SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BU406D NTE Electronics, Inc BU406D 3.0600
RFQ
 ECAD 192 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 60 ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-Bu406d Ear99 8541.29.0095 1 200 7 а 15 май Npn 1V @ 650MA, 5A 15 @ 2a, 5в 10 мг
NTE5511 NTE Electronics, Inc NTE5511 10,8000
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5511 Ear99 8541.30.0000 1 20 май 200 5 а 2 V. 60a @ 60 gц 15 май 3.2 A Станодано
NTE5902 NTE Electronics, Inc NTE5902 12.1800
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5902 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,23 В @ 50 a 12 май @ 500 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
TIP141 NTE Electronics, Inc TIP141 2.5600
RFQ
 ECAD 512 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-TIP141 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а - Npn - 1000 @ 5a, 4v -
NTE6356 NTE Electronics, Inc NTE6356 68.1300
RFQ
 ECAD 4416 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-9, Stud Станода DO-9 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6356 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 40 май @ 600 -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
NTE5621 NTE Electronics, Inc NTE5621 3.8500
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Чereз dыru TO-225AB, 127-3 127 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5621 Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 50 май Станода 25 В 10 а 2 V. 100a @ 60 gц 50 май
NTE5429 NTE Electronics, Inc NTE5429 9.0600
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5429 Ear99 8541.30.0000 1 50 май 600 7 а 1,5 В. 80a @ 60 gц 25 май 2 V. 1 млн лейт Станодано
NTE5808 NTE Electronics, Inc NTE5808 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода DO-27 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5808 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,2 - @ 9,4 а 500 мк -при 800 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
NTE5999 NTE Electronics, Inc NTE5999 13,9000
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5999 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,3 - @ 40 a 9 май @ 800 В -65 ° C ~ 190 ° C. 40a -
1N969B NTE Electronics, Inc 1n969b 0,1100
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-1N969b Ear99 8541.10.0050 1 5 мк. 22 29 ОМ
1N5395 NTE Electronics, Inc 1n5395 0,1300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 2368-1N5395 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,4 Е @ 1,5 А 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 25pf @ 4V, 1 мгха
NTE2389 NTE Electronics, Inc NTE2389 7.6700
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2389 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 35A (TA) 10 В 45mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 1MA 30 2000 PF @ 25 V - 125W (TA)
NTE125-1 NTE Electronics, Inc NTE125-1 -
RFQ
 ECAD 1373 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs 2368-NTE125-1 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
2N7000 NTE Electronics, Inc 2n7000 0,4000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-2n7000 Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 60 200 мая (таблица) 5OM @ 500 мА, 10 В 3V @ 1MA 60 PF @ 25 V -
NTE5190A NTE Electronics, Inc NTE5190A 12.8800
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5190A Ear99 8541.10.0050 1 14 3 О
1N4741A NTE Electronics, Inc 1n4741a 0,1400
RFQ
 ECAD 988 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N4741a Ear99 8541.10.0050 1 5 мка @ 8,4 11 8 О
2N6668 NTE Electronics, Inc 2N6668 1.7300
RFQ
 ECAD 791 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 65 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6668 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 3v @ 100ma, 10a 1000 @ 5a, 3v -
1N5341B NTE Electronics, Inc 1n5341b 0,7600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N5341B Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 1 мка @ 3 В 6,2 В. 1 О
NTE5587 NTE Electronics, Inc NTE5587 273.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Стало TO-209ae, до 118-4, Stud Дол-118 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5587 Ear99 8541.10.0080 1 600 550 А. 3 В 9100, 10000A 150 май 1,4 В. 350 А. 30 май Станодано
NTE53006 NTE Electronics, Inc NTE53006 14000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 105 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE53006 Ear99 8541.10.0070 1 1,05 Е @ 7,5 А 10 мк. 15 а ОДИНАНАНА 200
1N4761A NTE Electronics, Inc 1n4761a 0,2400
RFQ
 ECAD 812 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N4761A Ear99 8541.10.0050 1 5 мка @ 56 75 175
NTE5530 NTE Electronics, Inc NTE5530 26.2600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Стало До 208AA, до-48-3, Став О 48 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5530 Ear99 8541.10.0080 1 700 25 а 3 В 150a @ 60 gц 40 май 1,7 16 а Станодано
NTE5442 NTE Electronics, Inc NTE5442 16.3400
RFQ
 ECAD 687 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Чereз dыru TO-225AB, 127-3 127 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5442 Ear99 8541.30.0000 1 40 май 50 8 а 1,5 В. 80a @ 60 gц 30 май 1,5 В. 5.1 а 10 мк Станодано
NTE6114 NTE Electronics, Inc NTE6114 250.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk Станода DO-200AA СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6114 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,31 В @ 1500 А 15 май @ 1600 -40 ° C ~ 180 ° C. 1400A -
NTE53016 NTE Electronics, Inc NTE53016 5.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата Станода - СКАХАТА Rohs3 2368-NTE53016 Ear99 8541.10.0070 1 1.1 V @ 25 A 50 мк. 50 а ОДИНАНАНА 200
NTE159M NTE Electronics, Inc NTE159M 12000
RFQ
 ECAD 466 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 1,8 18 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE159M Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
NTE605A NTE Electronics, Inc NTE605A 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2368-NTE605A Ear99 8533.40.4000 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 6в 1,36 В @ 3 мая 1 мка пр. 6в 150 ° С 100 май -
NTE5437 NTE Electronics, Inc NTE5437 2.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5437 Ear99 8541.30.0000 1 5 май 400 8 а 800 м 100a @ 60 gц 200 мк 1,6 В. 10 мк Чywytelnhe
NTE161 NTE Electronics, Inc NTE161 2.0100
RFQ
 ECAD 149 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN BAN 200 м 122 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE161 Ear99 8541.21.0095 1 15 дБ 45 50 май Npn 20 @ 3MA, 1V 600 мг 6db @ 60 Mmgц
GI852/MR852 NTE Electronics, Inc GI852/MR852 0,3200
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-GI852/MR852 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 В @ 3 a 200 млн 10 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть