SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Условия испытаний Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Напряжение – Тест Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id Ток-отсечка коллектора (макс.) Сопротивление - RDS(Вкл.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
IRFB4310GPBF Infineon Technologies IRFB4310GPBF -
запросить цену
ECAD 3919 0,00000000 Инфинеон Технологии ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается СП001564018 EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 100 В 130А (Тс) 10 В 7 МОм при 75 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 250 НК при 10 В ±20 В 7670 пФ при 50 В - 300 Вт (Тс)
RCX330N25 Rohm Semiconductor RCX330N25 3.5500
запросить цену
ECAD 474 0,00000000 Ром Полупроводник - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет RCX330 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220ФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 500 N-канал 250 В 33А (Та) 10 В - - ±30 В - 2,23 Вт (Та), 40 Вт (Тс)
SIGC14T60NCX1SA6 Infineon Technologies SIGC14T60NCX1SA6 -
запросить цену
ECAD 6204 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править СИГК14 Стандартный Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1 300 В, 15 А, 18 Ом, 15 В ДНЯО 600 В 15 А 45 А 2,5 В @ 15 В, 15 А - 21 нс/110 нс
FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FQD5N40TM 0,4400
запросить цену
ECAD 157 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник QFET® Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252, (Д-Пак) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 400 В 3,4 А (Тс) 10 В 1,6 Ом @ 1,7 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 13 нк @ 10 В ±30 В 460 пФ при 25 В - 2,5 Вт (Та), 45 Вт (Тс)
SMP5460 InterFET СМП5460 -
запросить цену
ECAD 1264 0,00000000 ИнтерФЕТ СМП5460 Полоска Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-23-3 350 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается 4966-SMP5460 EAR99 8541.21.0095 1 P-канал 40 В 4пФ @ 15В 2 при мА 15 В 2 В @ 1 мкА 650 Ом
MRF5S9150HR5 Freescale Semiconductor МРФ5С9150HR5 83.1600
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 Свободный полупроводник - Масса Активный 68 В СОТ-957А МРФ5 880 МГц ЛДМОС НИ-780Х-2Л - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.39.0001 1 - 1,5 А 33 Вт 19,7 дБ - 28 В
IXTA15P15T IXYS ИКСТА15П15Т -
запросить цену
ECAD 5874 0,00000000 ИКСИС ТренчП™ Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ИКСТА15 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 P-канал 150 В 15А (Тс) 10 В 240 мОм при 7 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 48 НК при 10 В ±15 В 3650 пФ при 25 В - 150 Вт (Тс)
STH52N10LF3-2AG STMicroelectronics СТХ52Н10ЛФ3-2АГ -
запросить цену
ECAD 9734 0,00000000 СТМикроэлектроника СТРипФЕТ™ F3 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ STH52 МОП-транзистор (оксид металла) Х2Пак-2 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 В 52А (Тс) 5В, 10В 20 мОм при 26 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 18,5 НК при 5 В ±20 В 1900 пФ при 400 В - 110 Вт (Тс)
DMP6350S-7-52 Diodes Incorporated ДМП6350С-7-52 0,1516
запросить цену
ECAD 6741 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать 31-DMP6350S-7-52 EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 60 В 1,5 А (Та) 4,5 В, 10 В 350 мОм при 900 мА, 10 В 3 В @ 250 мкА 4,1 нк при 10 В ±20 В 206 пФ при 30 В - 720 МВт
DMN3066LQ-13 Diodes Incorporated DMN3066LQ-13 0,0648
запросить цену
ECAD 1044 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ДМН3066 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать REACH не касается 31-DMN3066LQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10 000 N-канал 30 В 3,6 А (Та) 2,5 В, 4,5 В 67 мОм при 2,5 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 4,1 нк при 4,5 В ±12 В 353 пФ при 10 В - 810 мВт (Та)
DMN2310UFB4-7B Diodes Incorporated ДМН2310УФБ4-7Б 0,0425
запросить цену
ECAD 4685 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-XFDFN ДМН2310 МОП-транзистор (оксид металла) X2-DFN1006-3 скачать REACH не касается 31-ДМН2310УФБ4-7БТР EAR99 8541.29.0095 10 000 N-канал 20 В 2,1 А (Та) 1,5 В, 4,5 В 175 мОм при 1 А, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 0,7 нк при 4,5 В ±8 В 38 пФ при 10 В - 710 мВт (Та)
2N7002-13-F-79 Diodes Incorporated 2Н7002-13-Ф-79 -
запросить цену
ECAD 7199 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2N7002 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 - 31-2Н7002-13-Ф-79 EAR99 8541.21.0095 1 N-канал 60 В 170 мА (Та) 5В, 10В 5 Ом при 500 мА, 10 В 2,5 В при 250 мкА 0,23 нк при 4,5 В ±20 В 50 пФ при 25 В - 370 мВт (Та)
CSD25201W15 Texas Instruments CSD25201W15 -
запросить цену
ECAD 6632 0,00000000 Техасские инструменты НексФЕТ™ Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 9-УФБГА, ДСБГА CSD25201 МОП-транзистор (оксид металла) 9-ДСБГА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 20 В 4А (Та) 1,8 В, 4,5 В 40 мОм при 2 А, 4,5 В 1,1 В @ 250 мкА 5,6 нк при 4,5 В -6В 510 пФ при 10 В - 1,5 Вт (Та)
FGA25S125P Fairchild Semiconductor ФГА25С125П -
запросить цену
ECAD 6471 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Трубка Устаревший Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 ФГА25С125 Стандартный 250 Вт ТО-3ПН скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 30 - Траншейная полевая остановка 1250 В 50 А 75 А 2,35 В @ 15 В, 25 А - 204 НК -
MMBTA42 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ММБТА42 0,1900
запросить цену
ECAD 6559 0,00000000 Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 350 мВт СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 3000 300 В 500 мА 500нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 2 мА, 20 мА 40 при 30 мА, 10 В 50 МГц
2N3819 NTE Electronics, Inc 2Н3819 1,7800
запросить цену
ECAD 583 0,00000000 НТЭ Электроникс, Инк. - Сумка Активный 25 В Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) - JFET ТО-92-3 скачать не соответствует RoHS 2368-2Н3819 EAR99 8541.21.0095 1 N-канал - - - -
ZXMN10A08E6TC Diodes Incorporated ZXMN10A08E6TC 0,2280
запросить цену
ECAD 3966 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-23-6 ZXMN10 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-26 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 10 000 N-канал 100 В 1,5 А (Та) 6В, 10В 250 мОм при 3,2 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 7,7 НК при 10 В ±20 В 405 пФ при 50 В - 1,1 Вт (Та)
JANTXV2N4234L Microchip Technology JANTXV2N4234L 45.9249
запросить цену
ECAD 3851 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка 1 Вт ТО-39 (ТО-205АД) - REACH не касается 150-JANTXV2N4234L 1 40 В 1 А 1 мА ПНП 600 мВ при 100 мА, 1 А 40 при 100 мА, 1 В -
KTC3198-GR-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation КТЦ3198-ГР-М0 А2Г -
запросить цену
ECAD 1916 год 0,00000000 Тайванская полупроводниковая корпорация - Лента и коробка (ТБ) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 500 мВт ТО-92 скачать REACH не касается 1801-KTC3198-GR-M0A2GTB УСТАРЕВШИЙ 1 50 В 150 мА 100нА (ИКБО) НПН 250 мВ при 10 мА, 100 мА 200 @ 150 мА, 6 В 80 МГц
AUIRFS8405 International Rectifier АУИРФС8405 1.2500
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Международный выпрямитель ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТО263-3 скачать EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 40 В 120А (Тс) 10 В 2,3 мОм при 100 А, 10 В 3,9 В @ 100 мкА 161 НК при 10 В ±20 В 5193 пФ при 25 В - 163 Вт (Тс)
FDW2506P onsemi FDW2506P -
запросить цену
ECAD 6293 0,00000000 онсеми PowerTrench® Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) FDW25 МОП-транзистор (оксид металла) 600мВт 8-ЦСОП скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 2500 2 P-канала (двойной) 20 В 5,3А 22 мОм при 5,3 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 34 НК при 4,5 В 1015пФ при 10В Ворота логического уровня
2SK1133-T2B-A Renesas Electronics America Inc 2СК1133-Т2Б-А -
запросить цену
ECAD 6909 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000
BC338 Fairchild Semiconductor BC338 0,0400
запросить цену
ECAD 8136 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 625 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0075 258 25 В 800 мА 100нА НПН 700 мВ при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 1 В 100 МГц
2N3499UB/TR Microchip Technology 2Н3499УБ/ТР 28.1250
запросить цену
ECAD 2187 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -65°С ~ 200°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-СМД, без свинца 1 Вт УБ - REACH не касается 150-2Н3499УБ/ТР EAR99 8541.29.0095 100 100 В 500 мА 10 мкА (ИКБО) НПН 600 мВ при 30 мА, 300 мА 100 при 150 мА, 10 В -
IGC99T120T8RLX1SA3 Infineon Technologies IGC99T120T8RLX1SA3 -
запросить цену
ECAD 1789 г. 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Активный Поверхностный монтаж Править IGC99T120 Стандартный Править скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 - Траншейная полевая остановка 1200 В 300 А 1,97 В при 15 В, 100 А - -
STD2LN60K3 STMicroelectronics СТД2ЛН60К3 0,9000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 СТМикроэлектроника СуперМЕШ3™ Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 СТД2ЛН60 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 В 2А (Тс) 10 В 4,5 Ом при 1 А, 10 В 4,5 В при 50 мкА 12 НК @ 10 В ±30 В 235 пФ при 50 В - 45 Вт (Тс)
ART1K6PHZ Ampleon USA Inc. АРТ1К6ФЗ -
запросить цену
ECAD 3926 0,00000000 Амплеон США Инк. ИСКУССТВО Поднос Активный 177 В Поверхностный монтаж ОМП-1230-4Г-1 АРТ1К6 1 МГц ~ 450 МГц ЛДМОС ОМП-1230-4Г-1 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 20 Двойной, общий источник 960нА 50 мА 1600 Вт 27,4 дБ - 55 В
DTC114EU3T106 Rohm Semiconductor DTC114EU3T106 0,2000
запросить цену
ECAD 28 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 DTC114 200 мВт УМТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 100 мА - NPN — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 10 кОм
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor FQU1N50TU 0,1700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник QFET® Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА МОП-транзистор (оксид металла) И-ПАК скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 5040 N-канал 500 В 1,1 А (Тс) 10 В 9 Ом при 550 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 5,5 НК при 10 В ±30 В 150 пФ при 25 В - 2,5 Вт (Та), 25 Вт (Тс)
IPP60R145CFD7XKSA1 Infineon Technologies ИПП60Р145CFD7XKSA1 4.2900
запросить цену
ECAD 9068 0,00000000 Инфинеон Технологии CoolMOS™ CFD7 Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 ИПП60Р145 МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТО220-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 16А (Тс) 10 В 145 мОм при 6,8 А, 10 В 4,5 В при 340 мкА 31 НК при 10 В ±20 В 1330 пФ при 400 В - 83 Вт (Тс)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе