SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп В конце ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) Прирост Naprayeseee Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) На TOOK - ВОРОТАТА ТОК - ДОЛИНА (IV) ТОК - ПИК
NTE643 NTE Electronics, Inc NTE643 0,7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru 220-3 ШOTKIй ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE643 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 10 часов 920 мВ @ 5 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
1N5624 NTE Electronics, Inc 1n5624 12000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru SOD-64, OSEVOй Станода SOD-64 СКАХАТА Rohs3 2368-1N5624 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 3 a 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
NTE5502 NTE Electronics, Inc NTE5502 17.2900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Стало До 208AA, до-48-3, Став О 48 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5502 Ear99 8541.30.0000 1 20 май 100 3 В 200a @ 60 gц 25 май 1,5 В. 25 а 10 май Станодано
NTE596 NTE Electronics, Inc NTE596 0,4000
RFQ
 ECAD 212 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs 2368-NTE596 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 70 250 май 1,25 В @ 150 6 м 2,5 мка прри 70 175 ° С
1N4007 NTE Electronics, Inc 1N4007 0,1100
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 2368-1N4007 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 2 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
RGP30B NTE Electronics, Inc RGP30B 0,6000
RFQ
 ECAD 361 0,00000000 NTE Electronics, Inc. RGP30 Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-RGP30B Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мк -4 100 - 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
NTE2687 NTE Electronics, Inc NTE2687 3.9900
RFQ
 ECAD 762 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 45 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2687 Ear99 8541.29.0095 1 - 450 8. Npn 10 @ 4a, 5v 20 мг -
NTE6402 NTE Electronics, Inc NTE6402 3.1000
RFQ
 ECAD 1222 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6402 Ear99 8541.29.0095 1 6в 40 300 м 1,6 В. 10 NA 50 мк 2 мка
NTE5402 NTE Electronics, Inc NTE5402 1.2100
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5402 Ear99 8541.30.0000 1 3 мая 100 800 млн 800 м 8a @ 60 gц 200 мк 1,7 200 мк Чywytelnhe
NTE5392 NTE Electronics, Inc NTE5392 4.0000
RFQ
 ECAD 428 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5392 Ear99 8541.30.0000 1 1,1 В @ 17,5 а 5 мк. 35 а ОДИНАНАНА 600
NTE5889 NTE Electronics, Inc NTE5889 10.4300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5889 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,2 - @ 30 a 1 мая @ 1200 -40 ° C ~ 175 ° C. 30A -
NTE6162 NTE Electronics, Inc NTE6162 -
RFQ
 ECAD 5673 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-8, Stud Станода Дол СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6162 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1.1 V @ 200 a 5 май @ 1400 -65 ° C ~ 190 ° C. 150a -
NTE491SM NTE Electronics, Inc NTE491SM 0,1500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE491SM Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 60 115ma (TA) 4,5 В, 10. 7,5 ОМ @ 500 май, 10 В 2,5 -50 мк ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 200 мт (таблица)
NTE5393 NTE Electronics, Inc NTE5393 4.1900
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP Станода 4-sip СКАХАТА Rohs 2368-NTE5393 Ear99 8541.30.0000 1 1,1 В @ 17,5 а 5 мк -400 35 а ОДИНАНАНА 800 В
NTE5424 NTE Electronics, Inc NTE5424 7.5100
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5424 Ear99 8541.30.0000 1 50 май 400 5 а 2,5 В. 75a, 80a 50 май 4 3.2 A 3 мая Станодано
2N6609 NTE Electronics, Inc 2N6609 4.9100
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт № 204 года (3). СКАХАТА Rohs3 2368-2N6609 Ear99 8541.29.0095 1 140 16 а 10 май Pnp 4 В @ 3,2A, 16a 15 @ 8a, 4v -
NTE5123A NTE Electronics, Inc NTE5123A 1,3000
RFQ
 ECAD 192 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 5 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5123A Ear99 8541.10.0050 1 8,7 В. 2 О
TIP106 NTE Electronics, Inc TIP106 1.1200
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs 2368-TIP106 Ear99 8541.29.0095 1 80 8 а 50 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2.5V @ 80ma, 8a 1000 @ 3A, 4V 4 мг
NTE491T NTE Electronics, Inc NTE491T 5.6400
RFQ
 ECAD 480 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Дол 237AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 237 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE491T Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 310MA (TA) 5 В, 10 В. 5OM @ 500 мА, 10 В 2,5 h @ 1ma +15 В, -300 мВ 60 PF @ 25 V - 1 yt (tta)
2N6728 NTE Electronics, Inc 2N6728 2.9600
RFQ
 ECAD 117 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Дол 237AA 1 Вт 237 СКАХАТА Rohs 2368-2N6728 Ear99 8541.21.0095 1 60 2 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 10ma, 250 80 @ 50ma, 1в 500 мг
NTE5102A NTE Electronics, Inc NTE5102A 0,8200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5102A Ear99 8541.10.0050 1 170 1200 ОМ
NTE5100A NTE Electronics, Inc NTE5100A 0,8200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5100A Ear99 8541.10.0050 1 150 1000 ОМ
2N6259 NTE Electronics, Inc 2N6259 5.9900
RFQ
 ECAD 370 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6259 Ear99 8541.29.0095 1 150 16 а 10 май Npn 2,5 -3,2а, 16a 15 @ 8a, 2v -
1N5342B NTE Electronics, Inc 1n5342b 0,7600
RFQ
 ECAD 58 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N5342b Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 10 мк. 6,8 В. 1 О
NTE5374 NTE Electronics, Inc NTE5374 243.8800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Стало TO-209AB, TO-93-4, STAD О 93 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5374 Ear99 8541.10.0080 1 600 май 600 355 а 3 В 4700a @ 50 gц 200 май 1,8 В. 195 а 30 май Станодано
NTE5300 NTE Electronics, Inc NTE5300 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Станода СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5300 Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 мка При 200 8 а ОДИНАНАНА 200
NTE2419 NTE Electronics, Inc NTE2419 0,6200
RFQ
 ECAD 107 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NTE24 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2419 Ear99 8541.21.0095 1 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 47 Kohms 47 Kohms
NTE5878 NTE Electronics, Inc NTE5878 10.9800
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5878 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,26 В 38 А 12 май @ 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
GI752 NTE Electronics, Inc GI752 0,7000
RFQ
 ECAD 288 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА Rohs 2368-GI752 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 900 мВ @ 6 a 2,5 мкс 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 6A 150pf @ 4V, 1 мгест
NTE5869 NTE Electronics, Inc NTE5869 11.4500
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5869 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 19 a 12 май @ 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть