SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп В конце ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) Прирост Naprayeseee Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) ТОК - ДОЛИНА (IV) ТОК - ПИК
NTE55 NTE Electronics, Inc NTE55 4,8000
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2W ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE55 Ear99 8541.29.0095 1 - 150 8. Pnp 40 @ 2a, 2v 30 мг -
NTE5010A NTE Electronics, Inc NTE5010A 0,7900
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5010A Ear99 8541.10.0050 1 5,1 В. 17 О
NTE5011A NTE Electronics, Inc NTE5011A 0,7900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5011A Ear99 8541.10.0050 1 5,6 В. 11 О
NTE5208A NTE Electronics, Inc NTE5208A 12.8800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5208A Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 2 a 10 мк @ 35,8 47 В 14 ОМ
NTE5295A NTE Electronics, Inc NTE5295A 33 8600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5295A Ear99 8541.10.0050 1 190 95 ОМ
1N960B NTE Electronics, Inc 1n960b 0,1300
RFQ
 ECAD 245 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-1N960b Ear99 8541.10.0050 1 25 мк. 9.1. 7,5 ОМ
NTE6236 NTE Electronics, Inc NTE6236 411.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ШASCI Модул Станода Модул СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6236 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 -й 250a 1,29 В @ 785 А 50 мк @ 1600 -40 ° С ~ 150 ° С.
TIP31C NTE Electronics, Inc TIP31C 0,9200
RFQ
 ECAD 163 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-TIP31C Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 300 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
NTE6401 NTE Electronics, Inc NTE6401 9.0800
RFQ
 ECAD 117 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 206aa, 18-3 Металлана Банканка СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6401 Ear99 8541.29.0095 1 - - 300 м 6 май 5 Мка
NTE5454 NTE Electronics, Inc NTE5454 1.2200
RFQ
 ECAD 195 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru TO-202 Long Tab До 202 года СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5454 Ear99 8541.30.0000 1 3 мая 100 4 а 800 м 20А @ 60 г -джист 200 мк 2,2 В. 100 мк Чywytelnhe
NTE624 NTE Electronics, Inc NTE624 2.2300
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru 220-3 Станода ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-NTE624 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 600 3A 1.3 V @ 3 a 250 млн 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C.
NTE5255AK NTE Electronics, Inc NTE5255AK 26.8600
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5255AK Ear99 8541.10.0050 1 13 1,1
NTE5013SM NTE Electronics, Inc NTE5013SM 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5013SM Ear99 8541.10.0050 1 6,2 В.
NTE5572 NTE Electronics, Inc NTE5572 90.9100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Стало TO-209AC, TO-94-4, STAD Создание 94 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5572 Ear99 8541.10.0080 1 150 май 600 125 а 2,5 В. 1600, 1900:00 120 май 1,6 В. 80 а 15 май Станодано
NTE5207AK NTE Electronics, Inc NTE5207AK 12.8800
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5207AK Ear99 8541.10.0050 1 45 13 О
NTE5138A NTE Electronics, Inc NTE5138A 1,3000
RFQ
 ECAD 654 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 5 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5138A Ear99 8541.10.0050 1 25 В 4 О
NTE5743 NTE Electronics, Inc NTE5743 99 6200
RFQ
 ECAD 6592 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул Станода - СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5743 Ear99 8541.10.0080 1 1,3 - @ 75 A 8 май @ 1600 75 а Трип 1,6 кв
NTE53010 NTE Electronics, Inc NTE53010 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE53010 Ear99 8541.10.0070 1 1,05 Е @ 7,5 А 10 мк. 15 а ОДИНАНАНА 1 к
NTE5290A NTE Electronics, Inc NTE5290A 33 8600
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5290A Ear99 8541.10.0050 1 140 60 ОМ
NTE5209AK NTE Electronics, Inc NTE5209AK 12.8800
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5209AK Ear99 8541.10.0050 1 47 В 15 О
NTE5200AK NTE Electronics, Inc NTE5200AK 12.8800
RFQ
 ECAD 6228 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5200AK Ear99 8541.10.0050 1 27 7 О
NTE155 NTE Electronics, Inc NTE155 4.9800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 90 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 6 Вт 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE155 Ear99 8541.29.0095 1 32 1 а 1MA Npn 80mw @ 100ma, 1a 36 @ 1a, 0 В -
NTE5015SM NTE Electronics, Inc NTE5015SM 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5015SM Ear99 8541.10.0050 1 7,5 В.
NTE5008SM NTE Electronics, Inc NTE5008SM 0,2400
RFQ
 ECAD 849 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 300 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5008SM Ear99 8541.10.0050 1 4,3 В.
NTE2395 NTE Electronics, Inc NTE2395 5.4700
RFQ
 ECAD 747 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2395 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 50a (TC) 10 В 28mohm @ 31a, 10 В 4 В @ 250 мк 67 NC @ 10 V ± 20 В. 1900 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
NTE5848 NTE Electronics, Inc NTE5848 7.2800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5848 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 V @ 3 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
NTE170 NTE Electronics, Inc NTE170 3.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE170 Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 2 A 10 мк. 2 а ОДИНАНАНА 1 к
GI850/MR850 NTE Electronics, Inc GI850/MR850 3.0000
RFQ
 ECAD 512 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-GI850/MR850 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,25 В @ 3 a 200 млн 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
NTE310 NTE Electronics, Inc NTE310 25.2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE310 Ear99 8541.30.0080 1 100 май 800 В 8 а 2 V. 80a @ 60 gц, 60a pric 60 gц 50 май 2,2 В. 3.4 а Станодано
GI754 NTE Electronics, Inc GI754 1.0000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА Rohs3 2368-GI754 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 900 мВ @ 6 a 2,5 мкс 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть