SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Current - Hold (IH) (MMAKS) Прирост ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - nan -coStoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
NTE156 NTE Electronics, Inc NTE156 0,9800
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE156 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A 40pf @ 4V, 1 мгест
2N3440 NTE Electronics, Inc 2N3440 2.1800
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-2N3440 Ear99 8541.29.0095 1 250 1 а - Npn - - -
NTE56039 NTE Electronics, Inc NTE56039 1.5600
RFQ
 ECAD 205 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 125 ° C (TJ) Чereз dыru SOT-82 SOT-82 СКАХАТА Rohs 2368-NTE56039 Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 15 май ЛОГИКА 600 4 а 1,5 В. 25А, 27а 10 май
UF5402 NTE Electronics, Inc UF5402 0,6400
RFQ
 ECAD 154 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-UF5402 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк. - 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
NTE5118A NTE Electronics, Inc NTE5118A 1,3000
RFQ
 ECAD 223 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 5 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5118A Ear99 8541.10.0050 1 6в 1 О
NTE5576 NTE Electronics, Inc NTE5576 94.6400
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Стало TO-209AC, TO-94-4, STAD Создание 94 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5576 Ear99 8541.30.0080 1 600 май 600 175 А. 3 В 2450a, 2695a 150 май 1,57 110 а 20 май Станодано
1N5348B NTE Electronics, Inc 1n5348b 0,7600
RFQ
 ECAD 801 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N5348b Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 5 мка @ 8,4 11 2,5 ОМ
NTE5097A NTE Electronics, Inc NTE5097A 0,9100
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5097A Ear99 8541.10.0050 1 120 700 ОМ
TIP30B NTE Electronics, Inc TIP30B 0,8400
RFQ
 ECAD 364 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-tip30b Ear99 8541.29.0095 1 80 1 а 300 мк Pnp 700 мВ @ 125ma, 1a 40 @ 200 май, 4 В 3 мг
NTE6032 NTE Electronics, Inc NTE6032 19.6600
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6032 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,95 В @ 125 А 1 мкс 100 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 40a -
NTE5924 NTE Electronics, Inc NTE5924 14.1000
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5924 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,23 Е @ 63 А 12 май @ 600 -65 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
NTE395 NTE Electronics, Inc NTE395 4.5500
RFQ
 ECAD 104 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN BAN 225 м 122 СКАХАТА Rohs 2368-NTE395 Ear99 8541.21.0095 1 16 дБ 25 В 50 май Pnp 20 @ 10ma, 10 В 2,3 -е 2,5db ~ 4 дБ пр. 200 мг ~ 800 мг.
NTE5252AK NTE Electronics, Inc NTE5252AK 26.8600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5252AK Ear99 8541.10.0050 1 10 0,6 ОМ
NTE5836 NTE Electronics, Inc NTE5836 5.4600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5836 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,2 V @ 3 a 10 мк @ 300 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
TIP36A NTE Electronics, Inc TIP36A 3.3200
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-TIP36A Ear99 8541.29.0095 1 60 25 а - Pnp - 10 @ 15a, 4v 3 мг
NTE586 NTE Electronics, Inc NTE586 1,9000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй DO-27 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE586 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 1 май @ 40 -65 ° C ~ 125 ° C. 3A 110pf @ 4V, 1 мгновение
NTE120 NTE Electronics, Inc NTE120 1.2800
RFQ
 ECAD 939 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru 7-sip sformirovaliLILIDы Станода 7-sip СКАХАТА Rohs 2368-NTE120 Ear99 8541.10.0080 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 10 85 ° C (MMAKS) 65 май -
GI858/MR858 NTE Electronics, Inc GI858/MR858 0,4400
RFQ
 ECAD 3967 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-GI858/MR858 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,25 В @ 3 a 200 млн 10 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
1N5241B NTE Electronics, Inc 1n5241b 0,1200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м - СКАХАТА Rohs3 2368-1N5241b Ear99 8541.10.0050 1 2 мка 4,4 11 22 ОМ
NTE2582 NTE Electronics, Inc NTE2582 7.1800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2582 Ear99 8541.29.0095 1 400 12 а 10 мк (ICBO) Npn 800 мВ @ 1.6a, 8a 20 @ 1.6a, 5 20 мг
NTE5069A NTE Electronics, Inc NTE5069A 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5069A Ear99 8541.10.0050 1 4,7 В. 8 О
NTE5452 NTE Electronics, Inc NTE5452 1.0100
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru TO-202 Long Tab До 202 года СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5452 Ear99 8541.30.0000 1 3 мая 30 4 а 800 м 20А @ 60 г -джист 200 мк 2,2 В. 100 мк Чywytelnhe
1N965B NTE Electronics, Inc 1n965b 0,1100
RFQ
 ECAD 977 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй 500 м ДО-7 СКАХАТА Rohs3 2368-1N965b Ear99 8541.10.0050 1 1,1 - @ 200 Ма 5 мк. 15 16 ОМ
NTE283 NTE Electronics, Inc NTE283 12.8200
RFQ
 ECAD 289 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 100 y По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE283 Ear99 8541.29.0095 1 325 10 а 1MA Npn 3,3 - @ 2,5a, 8a 15 @ 2,5A, 10 В 10 мг
NTE324 NTE Electronics, Inc NTE324 4,5000
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE324 Ear99 8541.21.0095 1 120 1 а 10 мк Npn 2 w @ 200 май, 1а 40 @ 250 май, 2 В 30 мг
NTE5253AK NTE Electronics, Inc NTE5253AK 26.8600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5253AK Ear99 8541.10.0050 1 11 0,8 ОМ
NTE5284A NTE Electronics, Inc NTE5284A 26.8600
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5284A Ear99 8541.10.0050 1 91 15 О
NTE5215AK NTE Electronics, Inc NTE5215AK 12.8800
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5215AK Ear99 8541.10.0050 1 68 В 18 О
NTE56066 NTE Electronics, Inc NTE56066 3.2200
RFQ
 ECAD 564 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 125 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-NTE56066 Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 60 май Станода 600 16 а 1,5 В. 140a, 150a 50 май
NTE5186AK NTE Electronics, Inc NTE5186AK 12.8800
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5186AK Ear99 8541.10.0050 1 10 3 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть