | 50 мкА | НПН | 1,5 В @ 500 мА, 5 А | 30 @ 2,5 А, 5 В | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP307-2N5308-WN | - | ![]() | 6925 | 0,00000000 | Центральная полупроводниковая корпорация | - | Масса | Устаревший | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | Править | 625 мВт | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 1514-CP307-2N5308-WN | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 В | 300 мА | 100нА (ИКБО) | NPN – Дарлингтон | 1,4 В при 200 мкА, 200 мА | 20000 при 100 мА, 5 В | 60 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | СУД50НП04-77П-Т4Е3 | - | ![]() | 9003 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 50 долл. США | МОП-транзистор (оксид металла) | 10,8 Вт, 24 Вт | ТО-252-4 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N и P-каналы, общий сток | 40В | 8А | 37 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | 640пФ при 20В | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3643 | 0,0400 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 625 мВт | ТО-92-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2000 г. | 30 В | 500 мА | 50нА | НПН | 220 мВ при 15 мА, 150 мА | 100 при 150 мА, 10 В | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFT1202-TL-E | 0,9200 | ![]() | 795 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | SFT1202 | 1 Вт | ТП-ФА | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0075 | 700 | 150 В | 2 А | 1 мкА (ИКБО) | НПН | 165 мВ при 100 мА, 1 А | 200 при 100 мА, 5 В | 140 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДДТА114ЮА-7 | - | ![]() | 1898 г. | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | ДДТА114 | 200 мВт | СОТ-323 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0075 | 3000 | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 68 @ 10 мА, 5 В | 250 МГц | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ56Ф60Л | 17.0000 | ![]() | 4185 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-264-3, ТО-264АА | АПТ56Ф60 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-264 [Л] | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 600 В | 60А (Тс) | 10 В | 110 мОм при 28 А, 10 В | 5 В @ 2,5 мА | 280 НК при 10 В | ±30 В | 11300 пФ при 25 В | - | 1040 Вт (Тс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPAN65R650CEXKSA1 | 1,4200 | ![]() | 9218 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | CoolMOS™ | Трубка | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | IPAN65 | МОП-транзистор (оксид металла) | PG-TO220-FP | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-канал | 650 В | 10,1 А (Тс) | 10 В | 650 мОм при 2,1 А, 10 В | 3,5 В @ 210 мкА | 23 НК при 10 В | ±20 В | 440 пФ при 100 В | - | 28 Вт (Тс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ИПГ20Н06С2Л35ААТМА1 | 1,2800 | ![]() | 5813 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | 8-PowerVDFN | ИПГ20Н | МОП-транзистор (оксид металла) | 65 Вт | ПГ-ТДСОН-8-10 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | 2 N-канала (двойной) | 55В | 20А (Тс) | 35 мОм при 15 А, 10 В | 2 В при 27 мкА | 23 НК при 10 В | 790пФ при 25В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SQJA88EP-T1_BE3 | 0,9600 | ![]() | 2205 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | 1 (без блокировки) | 742-SQJA88EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 40 В | 30А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 7 МОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 35 НК при 10 В | ±20 В | 1800 пФ при 25 В | - | 48 Вт (Тс) |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)