SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС Стрктура ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Колиство, диди Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
NTE56015 NTE Electronics, Inc NTE56015 5.0000
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE56015 Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 50 май Станода 200 25 а 2,5 В. 250a, 260a 50 май
NTE5070A NTE Electronics, Inc NTE5070A 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5070A Ear99 8541.10.0050 1 6в 3,5 ОМ
NTE270 NTE Electronics, Inc NTE270 5.6600
RFQ
 ECAD 162 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 125 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 2368-NTE270 Ear99 8541.29.0095 1 100 10 а 2MA Npn - дарлино 3v @ 40ma, 10a 1000 @ 5a, 4v -
1N5353B NTE Electronics, Inc 1n5353b 0,7600
RFQ
 ECAD 263 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs 2368-1N5353b Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 1 мка рри 12,2 16 2,5 ОМ
NTE2308 NTE Electronics, Inc NTE2308 9.6300
RFQ
 ECAD 338 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 2,5 12 с СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2308 Ear99 8541.29.0095 1 400 12 а 10 мк (ICBO) Npn 1V @ 1,6a, 8a 15 @ 1.6a, 5 20 мг
1N5821 NTE Electronics, Inc 1n5821 0,5400
RFQ
 ECAD 514 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs 2368-1N5821 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 500 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 3A 190pf @ 4V, 1 мгха
NTE2675 NTE Electronics, Inc NTE2675 6.7700
RFQ
 ECAD 285 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 100 y 12 вечера СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2675 Ear99 8541.29.0095 1 800 В 6 а 1MA (ICBO) Npn 1V @ 400 май, 2а 10 @ 2a, 5v -
NTE2369 NTE Electronics, Inc NTE2369 0,5800
RFQ
 ECAD 136 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE NTE23 300 м До 92-х Годо СКАХАТА Rohs 2368-NTE2369 Ear99 8541.21.0095 1 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2N3439 NTE Electronics, Inc 2N3439 1.4600
RFQ
 ECAD 246 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-2N3439 Ear99 8541.29.0095 1 350 1 а 20 мк Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В 15 мг
NTE5181A NTE Electronics, Inc NTE5181A 12.8800
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 10 st До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5181A Ear99 8541.10.0050 1 6,8 В. 1,2 ОМ
1N4729A NTE Electronics, Inc 1n4729a 0,1400
RFQ
 ECAD 947 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N4729a Ear99 8541.10.0050 1 100 мка @ 1 В 3,6 В. 10 ОМ
NTE5151A NTE Electronics, Inc NTE5151A 1,3000
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 5 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5151A Ear99 8541.10.0050 1 68 В 44 ОМ
1N4732A NTE Electronics, Inc 1n4732a -
RFQ
 ECAD 7247 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 0,5% -65 ° C ~ 20 ° C. Чereз dыru Оос 1 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N4732A Ear99 8541.10.0050 1 10 мка @ 1 В 4,7 В. 8 О
NTE5418 NTE Electronics, Inc NTE5418 2.6800
RFQ
 ECAD 5422 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5418 Ear99 8541.30.0000 1 30 май 400 10 а 1,5 В. 100a @ 60 gц 25 май 1,8 В. 500 мк Станодано
1N5231B NTE Electronics, Inc 1n5231b 0,1200
RFQ
 ECAD 384 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м - СКАХАТА Rohs3 2368-1N5231B Ear99 8541.10.0050 1 5 мка @ 2 5,1 В. 17 О
NTE5874 NTE Electronics, Inc NTE5874 9.9300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5874 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,26 В 38 А 12 май @ 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
NTE5303 NTE Electronics, Inc NTE5303 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5303 Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 мк -пр. 1000 8 а ОДИНАНАНА 1 к
1N749A NTE Electronics, Inc 1n749a 0,1500
RFQ
 ECAD 858 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-1N749a Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 2 мка @ 1 В 4,3 В. 22 ОМ
2N6338 NTE Electronics, Inc 2N6338 5.4600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th № 204 года (3). СКАХАТА Rohs 2368-2N6338 Ear99 8541.29.0095 1 100 25 а 50 мк Npn 1,8 В @ 2,5A, 25A 30 @ 10a, 2v 40 мг
NTE5055A NTE Electronics, Inc NTE5055A 1.5400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5055A Ear99 8541.10.0050 1 150 1500 ОМ
TIP151 NTE Electronics, Inc TIP151 3.0900
RFQ
 ECAD 719 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-TIP151 Ear99 8541.29.0095 1 350 10 а 250 мк Npn - дарлино 2V @ 250 мам, 5а 150 @ 2,5a, 5в -
NTE311 NTE Electronics, Inc NTE311 6.4600
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 5 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE311 Ear99 8541.29.0095 1 10 дБ 30 400 май Npn 25 @ 50 мА, 5 В 800 мг -
NTE595 NTE Electronics, Inc NTE595 0,4000
RFQ
 ECAD 761 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE595 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 250 май 1,25 В @ 150 6 м 5 мка @ 70 175 ° C (MMAKS)
NTE2930 NTE Electronics, Inc NTE2930 8.7900
RFQ
 ECAD 364 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) V 3 чASAD СКАХАТА Rohs 2368-NTE2930 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 31a (TC) 10 В 40mohm @ 15.5a, 10 ЕС 4 В @ 250 мк 97 NC @ 10 V ± 20 В. 2270 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
2N404 NTE Electronics, Inc 2N404 4.5500
RFQ
 ECAD 136 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 150 м По 5 СКАХАТА Rohs 2368-2N404 Ear99 8541.29.0095 1 24 100 май 5 Мка (ICBO) Pnp 200 мВ @ 1ma, 24ma - -
NTE5724 NTE Electronics, Inc NTE5724 76.4600
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул Серпен СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5724 Ear99 8541.30.0080 1 1,6 кв 3 В 1950a @ 60 gц 150 май 90 а 2 Scrs
NTE2398 NTE Electronics, Inc NTE2398 6.7100
RFQ
 ECAD 228 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2398 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 500 4.5a (TC) 10 В 1,5 ОМ @ 2,7A, 10 В 4 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 20 В. 610 pf @ 25 v - 74W (TC)
NTE6103 NTE Electronics, Inc NTE6103 228.2900
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало Шpiolga Станода Т-70 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6103 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 2,15 Е @ 1500 А 9 мкс 50 май @ 600 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
NTE519 NTE Electronics, Inc NTE519 0,6000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE519 Ear99 8541.10.0080 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 8 млн 5 мка прри 75 200 ° C (MMAKS) 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
1N746A NTE Electronics, Inc 1n746a 0,1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-1N746A Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 10 мка @ 1 В 3.3в 28 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть