- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Дискретные полупроводниковые изделия(87)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | ВГС (Макс) | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | P3D06008F2 | 3.3300 |  | 6959 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-220Ф-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220Ф-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P3D06008F2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 36 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 18А | ||||||||||||||
 | P3D06010F2 | 4.1600 | | 5570 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-220Ф-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220Ф-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д06010Ф2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 44 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 21А | ||||||||||||||
 | P3D06016I2 | 7.7800 | | 2155 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-220И-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220И-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д06016И2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 45 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 28А | ||||||||||||||
 | P3D12020GS | 12.4100 | | 9668 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-263С | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-263С | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д12020ГСТР | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 60 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 50А | ||||||||||||||
 | P3D06004E2 | 2.1000 | | 8434 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-252-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-252-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P3D06004E2TR | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 20 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 12А | ||||||||||||||
 | П3М171К0Ф3 | 6.1000 | | 2987 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220Ф-2 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-220Ф-2Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М171К0Ф3 | 1 | N-канал | 1700 В | 5,5 А | 15 В | 1,4 Ом при 2 А, 15 В | 2,2 В @ 2 мА (тип.) | +19В, -8В | - | 51 Вт | |||||||||
 | P3D06006I2 | 2.5000 | | 8790 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-220И-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220И-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д06006И2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 30 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 18А | ||||||||||||||
 | П3М173К0Т3 | 5.0800 | | 8943 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-220-2Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М173К0Т3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 1700 В | 4А | 15 В | 2,6 Ом при 600 мА, 15 В | 2,2 В при 600 мкА (тип.) | +19В, -8В | - | 75 Вт | |||||||
 | P3M17040K4 | 35.8600 | | 4762 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М17040К4 | 1 | N-канал | 1700 В | 73А | 15 В | 60 мОм при 50 А, 15 В | 2,2 В при 50 мА (тип.) | +19В, -8В | - | 536 Вт | |||||||||
 | P3D12005E2 | 4.5000 | | 1816 г. | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-252-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-252-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P3D12005E2TR | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 44 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 19А | ||||||||||||||
 | P6D12002E2 | 2,6900 | | 9835 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | P6D | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-252-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-252-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P6D12002E2TR | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 50 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 8А | ||||||||||||||
 | P3M06060K4 | 10.3800 | | 7995 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М06060К4 | 1 | N-канал | 650 В | 48А | 15 В | 79 мОм при 20 А, 15 В | 2,4 В @ 5 мА (тип.) | +20В, -8В | - | 188 Вт | |||||||||
 | P3M06300D8 | 4.9800 | | 7160 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ДФН8*8 | SiCFET (карбид кремния) | ДФН8*8 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М06300Д8ТР | 1 | N-канал | 650 В | 9А | 15 В | 500 мОм при 4,5 А, 15 В | 2,2 В @ 5 мА | +20В, -8В | - | 32 Вт | |||||||||
 | P3D06020F2 | 8.8400 | | 7762 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-220Ф-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220Ф-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д06020Ф2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 50 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 29А | ||||||||||||||
 | P3D06002G2 | 2.1000 | | 4224 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-263-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-263-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P3D06002G2TR | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 10 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 7А | ||||||||||||||
 | P3D06040K3 | 13.8400 | | 2820 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | P6D | Трубка | Активный | ТО-247-3 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-247-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д06040К3 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 100 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 106А | ||||||||||||||
 | P3D06006G2 | 2.5000 | | 3063 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-263-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-263-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P3D06006G2TR | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 30 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 21А | ||||||||||||||
 | П3М173К0К3 | 5.0800 | | 6554 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-3Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М173К0К3 | 1 | N-канал | 1700 В | 4А | 15 В | 3,6 Ом при 600 мА, 15 В | 2,2 В при 600 мкА (тип.) | +19В, -8В | - | 63 Вт | |||||||||
 | П3М171К0Г7 | 6.1000 | | 7429 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | SiCFET (карбид кремния) | Д2ПАК-7 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М171К0Г7 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 1700 В | 7А | 15 В | 1,4 Ом при 2 А, 15 В | 2,2 В @ 2 мА (тип.) | +19В, -8В | - | 100 Вт | |||||||
 | P3D12030K2 | 14.9200 | | 2635 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-247-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-247-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д12030К2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 65 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 57А | ||||||||||||||
 | P3M06300T3 | 4.9800 | | 7695 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-220-2Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М06300Т3 | 1 | N-канал | 650 В | 9А | 15 В | 500 мОм при 4,5 А, 15 В | 2,2 В @ 5 мА | +20В, -8В | - | 35 Вт | |||||||||
 | П3М12025К3 | 28.7400 | | 2069 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-3Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М12025К3 | 1 | N-канал | 1200 В | 113А | 15 В | 35 мОм при 50 А, 15 В | 2,4 В @ 17,7 мА (тип.) | +21В, -10В | - | 524 Вт | |||||||||
 | P3M12025K4 | 28.7400 | | 30 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М12025К4 | 1 | N-канал | 1200 В | 112А | 15 В | 35 мОм при 50 А, 15 В | 2,2 В при 50 мА (тип.) | +19В, -8В | - | 577 Вт | |||||||||
 | П3М12160К3 | 8.8300 | | 8824 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-3Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М12160К3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 1200 В | 19А | 15 В | 192 мОм при 10 А, 15 В | 2,4 В @ 2,5 мА (тип.) | +21В, -8В | - | 110 Вт | |||||||
 | П3М12160К4 | 8.8300 | | 9289 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М12160К4 | 1 | N-канал | 1200 В | 19А | 15 В | 192 мОм при 10 А, 15 В | 2,4 В @ 2,5 мА (тип.) | +21В, -8В | - | 110 Вт | |||||||||
 | P3D12040K3 | 18.7200 | | 4655 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-247-3 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-247-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д12040К3 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 60 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 92А | ||||||||||||||
 | P3D12005T2 | 4.5000 | | 9356 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Трубка | Активный | ТО-220-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-220-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д12005Т2 | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 44 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 21А | ||||||||||||||
 | P3D12010G2 | 6.5400 | | 7423 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-263-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-263-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3Д12010Г2ТР | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200 В | 0 нс | 50 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 33А | ||||||||||||||
 | P3M06060T3 | 10.3800 | | 8146 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3М | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-2 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-220-2Л | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-П3М06060Т3 | 1 | N-канал | 650 В | 46А | 15 В | 79 мОм при 20 А, 15 В | 2,2 В при 20 мА (тип.) | +20В, -8В | - | 170 Вт | |||||||||
 | P3D06002E2 | 0,9100 | | 5306 | 0,00000000 | Полупроводниковый ПН-переход | П3Д | Лента и катушка (TR) | Активный | ТО-252-2 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ТО-252-2 | скачать | Соответствует ROHS3 | Затронуто REACH | 4237-P3D06002E2TR | 1 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 650 В | 0 нс | 10 мкА при 650 В | -55°С ~ 175°С | 9А |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)