SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИПВ Тела Синла - МАКС Стрктура ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) ИСЛОВЕЕ ИСПАН Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - nan -coStoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Колиство, диди ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн TD (ON/OFF) @ 25 ° C Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD КОГИГИОН ЭМКОСТИ СОСТОЧНАЯ ВОЗДЕЛИТЬСЯ Q @ VR, f
NTE56019 NTE Electronics, Inc NTE56019 9.6300
RFQ
 ECAD 145 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE56019 Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 100 май Станода 200 25 а 2,5 В. 208a, 250a 80 май
NTE2649 NTE Electronics, Inc NTE2649 8.2100
RFQ
 ECAD 228 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 130 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2649 Ear99 8541.29.0095 1 180 15 а 100 мк (ICBO) Npn - дарлино 2,5 - @ 10ma, 10a 5000 @ 10a, 4v 70 мг
1N5245B NTE Electronics, Inc 1n5245b 0,1200
RFQ
 ECAD 88 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м - СКАХАТА Rohs 2368-1N5245b Ear99 8541.10.0050 1 100 na @ 11 v 15 16 ОМ
NTE5251AK NTE Electronics, Inc NTE5251AK 26.8600
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5251AK Ear99 8541.10.0050 1 9.1. 0,5 ОМ
NTE5492 NTE Electronics, Inc NTE5492 8.7700
RFQ
 ECAD 137 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Стало До 208AA, до-48-3, Став О 48 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5492 Ear99 8541.30.0000 1 50 май 200 25 а 2 V. 150a @ 60 gц 2 а 2 V. 16 а 10 мк Станодано
NTE5849 NTE Electronics, Inc NTE5849 7.2800
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5849 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 V @ 3 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
NTE5485 NTE Electronics, Inc NTE5485 23.6600
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Стало TO-208AB, TO-64-3, STAD О 64 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5485 Ear99 8541.30.0000 1 30 май 400 8 а 1,5 В. 100a @ 60 gц 30 май 2 V. 10 мк Станодано
2N3392 NTE Electronics, Inc 2N3392 0,6200
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 2368-2N3392 Ear99 8541.21.0095 1 25 В 500 май 100NA (ICBO) Npn - 150 @ 2ma, 4,5 -
NTE5944 NTE Electronics, Inc NTE5944 5.8600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5944 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,5 - @ 15 A 10 май @ 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
NTE613 NTE Electronics, Inc NTE613 3.0800
RFQ
 ECAD 283 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) - СКАХАТА Rohs 2368-NTE613 Ear99 8541.10.0080 1 24.2pf @ 4V, 1 мгха Одинокий 30 2.9 C2/C32 350 @ 4V, 50 мг.
1N5404 NTE Electronics, Inc 1n5404 0,1600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 2368-1N5404 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,2 V @ 3 a 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
NTE2390 NTE Electronics, Inc NTE2390 3.3000
RFQ
 ECAD 6242 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2390 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 12a (TC) 10 В 200 месяцев @ 6a, 10v 4,5 Е @ 1MA 26 NC @ 10 V ± 20 В. 400 pf @ 25 v - 75W (TC)
NTE32 NTE Electronics, Inc NTE32 2.2400
RFQ
 ECAD 2257 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 900 м DO 92L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2368-NTE32 Ear99 8541.21.0095 1 160 1 а 1 мка (ICBO) Pnp 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 200 май, 5 15 мг
MPSA20 NTE Electronics, Inc MPSA20 0,1700
RFQ
 ECAD 460 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 2368-MPSA20 Ear99 8541.21.0095 1 40 100 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 1MA, 10MA 40 @ 5ma, 10 В 125 мг
NTE5710 NTE Electronics, Inc NTE5710 89 9600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Модул Серпен СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5710 Ear99 8541.30.0080 1 1,2 кв 3 В 1500A @ 60 gц 150 май 55 а 2 Scrs
NTE149A NTE Electronics, Inc NTE149A 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE149A Ear99 8541.10.0050 1 62 125 ОМ
NTE5461 NTE Electronics, Inc NTE5461 2.0500
RFQ
 ECAD 102 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5461 Ear99 8541.30.0000 1 20 май 50 10 а 1,5 В. 100a @ 60 gц 15 май 2 V. 10 мк Станодано
NTE5426 NTE Electronics, Inc NTE5426 3.1500
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5426 Ear99 8541.30.0000 1 3 мая 400 10 а 800 м 80a @ 60 gц 200 мк 2 V. 100 мк Чywytelnhe
NTE131 NTE Electronics, Inc NTE131 6.5800
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 90 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 6 Вт 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE131 Ear99 8541.29.0095 1 32 1 а 1MA Pnp 80mw @ 100ma, 1a 36 @ 1a, 0 В -
NTE5027A NTE Electronics, Inc NTE5027A 0,7900
RFQ
 ECAD 862 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5027A Ear99 8541.10.0050 1 18 21
NTE636 NTE Electronics, Inc NTE636 1.0600
RFQ
 ECAD 479 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru SOD-57, OSEVOй Лавина SOD-57 СКАХАТА Rohs 2368-NTE636 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 2 a 50 млн 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1.6a 65pf @ 0v, 1 мгест
NTE2411 NTE Electronics, Inc NTE2411 0,7800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 2368-NTE2411 Ear99 8541.21.0095 1 150 500 май 50na (ICBO) Pnp 1V @ 5ma, 50 мая 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
1N5400 NTE Electronics, Inc 1N5400 0,1400
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 2368-1N5400 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,2 V @ 3 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
1N916 NTE Electronics, Inc 1n916 0,0900
RFQ
 ECAD 398 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-1N916 Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
NTE5241AK NTE Electronics, Inc NTE5241AK 40,4000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5241AK Ear99 8541.10.0050 1 4,3 В. 0,16
NTE3310 NTE Electronics, Inc NTE3310 12.4400
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 100 y 12 с СКАХАТА Rohs3 2368-NTE3310 Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 15 а 30 а 4 В @ 15V, 15A - 400NS/500NS
NTE5534A NTE Electronics, Inc NTE5534A 20.0300
RFQ
 ECAD 352 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI На 3 балле TO-3 (илировананн Флани) СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5534A Ear99 8541.30.0080 1 150 май 600 50 а 1,3 В. 580a, 610a 80 май 1,9 32 а 10 мк Станодано
NTE5499 NTE Electronics, Inc NTE5499 3.4000
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5499 Ear99 8541.30.0000 1 40 май 800 В 12 а 2 V. 120a, 132a 10 май 1,8 В. 7,6 а 5 Мка Станодано
2N5416 NTE Electronics, Inc 2N5416 15000
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-2N5416 Ear99 8541.29.0095 1 300 1 а 50 мк Pnp 2,5 - @ 5ma, 50 мая 30 @ 50 мА, 10 В 15 мг
NTE5891 NTE Electronics, Inc NTE5891 13.4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5891 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,26 В 38 А 12 май @ 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть