SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИПВ Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ИСЛОВЕЕ ИСПАН Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
NTE6121 NTE Electronics, Inc NTE6121 239 3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Зaжimatth Do-200ab, b-puk Станода Do-200ab СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6121 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,93 Е @ 3770 А 30 май @ 1600 -30 ° C ~ 175 ° C. 1625. -
NTE5811 NTE Electronics, Inc NTE5811 14.2000
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5811 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,26 В 38 А 12 май @ 1200 -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
NTE11 NTE Electronics, Inc NTE11 1.7500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 м Создание 92 СКАХАТА Rohs 2368-NTE11 Ear99 8541.21.0095 1 20 5 а 100NA (ICBO) Npn 1V @ 100ma, 3a 340 @ 500ma, 2v 150 мг
NTE6034 NTE Electronics, Inc NTE6034 15,6000
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6034 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 320 1,4 - @ 60 a 10 май @ 320 -65 ° C ~ 175 ° C. 60A -
1N5248B NTE Electronics, Inc 1n5248b 0,1200
RFQ
 ECAD 378 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м - СКАХАТА Rohs3 2368-1N5248b Ear99 8541.10.0050 1 100 na @ 14 v 18 21
NTE3300 NTE Electronics, Inc NTE3300 7.1600
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 30 st TO-220 Full Pack СКАХАТА Rohs 2368-NTE3300 Ear99 8541.29.0095 1 - - 400 10 а 130 а 8 В @ 20 В, 130a - 150NS/450NS
RGP30M NTE Electronics, Inc RGP30M 1.1000
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 NTE Electronics, Inc. RGP30 Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-RGP30M Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 - 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
NTE5012A NTE Electronics, Inc NTE5012A 0,7900
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5012A Ear99 8541.10.0050 1 6в 7 О
2N6668 NTE Electronics, Inc 2N6668 1.7300
RFQ
 ECAD 791 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 65 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6668 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 3v @ 100ma, 10a 1000 @ 5a, 3v -
NTE5190A NTE Electronics, Inc NTE5190A 12.8800
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5190A Ear99 8541.10.0050 1 14 3 О
NTE5901 NTE Electronics, Inc NTE5901 11.5500
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5901 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,23 В @ 50 a 12 май @ 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
NTE2546 NTE Electronics, Inc NTE2546 2.0100
RFQ
 ECAD 693 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,75 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2546 Ear99 8541.29.0095 1 60 5 а 100 мк (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 - @ 5MA, 2,5A 2000 @ 2,5A, 2V 200 мг
BUX48 NTE Electronics, Inc Bux48 5.4600
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI TO-204AA, TO-3 175 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 2368 Bux48 Ear99 8541.29.0095 1 400 15 а 200 мк Npn 5V @ 3a, 15a - -
NTE5269A NTE Electronics, Inc NTE5269A 26.8600
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5269A Ear99 8541.10.0050 1 33 В 3.2 ОМ
NTE6200 NTE Electronics, Inc NTE6200 9.0700
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 Станода По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE6200 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 1,4 w @ 15 a 200 млн 5 мая @ 200 -65 ° С ~ 150 ° С.
MJE4343 NTE Electronics, Inc MJE4343 42000
RFQ
 ECAD 329 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт SOT-93 СКАХАТА Rohs 2368-MJE4343 Ear99 8541.29.0095 1 160 16 а 750 мка Npn 3,5 - @ 2a, 16a 15 @ 8a, 2v 1 мг
NTE6083 NTE Electronics, Inc NTE6083 1,6000
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220-2 СКАХАТА Rohs 2368-NTE6083 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 840 мВ @ 20 a 100 мка 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
1N5267B NTE Electronics, Inc 1n5267b 0,1800
RFQ
 ECAD 4278 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м - СКАХАТА Rohs 2368-1N5267b Ear99 8541.10.0050 1 100 na @ 56 75 270
NTE5998 NTE Electronics, Inc NTE5998 13,9000
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5998 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,3 - @ 40 a 9 май @ 800 В -65 ° C ~ 190 ° C. 40a -
NTE534 NTE Electronics, Inc NTE534 24.0000
RFQ
 ECAD 4966 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ШASCI Модул Станода Модул СКАХАТА Rohs 2368-NTE534 Ear99 8541.10.0080 1 - 3 -й - -
2N5430 NTE Electronics, Inc 2N5430 28.1900
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 40 126 СКАХАТА Rohs3 2368-2N5430 Ear99 8541.29.0095 1 100 7 а - Npn - - 30 мг
NTE5029A NTE Electronics, Inc NTE5029A 0,7900
RFQ
 ECAD 308 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5029A Ear99 8541.10.0050 1 20 25 ОМ
NTE5005A NTE Electronics, Inc NTE5005A 0,9200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5005A Ear99 8541.10.0050 1 3.3в 28 ОМ
1N5818 NTE Electronics, Inc 1n5818 0,2800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-41 СКАХАТА Rohs3 2368-1N5818 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 500 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
NTE5072A NTE Electronics, Inc NTE5072A 0,6000
RFQ
 ECAD 636 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5072A Ear99 8541.10.0050 1 8,2 В. 4,5 ОМ
NTE5051A NTE Electronics, Inc NTE5051A 0,6800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5051A Ear99 8541.10.0050 1 110 750 ОМ
NTE5245AK NTE Electronics, Inc NTE5245AK 40,4000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5245AK Ear99 8541.10.0050 1 6в 0,13 О
NTE5117A NTE Electronics, Inc NTE5117A 1,3000
RFQ
 ECAD 484 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй 5 Вт ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5117A Ear99 8541.10.0050 1 5,6 В. 1 О
1N5820 NTE Electronics, Inc 1n5820 0,5200
RFQ
 ECAD 1086 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 2368-1N5820 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 475 мВ @ 3 a 500 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 3A 190pf @ 4V, 1 мгха
NTE116-100 NTE Electronics, Inc NTE116-100 49,6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs 2368-NTE116-100 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть