запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Дискретные полупроводниковые изделия(49)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)
TPH3206LDG-TR	-	запросить цену	1119	Трансформировать	-	Поднос	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)		3-PQFN (8x8)	скачать			1707-TPH3206LDG-TR	EAR99	8541.29.0095	60		N-канал	600 В	17А (Ц)	8В	180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	96 Вт (Тс)
TP65H070LSG-TR	13.1200	запросить цену	12	Трансформировать	ТП65Х070Л	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)		3-PQFN (8x8)	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	500		N-канал	650 В	25А (Тс)	10 В	85 мОм при 16 А, 10 В	4,8 В @ 700 мкА	9,3 НК при 10 В	±20 В	600 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3206ПСБ	9.8100	запросить цену	1	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТПХ3206	GaNFET (нитрид галлия)		ТО-220АБ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	16А (Тс)	10 В	180 мОм при 10 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	6,2 НК при 4,5 В	±18 В	720 пФ при 480 В	-	81 Вт (Тс)
ТП65Х015Г5ВС	33.5400	запросить цену	274	Трансформировать	СуперГаН™	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3		GaNFET (нитрид галлия)		ТО-247-3	скачать		1 (без блокировки)	1707-TP65H015G5WS	EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	650 В	93А (Тс)	10 В	18 мОм при 60 А, 10 В	4,8 В при 2 мА	100 НК при 10 В	±20 В	5218 пФ при 400 В	-	266 Вт (Тс)
TPH3205WSB	-	запросить цену	3868	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3		GaNFET (нитрид галлия)		ТО-247-3	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	180		N-канал	650 В	36А (Тс)	10 В	60 мОм при 22 А, 8 В	2,6 В @ 700 мкА	42 НК при 8 В	±18 В	2200 пФ при 400 В	-	125 Вт (Тс)
TP65H050WS	18.5400	запросить цену	395	Трансформировать	-	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП65Х050	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)		ТО-247-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	650 В	34А (Тс)	12 В	60 мОм при 22 А, 10 В	4,8 В @ 700 мкА	24 НК при 10 В	±20 В	1000 пФ при 400 В	-	119 Вт (Тс)
ТПХ3202ЛД	-	запросить цену	3309	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	4-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)		4-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60		N-канал	600 В	9А (Тц)	10 В	350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В при 250 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	65 Вт (Тс)
ТПД3215М	-	запросить цену	1288	Трансформировать	-	Масса	Устаревший	-40°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	Модуль	ТПД3215	GaNFET (нитрид галлия)	470 Вт	Модуль	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	1	2 Н-канала (полумост)		600В	70А (Тс)		34 мОм при 30 А, 8 В	-	28 НК при 8 В		2260пФ при 100В	-
TP65H035G4WSQA	20.0900	запросить цену	426	Трансформировать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Трубка	Активный	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3		GaNFET (нитрид галлия)		ТО-247-3	скачать		3 (168 часов)	1707-TP65H035G4WSQA	EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	650 В	47,2А (Тс)	10 В	41 мОм при 30 А, 10 В	4,8 В @ 1 мА	22 НК при 10 В	±20 В	1500 пФ при 400 В	-	187 Вт (Тс)
TPH3205WSBQA	21.9300	запросить цену	4	Трансформировать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Трубка	Последняя покупка	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТПХ3205	GaNFET (нитрид галлия)		ТО-247-3	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	650 В	35А (Тс)	10 В	62 мОм при 22 А, 8 В	2,6 В @ 700 мкА	42 НК при 8 В	±18 В	2200 пФ при 400 В	-	125 Вт (Тс)
TP65H070G4LSGB-TR	11.3300	запросить цену	3891	Трансформировать	СуперГаН®	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerTDFN		GaNFET (нитрид галлия)		8-PQFN (8x8)	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)				3000		N-канал	650 В	29А (Тц)	10 В	85 мОм при 16 А, 10 В	4,6 В при 700 мкА	8,4 НК при 10 В	±20 В	600 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3202ПД	-	запросить цену	2776	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3		GaNFET (нитрид галлия)		ТО-220АБ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	600 В	9А (Тц)	10 В	350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В при 250 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	65 Вт (Тс)
ТП65Х150Г4ЛСГ-ТР	5.4800	запросить цену	2	Трансформировать	-	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	2-PowerTSFN		GaNFET (нитрид галлия)		2-PQFN (8x8)	-	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	650 В	13А (Тс)	10 В	180 мОм при 8,5 А, 10 В	4,8 В при 500 мкА	8 НК при 10 В	±20 В	598 пФ при 400 В	-	52 Вт (Тс)
TP65H050WSQA	19.7300	запросить цену	73	Трансформировать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Трубка	Активный	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП65Х050	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)		ТО-247-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	1707-TP65H050WSQA	EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	650 В	36А (Тс)	10 В	60 мОм при 25 А, 10 В	4,8 В @ 700 мкА	24 НК при 10 В	±20 В	1000 пФ при 400 В	-	150 Вт (Тс)
ТП65Х050Г4БС	13.0300	запросить цену	425	Трансформировать	СуперГаН®	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ	ТП65Х050	GaNFET (нитрид галлия)		ТО-263	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)	1707-TP65H050G4BS	EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	34А (Тс)	10 В	60 мОм при 22 А, 10 В	4,8 В @ 700 мкА	24 НК при 10 В	±20 В	1000 пФ при 400 В	-	119 Вт (Тс)
ТПХ3212ПС	-	запросить цену	8548	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТПХ3212	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)		ТО-220АБ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	27А (Тц)	10 В	72 мОм при 17 А, 8 В	2,6 В при 400 мкА	14 НК @ 8 В	±18 В	1130 пФ при 400 В	-	104 Вт (Тс)
TP65H150BG4JSG-TR	4.1600	запросить цену	5640	Трансформировать	СуперГаН®	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerTDFN		GaNFET (нитрид галлия)		8-PQFN (5x6)	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)				4000		N-канал	650 В	16А (Тс)	6В	180 мОм при 10 А, 6 В	2,8 В @ 500 мкА	4,9 нк при 10 В	±10 В	400 пФ при 400 В	-	83 Вт (Тс)
TP65H035WS	20.7700	запросить цену	879	Трансформировать	-	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП65Х035	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)		ТО-247-3	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	30		N-канал	650 В	46,5 А (Тс)	12 В	41 мОм при 30 А, 10 В	4,8 В @ 1 мА	36 НК при 10 В	±20 В	1500 пФ при 400 В	-	156 Вт (Тс)
ТПХ3206ЛД	-	запросить цену	3473	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	4-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)		ПКФН (8х8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60		N-канал	600 В	17А (Ц)	10 В	180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	96 Вт (Тс)