SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io)
P3D06008G2 PN Junction Semiconductor P3D06008G2 3.3300
запросить цену
ECAD 6822 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-263-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06008G2TR 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 36 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 26А
P3D12015K2 PN Junction Semiconductor P3D12015K2 10.8700
запросить цену
ECAD 8920 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12015К2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 40А
P3M12080K3 PN Junction Semiconductor П3М12080К3 11.9000
запросить цену
ECAD 1973 год 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12080К3 1 N-канал 1200 В 47А 15 В 96 мОм при 20 А, 15 В 2,4 В @ 5 мА (тип.) +21В, -8В - 221 Вт
P3M173K0F3 PN Junction Semiconductor П3М173К0Ф3 5.0800
запросить цену
ECAD 8624 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220Ф-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220Ф-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М173К0Ф3 1 N-канал 1700 В 1,97А 15 В 3,6 Ом при 0,25 А, 15 В 2,2 В @ 1,5 мА (тип.) +19В, -8В - 19 Вт
P3M06025K4 PN Junction Semiconductor P3M06025K4 15.9000
запросить цену
ECAD 5048 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06025К4 1 N-канал 650 В 97А 15 В 34 мОм при 50 А, 15 В 2,2 В при 50 мА (тип.) +20В, -8В - 326 Вт
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
запросить цену
ECAD 4032 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДФН5*6 SiCFET (карбид кремния) ДФН5*6 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06300Д5ТР 1 N-канал 650 В 15 В 500 мОм при 4,5 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 26 Вт
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
запросить цену
ECAD 7390 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060Г7ТР EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 44А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 20 мА (тип.) +20В, -8В - 159 Вт
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
запросить цену
ECAD 8324 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040Г7ТР 1 N-канал 1200 В 69А 15 В 53 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +19В, -8В - 357 Вт
P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4 12.1700
запросить цену
ECAD 2233 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06040К4 1 N-канал 650 В 68А 15 В 50 мОм при 40 А, 15 В 2,4 В @ 7,5 мА (тип.) +20В, -8В - 254 Вт
P3M171K0T3 PN Junction Semiconductor П3М171К0Т3 6.1000
запросить цену
ECAD 9441 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К0Т3 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 100 Вт
P3D06016GS PN Junction Semiconductor P3D06016GS 7.7800
запросить цену
ECAD 9820 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-263С SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263С скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06016GSTR 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 45 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 40А
P3D06010T2 PN Junction Semiconductor P3D06010T2 4.1600
запросить цену
ECAD 7698 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06010T2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 30А
P3D12010K2 PN Junction Semiconductor P3D12010K2 6.5400
запросить цену
ECAD 7474 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12010К2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 31А
P3M17040K3 PN Junction Semiconductor P3M17040K3 35.8600
запросить цену
ECAD 3652 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М17040К3 1 N-канал 1700 В 73А 15 В 60 мОм при 50 А, 15 В 2,2 В при 50 мА (тип.) +19В, -8В - 536 Вт
P3D12030K3 PN Junction Semiconductor P3D12030K3 14.9200
запросить цену
ECAD 9128 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12030К3 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 94А
P3M06060L8 PN Junction Semiconductor P3M06060L8 10.3800
запросить цену
ECAD 5762 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж SiCFET (карбид кремния) ПОТЕРИ скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060Л8ТР 1 N-канал 650 В 40А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,4 В @ 5 мА (тип.) +20В, -8В - 188 Вт
P3M06120T3 PN Junction Semiconductor P3M06120T3 9.0500
запросить цену
ECAD 8880 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06120Т3 1 N-канал 650 В 29А 15 В 158 мОм при 10 А, 15 В 2,2 В при 5 мА (тип.) +20В, -8В - 153 Вт
P3D06016K3 PN Junction Semiconductor P3D06016K3 7.7800
запросить цену
ECAD 2736 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06016К3 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 36 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 64А
P3M06300K3 PN Junction Semiconductor P3M06300K3 4.9800
запросить цену
ECAD 3261 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06300К3 1 N-канал 650 В 15 В 500 мОм при 4,5 А, 15 В 2,2 В при 5 мА (тип.) 904 НК при 15 В +20В, -8В 338 пФ при 400 В - 38 Вт
P3D12010T2 PN Junction Semiconductor P3D12010T2 6.5400
запросить цену
ECAD 6876 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12010Т2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 31А
P3D12040K2 PN Junction Semiconductor P3D12040K2 18.7200
запросить цену
ECAD 1468 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12040К2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 70 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 93А
P3D06006E2 PN Junction Semiconductor P3D06006E2 2.5000
запросить цену
ECAD 4528 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-252-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06006E2TR 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 18А
P3D06020K3 PN Junction Semiconductor P3D06020K3 8.8400
запросить цену
ECAD 2386 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06020К3 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 82А
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor П3М171К0К3 6.1000
запросить цену
ECAD 5311 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К0К3 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 68 Вт
P3D06010I2 PN Junction Semiconductor P3D06010I2 4.1600
запросить цену
ECAD 8136 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220И-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220И-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06010И2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 26А
P3D06008T2 PN Junction Semiconductor P3D06008T2 3.3300
запросить цену
ECAD 7218 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06008T2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 36 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 26А
P3D12015T2 PN Junction Semiconductor P3D12015T2 10.8700
запросить цену
ECAD 3041 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12015Т2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 34А
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе