SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ ТОК - МАКС Current - Hold (IH) (MMAKS) Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - nan -coStoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD КОГИГИОН ЭМКОСТИ СОСТОЧНАЯ ВОЗДЕЛИТЬСЯ Q @ VR, f
NTE491 NTE Electronics, Inc NTE491 0,7300
RFQ
 ECAD 686 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE491 Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 60 200 мая (таблица) 4,5 В, 10. 5OM @ 500 мА, 10 В 3V @ 1MA ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 350 мт (таблица)
NTE5021SM NTE Electronics, Inc NTE5021SM 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 300 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5021SM Ear99 8541.10.0050 1 12
NTE385 NTE Electronics, Inc NTE385 10.0300
RFQ
 ECAD 219 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 175 Вт По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE385 Ear99 8541.29.0095 1 400 15 а 200 мк Npn 1,5 Е @ 1.6a, 8a 8 @ 10a, 5v -
NTE5805 NTE Electronics, Inc NTE5805 0,7600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода DO-27 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5805 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,2 - @ 9,4 а 500 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
NTE5257A NTE Electronics, Inc NTE5257A 26.8600
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5257A Ear99 8541.10.0050 1 15 1,4 ОМ
NTE5200A NTE Electronics, Inc NTE5200A 12.8800
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5200A Ear99 8541.10.0050 1 27 7 О
1N5391 NTE Electronics, Inc 1n5391 0,1100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs 2368-1N5391 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,4 Е @ 1,5 А 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 25pf @ 4V, 1 мгха
GI851/MR851 NTE Electronics, Inc GI851/MR851 0,3000
RFQ
 ECAD 761 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-GI851/MR851 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 В @ 3 a 200 млн 10 мк -пки 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
NTE5286A NTE Electronics, Inc NTE5286A 26.8600
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5286A Ear99 8541.10.0050 1 105 25 ОМ
1N4739A NTE Electronics, Inc 1n4739a 0,1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N4739a Ear99 8541.10.0050 1 10 мк -прри 7в 9.1. 5 ОМ
NTE5062A NTE Electronics, Inc NTE5062A 1.7900
RFQ
 ECAD 128 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5062A Ear99 8541.10.0050 1 2,5 В. 30 ОМ
1N4757A NTE Electronics, Inc 1n4757a 0,1400
RFQ
 ECAD 474 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N4757a Ear99 8541.10.0050 1 5 мка @ 38,8 51 95 ОМ
1N961B NTE Electronics, Inc 1n961b 0,1100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-1N961B Ear99 8541.10.0050 1 10 мк. 10 8,5 ОМ
NTE6069 NTE Electronics, Inc NTE6069 18.4700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6069 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,25 Е @ 20 мая 2 мая @ 800 -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
NTE5087A NTE Electronics, Inc NTE5087A 0,6000
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5087A Ear99 8541.10.0050 1 43 В. 70 ОМ
NTE53004 NTE Electronics, Inc NTE53004 2.6300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Станода СКАХАТА Rohs3 2368-NTE53004 Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 5 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 1 к
NTE5228AK NTE Electronics, Inc NTE5228AK 13.3600
RFQ
 ECAD 238 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5228AK Ear99 8541.10.0050 1 170 225 ОМ
NTE5288AK NTE Electronics, Inc NTE5288AK 33 8600
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5288AK Ear99 8541.10.0050 1 120 40 ОМ
NTE5289AK NTE Electronics, Inc NTE5289AK 33 8600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5289AK Ear99 8541.10.0050 1 130 50 ОМ
NTE2557 NTE Electronics, Inc NTE2557 9.7000
RFQ
 ECAD 312 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 100 y 247 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2557 Ear99 8541.29.0095 1 200 15 а 100 мк Npn - дарлино 1,5 - @ 30ma, 10a 1500 @ 10a, 3v 20 мг
NTE243 NTE Electronics, Inc NTE243 3.4600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 100 y По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE243 Ear99 8541.29.0095 1 80 8 а 500 мк Npn - дарлино 3v @ 80ma, 8a 750 @ 4a, 3v -
NTE2310 NTE Electronics, Inc NTE2310 8.5900
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна 175 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2310 Ear99 8541.29.0095 1 450 8 а 1MA Npn 1,5- 1,2A, 6A - -
NTE5920 NTE Electronics, Inc NTE5920 12.7300
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5920 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,23 Е @ 63 А 12 май @ 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
NTE2382 NTE Electronics, Inc NTE2382 4.7900
RFQ
 ECAD 639 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2382 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 9.2a (TC) 10 В 270mohm @ 4,6a, 10 В 4 В @ 250 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 400 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
TIP146 NTE Electronics, Inc TIP146 2.7200
RFQ
 ECAD 521 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-TIP146 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а - Pnp - 1000 @ 5a, 4v -
NTE6154 NTE Electronics, Inc NTE6154 -
RFQ
 ECAD 2642 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна Стало DO-203AA, DO-8, Stud Станода Дол СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6154 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 200 a 5 май @ 400 -65 ° C ~ 190 ° C. 150a -
NTE618 NTE Electronics, Inc NTE618 3.3700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - МАССА Активна 100 ° C (TJ) Чereз dыru 2-sip 2-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE618 Ear99 8541.10.0070 1 459,1pf pri 1,2 - Одинокий 16 15.5 C1.2/C8 200 @ 1V, 1 мг.
NTE5517 NTE Electronics, Inc NTE5517 13.5400
RFQ
 ECAD 148 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Прет Прет СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5517 Ear99 8541.30.0000 1 50 май 200 35 а 2 V. 350a @ 60 gц 25 май 1,6 В. 2 мая Станодано
1N829A NTE Electronics, Inc 1n829a 6.9200
RFQ
 ECAD 516 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 2368-1N829A Ear99 8541.10.0050 1 2 мка @ 3 В 6,2 В. 10 ОМ
1N5711 NTE Electronics, Inc 1n5711 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) DO-204AH, DO-35, OSEVOй - СКАХАТА Rohs 2368-1N5711 Ear99 8541.10.0070 1 15 май 250 м 2pf @ 0v, 1 мгест ШOTKIй - Сингл 70В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть