SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТИП СКР На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
NTE5967 NTE Electronics, Inc NTE5967 6.2200
RFQ
 ECAD 8019 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ШASCI Прет Станода Прет СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5967 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,7 В @ 57 А 1 мая @ 800 -65 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
NTE2396A NTE Electronics, Inc NTE2396A 1.7400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2396A Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 33a (TC) 10 В 44mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 71 NC @ 10 V ± 20 В. 1960 PF @ 25 V - 130 Вт (TC)
NTE6071 NTE Electronics, Inc NTE6071 -
RFQ
 ECAD 7137 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6071 Ear99 8541.30.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,15 w @ 200 a 2 мая @ 1600 -65 ° C ~ 190 ° C. 85а -
NTE6069 NTE Electronics, Inc NTE6069 18.4700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6069 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,25 Е @ 20 мая 2 мая @ 800 -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
NTE6064 NTE Electronics, Inc NTE6064 16.7000
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6064 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,25 Е @ 20 мая 2 мая @ 600 -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
NTE5210AK NTE Electronics, Inc NTE5210AK 12.8800
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5210AK Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 2 a 10 мк @ 38,8 51 15 О
NTE2327 NTE Electronics, Inc NTE2327 3.1300
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 20 Вт 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2327 Ear99 8541.29.0095 1 450 500 май 100 мк Npn 1 В @ 20 май, 200 мая 50 @ 50 мА, 5 В 20 мг
UF4002 NTE Electronics, Inc UF4002 0,1900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF400 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs 2368-UF4002 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
1N970B NTE Electronics, Inc 1n970b 0,1700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-1N970b Ear99 8541.10.0050 1 5 мк. 24 33 О
NTE5991 NTE Electronics, Inc NTE5991 7.1000
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5991 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,3 - @ 40 a 15 май @ 400 -65 ° C ~ 190 ° C. 40a -
1N4756A NTE Electronics, Inc 1n4756a 0,1400
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N4756A Ear99 8541.10.0050 1 5 мка @ 35,8 47 В 80 ОМ
NTE2340 NTE Electronics, Inc NTE2340 2.5800
RFQ
 ECAD 238 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 1,3 3-sip СКАХАТА Rohs 2368-NTE2340 Ear99 8541.29.0095 1 60 8 а 100 мк (ICBO) Npn - дарлино 1,5 - @ 8ma, 4a 2000 @ 4a, 3v 20 мг
NTE156A NTE Electronics, Inc NTE156A 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода DO-27 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE156A Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 V @ 3 a 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
NTE5148A NTE Electronics, Inc NTE5148A 1,3000
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 5 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5148A Ear99 8541.10.0050 1 56 35 ОМ
NTE53018 NTE Electronics, Inc NTE53018 6.0000
RFQ
 ECAD 113 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата Станода - СКАХАТА Rohs3 2368-NTE53018 Ear99 8541.10.0070 1 1.1 V @ 25 A 50 мк. 50 а ОДИНАНАНА 600
1N4757A NTE Electronics, Inc 1n4757a 0,1400
RFQ
 ECAD 474 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N4757a Ear99 8541.10.0050 1 5 мка @ 38,8 51 95 ОМ
NTE2344 NTE Electronics, Inc NTE2344 2.1500
RFQ
 ECAD 627 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2344 Ear99 8541.29.0095 1 120 12 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 3v @ 100ma, 10a 1000 @ 3a, 3v -
1N4764A NTE Electronics, Inc 1n4764a 0,2400
RFQ
 ECAD 492 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N4764a Ear99 8541.10.0050 1 5 мка прри 76 100 350 ОМ
1N4763A NTE Electronics, Inc 1n4763a 0,2400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N4763a Ear99 8541.10.0050 1 5 мк. 91 250 ОМ
NTE116-100 NTE Electronics, Inc NTE116-100 49,6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs 2368-NTE116-100 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
NTE5302 NTE Electronics, Inc NTE5302 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5302 Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 мк -400 8 а ОДИНАНАНА 1 к
RGP30M NTE Electronics, Inc RGP30M 1.1000
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 NTE Electronics, Inc. RGP30 Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-RGP30M Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 - 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
1N4752A NTE Electronics, Inc 1n4752a 0,1400
RFQ
 ECAD 178 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N4752A Ear99 8541.10.0050 1 5 мк. 33 В 45 ОМ
NTE5580 NTE Electronics, Inc NTE5580 125 2700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Стало TO-209AB, TO-93-4, STAD О 93 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5580 Ear99 8541.10.0080 1 200 275 а 3 В 3200, 3500A 150 май 1,7 150 А. Станодано
NTE159-5 NTE Electronics, Inc NTE159-5 7.4400
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs 2368-NTE159-5 Ear99 8541.21.0095 1 80 800 млн 50na (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 50 @ 10ma, 10 В -
NTE5018SM NTE Electronics, Inc NTE5018SM 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 300 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5018SM Ear99 8541.10.0050 1 9.1.
NTE53001 NTE Electronics, Inc NTE53001 1.9900
RFQ
 ECAD 664 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Станода СКАХАТА Rohs3 2368-NTE53001 Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 5 A 10 мк. 8 а ОДИНАНАНА 600
NTE5019A NTE Electronics, Inc NTE5019A 0,7900
RFQ
 ECAD 487 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5019A Ear99 8541.10.0050 1 10 17 О
NTE5215AK NTE Electronics, Inc NTE5215AK 12.8800
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5215AK Ear99 8541.10.0050 1 68 В 18 О
NTE5015A NTE Electronics, Inc NTE5015A 0,7900
RFQ
 ECAD 434 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5015A Ear99 8541.10.0050 1 7,5 В. 6 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть