SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Условия испытаний Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Время обратного восстановления (trr) Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Напряжение – Тест Напряжение – проба (В(BR)GSS) Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id Ток-отсечка коллектора (макс.) Сопротивление - RDS(Вкл.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Текущее потребление (Id) — Макс.
MRF6V2300NR5 Freescale Semiconductor МРФ6В2300НР5 -
запросить цену
ECAD 3789 0,00000000 Свободный полупроводник - Масса Активный 110 В ТО-270АБ МРФ6 220 МГц ЛДМОС ТО-270 ВБ-4 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.29.0075 1 - 900 мА 300 Вт 25,5 дБ - 50 В
IXTP20N65X2 IXYS IXTP20N65X2 5.0500
запросить цену
ECAD 279 0,00000000 ИКСИС Ультра Х2 Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 IXTP20 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 Непригодный REACH не касается 238-IXTP20N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 20А (Тс) 10 В 185 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 27 НК при 10 В ±30 В 1450 пФ при 25 В - 290 Вт (Тс)
AUIRF4905XKMA1 Infineon Technologies АУИРФ4905XKMA1 -
запросить цену
ECAD 4467 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший АУИРФ4905 - УСТАРЕВШИЙ 1
PJQ4466AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4466AP_R2_00001 0,5700
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN PJQ4466 МОП-транзистор (оксид металла) DFN3333-8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-PJQ4466AP_R2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 В 6А (Та), 33А (Тс) 4,5 В, 10 В 21 мОм при 15 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 28 НК при 10 В ±20 В 1680 пФ при 20 В - 2 Вт (Та), 44,6 Вт (Тс)
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies БСК004NE2LS5ATMA1 2,6400
запросить цену
ECAD 1416 0,00000000 Инфинеон Технологии Оптимос™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТДСОН-8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 25 В 40А (Та), 479А (Тс) 4,5 В, 10 В 0,45 мОм при 30 А, 10 В 2 В @ 10 мА 238 НК при 10 В ±20 В 11000 пФ при 12,5 В - 2,5 Вт (Та), 188 Вт (Тс)
FDS8958A Fairchild Semiconductor FDS8958A -
запросить цену
ECAD 9962 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Активный Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ФДС89 МОП-транзистор (оксид металла) 900мВт 8-СОИК скачать EAR99 8542.39.0001 1 N и P-канал 30 В 7А, 5А 28 мОм при 7 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 16 НК при 10 В 575 пФ при 15 В Ворота логического уровня
FQI6N60CTU Fairchild Semiconductor FQI6N60CTU 0,7000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник QFET® Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) И2ПАК (ТО-262) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 В 5,5 А (Тс) 10 В 2 Ом при 2,75 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 20 НК при 10 В ±30 В 810 пФ при 25 В - 125 Вт (Тс)
TF262TH-5-TL-H onsemi TF262TH-5-TL-H -
запросить цену
ECAD 8042 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-СМД, плоский вывод ТФ262 100 мВт ВТФП скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 8000 N-канал 3,5 пФ при 2 В 210 мкА при 2 В 200 мВ при 1 мкА 1 мА
BSC205N10LSG Infineon Technologies БСК205Н10ЛСГ 1,0000
запросить цену
ECAD 9423 0,00000000 Инфинеон Технологии Оптимос™ Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТДСОН-8-1 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 100 В 7,4 А (Та), 45 А (Тс) 4,5 В, 10 В 20,5 мОм при 45 А, 10 В 2,4 В @ 43 мкА 41 НК при 10 В ±20 В 2900 пФ при 50 В - 76 Вт (Тс)
BCX55 Yangjie Technology BCX55 0,0690
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 Технология Янцзе - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 500 мВт СОТ-89 - Соответствует RoHS REACH не касается 4617-BCX55TR EAR99 1000 60 В 1 А 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 500 мА 63 @ 150 мА, 2 В 130 МГц
HIP2060ASE Harris Corporation ХИП2060ASE 1,8300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Харрис Корпорейшн * Масса Активный ХИП2060 - - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8542.39.0001 1 -
IRG4IBC30WPBF-INF Infineon Technologies IRG4IBC30WPBF-INF 1,5600
запросить цену
ECAD 844 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет Стандартный 45 Вт ТО220 Полный пакет скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 0000.00.0000 1 480 В, 12 А, 23 Ом, 15 В - 600 В 17 А 92 А 2,7 В @ 15 В, 12 А 130 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) 51 НК 25 нс/99 нс
IRG4PH30KDPBF International Rectifier IRG4PH30KDPBF -
запросить цену
ECAD 7345 0,00000000 Международный выпрямитель - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 Стандартный 100 Вт ТО-247АС скачать Непригодный 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 0000.00.0000 1 800В, 10А, 23Ом, 15В 50 нс - 1200 В 20 А 40 А 4,2 В при 15 В, 10 А 950 мкДж (вкл.), 1,15 мДж (выкл.) 53 НК 39 нс/220 нс
SISS4409DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS4409DN-T1-GE3 1,3500
запросить цену
ECAD 4168 0,00000000 Вишай Силиконикс - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж PowerPAK® 1212-8S МОП-транзистор (оксид металла) PowerPAK® 1212-8S скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 6000 P-канал 40 В 17,2А (Та), 59,2А (Тс) 4,5 В, 10 В 9 мОм при 15 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 126 НК при 10 В ±20 В 5670 пФ при 20 В - 4,8 Вт (Та), 56,8 Вт (Тс)
HUF75345S3 onsemi HUF75345S3 -
запросить цену
ECAD 7505 0,00000000 онсеми УльтраФЕТ™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 75 венгерских форинтов МОП-транзистор (оксид металла) Д²ПАК (ТО-263) скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 400 N-канал 55 В 75А (Тс) 10 В 7 МОм при 75 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 275 НК при 20 В ±20 В 4000 пФ при 25 В - 325 Вт (Тс)
SPS9544QRLRP onsemi SPS9544QRLRP 1,0000
запросить цену
ECAD 8067 0,00000000 онсеми * Масса Активный - не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 2000 г.
MRF6P23190HR5 Freescale Semiconductor MRF6P23190HR5 150,9900
запросить цену
ECAD 38 0,00000000 Свободный полупроводник - Масса Устаревший 68 В Крепление на шасси НИ-1230 2,39 ГГц ЛДМОС НИ-1230 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0075 50 - 1,9 А 40 Вт 14 дБ - 28 В
BUK9540-100A,127 NXP Semiconductors БУК9540-100А,127 0,3300
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники ТренчМОС™ Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-БУК9540-100А,127-954 1 N-канал 100 В 39А (Тц) 4,5 В, 10 В 39 мОм при 25 А, 10 В 2 В при 1 мА 48 НК при 5 В ±15 В 3072 пФ при 25 В - 158 Вт (Тс)
EPC7014UBC EPC Space, LLC EPC7014UBC 199,9600
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ЭПК Спейс, ООО e-GaN® Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-СМД, без свинца ЕПК7014 GaNFET (нитрид галлия) 4-СМД - 1 (без блокировки) 4107-EPC7014UBC 0000.00.0000 169 N-канал 60 В 1А (Тс) 580 мОм при 1 А, 5 В 2,5 В @ 140 мкА +7В, -4В 22 пФ при 30 В - -
2SK3402-ZK-E1-AY Renesas 2SK3402-ЗК-Э1-АЙ 1,3800
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 Ренесас - Масса Устаревший 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 (МП-3З) - не соответствует RoHS REACH не касается 2156-2SK3402-ЗК-Е1-АЙ EAR99 8541.29.0075 1 N-канал 60 В 36А (Тс) 4В, 10В 15 мОм при 18 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 61 НК при 10 В ±20 В 3200 пФ при 10 В - 1 Вт (Та), 40 Вт (Тс)
2N4400TFR Fairchild Semiconductor 2Н4400ТФР 0,0200
запросить цену
ECAD 41 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 625 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 2000 г. 40 В 600 мА - НПН 750 мВ при 50 мА, 500 мА 50 при 150 мА, 1 В -
IPN60R2K1CE Infineon Technologies IPN60R2K1CE -
запросить цену
ECAD 3514 0,00000000 Инфинеон Технологии CoolMOS™ Масса Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-3 МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-СОТ223-3-1 скачать Непригодный 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 600 В 3,7 А (Тс) 10 В 2,1 Ом при 800 мА, 10 В 3,5 В @ 60 мкА 6,7 НК при 10 В ±20 В 140 пФ при 100 В - 5 Вт (Тс)
2N5740 Microchip Technology 2Н5740 37.1850 г.
запросить цену
ECAD 3462 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-213АА, ТО-66-2 35 Вт ТО-66 (ТО-213АА) - REACH не касается 150-2Н5740 EAR99 8541.29.0095 1 100 В 10 А - ПНП 500 мВ при 500 мкА, 5 мА - -
STH2N120K5-2AG STMicroelectronics СТХ2Н120К5-2АГ 4.5900
запросить цену
ECAD 7007 0,00000000 СТМикроэлектроника Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ СТХ2Н120 МОП-транзистор (оксид металла) Х2Пак-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 497-СТХ2Н120К5-2АГТР EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 1200 В 1,5 А (Тс) 10 В 10 Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 100 мкА 5,3 нк при 10 В ±30 В 124 пФ при 100 В - 60 Вт (Тс)
RFP45N03L Harris Corporation RFP45N03L 0,6700
запросить цену
ECAD 41 0,00000000 Харрис Корпорейшн - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 30 В 45А (Тс) 22 мОм при 45 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 60 НК при 10 В ±10 В 1650 пФ при 25 В - 90 Вт (Тс)
PSMN1R5-40YSDX Nexperia USA Inc. ПСМН1Р5-40YSDX 2.3100
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Нексперия США Инк. ТренчМОС™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 ПСМН1Р5 МОП-транзистор (оксид металла) ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 В 240А (Та) 10 В 1,5 мОм при 25 А, 10 В 3,6 В @ 1 мА 99 НК при 10 В ±20 В 7752 пФ при 20 В Диод Шоттки (корпус) 238 Вт (Та)
IXTA182N055T IXYS ИКСТА182N055T -
запросить цену
ECAD 2833 0,00000000 ИКСИС ТренчМВ™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ИКСТА182 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263АА скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 55 В 182А (Тс) 10 В 5 мОм при 25 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 114 НК при 10 В ±20 В 4850 пФ при 25 В - 360 Вт (Тс)
IRF820B Fairchild Semiconductor IRF820B 1,0000
запросить цену
ECAD 7283 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник * Масса Активный - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1
MQ2N5116UB/TR Microchip Technology MQ2N5116UB/ТР 75.7701
запросить цену
ECAD 2712 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500 Лента и катушка (TR) Активный -65°С ~ 200°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-СМД, без свинца 500 мВт УБ - REACH не касается 150-MQ2N5116UB/ТР 100 P-канал 30 В 27пФ при 15В 30 В 5 при мА 15 В 1 В при 1 нА 175 Ом
TPH3206LSGB Transphorm TPH3206LSGB -
запросить цену
ECAD 7726 0,00000000 Трансформировать - Поднос Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-PowerDFN GaNFET (нитрид галлия) 3-PQFN (8x8) скачать 3 (168 часов) 1707-TPH3206LSGB EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 16А (Тс) 180 мОм при 10 А, 8 В 2,6 В @ 500 мкА 6,2 НК при 4,5 В ±18 В 720 пФ при 480 В - 81 Вт (Тс)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе