запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(100539)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус REACH	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Прирост	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Напряжение – проба (В(BR)GSS)	Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Сопротивление - RDS(Вкл.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Коэффициент шума (дБ, тип@f)
ПСМНР67-30YLEX	3.7000	запросить цену	1	Нексперия США Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-1023, 4-ЛФПАК	ПСМНР67	МОП-транзистор (оксид металла)		ЛФПАК56, Мощность-СО8	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	1500		N-канал		30 В	365А (Та)	7В, 10В	0,7 мОм при 25 А, 10 В	2,2 В при 2 мА	185 НК при 10 В	±20 В	12417 пФ при 15 В	-	333 Вт (Та)
SSM3J307T(TE85L,Ф)	-	запросить цену	9193	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	SSM3J307	МОП-транзистор (оксид металла)		ТСМ	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	3000		P-канал		20 В	5А (Та)	1,5 В, 4,5 В	31 мОм при 4 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	19 НК @ 4,5 В	±8 В	1170 пФ при 10 В	-	700 мВт (Та)
MTP75N06HD	1,0700	запросить цену	9803	онсеми	*	Масса	Активный								-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	Поставщик не определен	2156-MTP75N06HD	EAR99	8541.29.0095	1
КАС480М12ХМ3	2.0000	запросить цену	6957	Вольфспид, Инк.	-	Коробка	Активный	-40°С ~ 175°С (ТДж)	Крепление на шасси	Модуль	КАС480	Карбид кремния (SiC)	-	Модуль	скачать		Непригодный			EAR99	8541.29.0095	1	2 Н-канала (полумост)			1200 В (1,2 кВ)	640А (Тс)		2,97 мОм при 480 А, 15 В	3,6 В при 160 мА	1590 НК при 15 В		43100пФ при 800В	-
ИПА093N06N3GXKSA1	1.3000	запросить цену	7755	Инфинеон Технологии	Оптимос™	Трубка	Не для новых дизайнов	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ИПА093	МОП-транзистор (оксид металла)		ПГ-ТО220-3-31	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		60 В	43А (Тс)	10 В	9,3 мОм при 40 А, 10 В	4 В при 34 мкА	48 НК при 10 В	±20 В	3900 пФ при 30 В	-	33 Вт (Тс)
ХГТП20Н35Ф3ВЛ	1,9200	запросить цену	1	Харрис Корпорейшн	*	Масса	Активный								-	Непригодный	3 (168 часов)	Поставщик не определен		EAR99	8542.39.0001	1
SQD45P03-12-T4_GE3	0,6597	запросить цену	7337	Вишай Силиконикс	Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	45 квадратных динаров	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-252АА	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		742-SQD45P03-12-T4_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2500		P-канал		30 В	50А (Тс)	4,5 В, 10 В	10 мОм при 15 А, 10 В	2,5 В при 250 мкА	83 НК при 10 В	±20 В	3495 пФ при 15 В	-	71 Вт (Тс)
R6020JNZ4C13	8.4500	запросить цену	355	Ром Полупроводник	-	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	Р6020	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-247Г	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	30		N-канал		600 В	20А (Тс)	15 В	234 мОм при 10 А, 15 В	7 В @ 3,5 мА	45 НК при 15 В	±30 В	1500 пФ при 100 В	-	252 Вт (Тс)
VEC2402-TL-E	0,2800	запросить цену	102	онсеми	*	Масса	Активный								-	Непригодный	1 (без блокировки)	Поставщик не определен		EAR99	8541.21.0095	3000
ПМПБ100ЕНЕА115	0,1500	запросить цену	27	Нексперия США Инк.	*	Масса	Активный				ПМПБ100				скачать	Непригодный	1 (без блокировки)	Поставщик не определен		EAR99	8541.21.0095	3000
ФДД6688С	1,3900	запросить цену	6	Фэйрчайлд Полупроводник	PowerTrench®	Масса	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-252, (Д-Пак)	скачать	Соответствует ROHS3				EAR99	8541.29.0095	2500		N-канал		30 В	88А (Та)	4,5 В, 10 В	5,1 мОм при 18,5 А, 10 В	3 В при 1 мА	81 НК при 10 В	±20 В	3290 пФ при 15 В	-	69 Вт (Та)
2N4859JTX02	-	запросить цену	3226	Вишай Силиконикс	-	Трубка	Устаревший	-	Сквозное отверстие	ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка	2N4859			ТО-206АА (ТО-18)	скачать	не соответствует RoHS	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	40		-									-
ФДЗ375П	1,5400	запросить цену	4	Фэйрчайлд Полупроводник	PowerTrench®	Масса	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	4-XFBGA, WLCSP		МОП-транзистор (оксид металла)		4-WLCSP (1x1)	скачать					EAR99	8542.39.0001	1		P-канал		20 В	3,7 А (Та)	1,5 В, 4,5 В	78 мОм при 2 А, 4,5 В	1,2 В @ 250 мкА	15 НК при 4,5 В	±8 В	865 пФ при 10 В	-	1,7 Вт (Та)
ТВ140Н120К,С1Ф	11.3700	запросить цену	10	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	175°С	Сквозное отверстие	ТО-247-3		SiCFET (карбид кремния)		ТО-247	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	30		N-канал		1200 В	20А (Тс)	18В	182 мОм при 10 А, 18 В	5 В при 1 мА	24 НК при 18 В	+25В, -10В	691 пФ при 800 В	-	107 Вт (Тс)
ФЦП170Н60	3.5600	запросить цену	1	Фэйрчайлд Полупроводник	СуперФЕТ® II	Масса	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220-3	скачать					EAR99	8542.39.0001	92		N-канал		600 В	22А (Тс)	10 В	170 мОм при 11 А, 10 В	3,5 В при 250 мкА	55 НК при 10 В	±20 В	2860 пФ при 380 В	-	227 Вт (Тс)
СТД4Н62К3	1,9100	запросить цену	433	СТМикроэлектроника	СуперМЕШ3™	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	СТД4Н62	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	2500		N-канал		620 В	3,8 А (Тс)	10 В	1,95 Ом при 1,9 А, 10 В	4,5 В при 50 мкА	14 НК @ 10 В	±30 В	450 пФ при 50 В	-	70 Вт (Тс)
2N4391UBC/ТР	53,5950	запросить цену	4163	Микрочиповая технология	*	Лента и катушка (TR)	Активный								-			REACH не касается	150-2Н4391УБК/ТР			100
ЯНСП2Н5152Л	98.9702	запросить цену	3886	Микрочиповая технология	Военный, MIL-PRF-19500/544	Масса	Активный	-65°С ~ 200°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка			1 Вт	ТО-5АА	-			REACH не касается	150-ЯНСП2Н5152Л			1														80 В	2 А				50 мкА		НПН	1,5 В @ 500 мА, 5 А	30 @ 2,5 А, 5 В	-
МВ2Н5114УБ	95.6403	запросить цену	3262	Микрочиповая технология	Военный, MIL-PRF-19500	Масса	Активный	-65°С ~ 200°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-СМД, без свинца			500 мВт	УБ	-			REACH не касается	150-МВ2Н5114УБ			1		P-канал		30 В							25пФ при 15В					30 В	30 при мА 18 В	5 В при 1 нА		75 Ом
ВС338-25 А1	-	запросить цену	2708	Тайванская полупроводниковая корпорация	-	Лента и коробка (ТБ)	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения			625 мВт	ТО-92	скачать			REACH не касается	1801-BC338-25A1TB	УСТАРЕВШИЙ		1														25 В	800 мА				100нА (ИКБО)		НПН	700 мВ при 50 мА, 500 мА	160 при 100 мА, 5 В	100 МГц
CP773-CMPDM302PH-CT	-	запросить цену	5995	Центральная полупроводниковая корпорация	-	Поднос	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	Править		МОП-транзистор (оксид металла)		Править	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0040	1		P-канал		30 В	2,4 А (Та)	2,5 В, 4,5 В	91 мОм при 1,2 А, 4,5 В	1,4 В при 250 мкА	9,6 НК при 5 В	12 В	800 пФ при 10 В	-	-
РРС050П03ХЗГТБ	1,2800	запросить цену	2	Ром Полупроводник	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)	РРС050	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	2500		P-канал		30 В	5А (Та)	4В, 10В	50 мОм при 5 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	9,2 НК при 5 В	±20 В	850 пФ при 10 В	-	2Вт (Та)
NTA7002NT1G	0,3600	запросить цену	113	онсеми	-	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	НТА7002	МОП-транзистор (оксид металла)		СК-75, СОТ-416	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.21.0095	3000		N-канал		30 В	154 мА (ТДж)	2,5 В, 4,5 В	7 Ом @ 154 мА, 4,5 В	1,5 В при 100 мкА		±10 В	20 пФ при 5 В	-	300 МВт (ТДж)
НТЕ235	6.3000	запросить цену	4	НТЭ Электроникс, Инк.	-	Сумка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3			1,2 Вт	ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3			2368-НТЭ235	EAR99	8541.29.0095	1			-											75В	3А						НПН		25 при 500 мА, 5 В	150 МГц			-
RN2108,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН2108		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	3000														50 В	100 мА				500нА		ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	22 кОм	47 кОм
PHD97NQ03LT,118	0,3100	запросить цену	5	NXP США Инк.	*	Масса	Активный				PHD97				скачать	Соответствует ROHS3		REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	2500
RN2104,LF(CT	0,2000	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН2104		100 мВт	ССМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА				500нА		ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	47 кОм	47 кОм
БСС316НХ6327XTSA1	0,4200	запросить цену	694	Инфинеон Технологии	Оптимос™	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	БСС316	МОП-транзистор (оксид металла)		ПГ-СОТ23	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.21.0095	3000		N-канал		30 В	1,4 А (Та)	4,5 В, 10 В	160 мОм при 1,4 А, 10 В	2 В при 3,7 мкА	0,6 нк при 5 В	±20 В	94 пФ при 15 В	-	500 мВт (Та)
PN4092_J18Z	-	запросить цену	2619	онсеми	-	Масса	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)	PN409		625 мВт	ТО-92-3	скачать		1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.21.0095	2000 г.		N-канал									16пФ при 20В					40 В	15 при мА 20 В	2 В при 1 нА		50 Ом
IXTQ32P20T	6,0893	запросить цену	1972 год	ИКСИС	ТренчП™	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-3П-3, СК-65-3	IXTQ32	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-3П	-	Соответствует ROHS3		REACH не касается	238-IXTQ32P20T	EAR99	8541.29.0095	30		P-канал		200 В	32А (Тс)	10 В	130 мОм при 16 А, 10 В	4 В @ 250 мкА	185 НК при 10 В	±15 В	14500 пФ при 25 В	-	300 Вт (Тс)