SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
NTE455 NTE Electronics, Inc NTE455 2.9800
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер SOT-103 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - СКАХАТА Rohs 2368-NTE455 Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 20 25 май - - - ± 10 В. 3500 pf @ 10 v Станода 200 мт (таблица)
AO4442 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4442 -
RFQ
 ECAD 1207 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 75 3.1a (TA) 4,5 В, 10. 130mohm @ 3,1a, 10 В 3 В @ 250 мк 6,5 NC @ 10 V ± 25 В 350 pf @ 37,5 - 3,1 yt (tat)
IRF7492TRPBF Infineon Technologies IRF7492TRPBF -
RFQ
 ECAD 6318 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 200 3.7a (TA) 10 В 79mohm @ 2,2a, 10 В 2,5 -50 мк 59 NC @ 10 V ± 20 В. 1820 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
AOT380A60CL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT380A60CL 1.8300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Amos5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT380 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-AOT380A60CL Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 11a (TC) 10 В 380MOHM @ 5,5A, 10 В 3,8 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 955 pf @ 100 v - 131W (TC)
FQPF5P10 Fairchild Semiconductor FQPF5P10 0,3400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 100 2.9a (TC) 10 В 1.05OM @ 1,45A, 10 В 4 В @ 250 мк 8.2 NC @ 10 V ± 30 v 250 pf @ 25 v - 23W (TC)
DMTH6016LFVWQ-7-A Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-7-A 0,3236
RFQ
 ECAD 2565 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-powervdfn DMTH6016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 (SWP) typ ux СКАХАТА DOSTISH 31-DMTH6016LFVWQ-7-ATR Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 41a (TC) 4,5 В, 10. 16mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 15,1 NC @ 10 V ± 20 В. 939 pf @ 30 v - 1,17 yt (tat)
STP17NF25 STMicroelectronics STP17NF25 1.6700
RFQ
 ECAD 946 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP17 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 17a (TC) 10 В 165mohm @ 8,5a, 10 4 В @ 250 мк 29,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
ISL9N310AS3ST Fairchild Semiconductor ISL9N310AS3ST 0,3300
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 62a (TC) 4,5 В, 10. 10OM @ 62a, 10a 3 В @ 250 мк 48 NC @ 10 V ± 20 В. 1800 pf @ 15 v - 70 yt (tat)
IXFN44N80 IXYS Ixfn44n80 50.1440
RFQ
 ECAD 6444 0,00000000 Ixys Hiperfet ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixfn44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 800 В 44a (TC) 10 В 165mohm @ 500ma, 10 В 4,5 Е @ 8ma 380 NC @ 10 V ± 20 В. 10000 pf @ 25 v - 700 м (ТС)
WNSCM80120RQ WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ 9.2597
RFQ
 ECAD 3688 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 WNSCM80120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Дол. 247-4L - Ear99 8541.29.0095 240 N-канал 1200 45A (TA) 20 98mohm @ 20a, 20 В 4,5 - @ 6ma 59 NC @ 20 V +25, -10. 1350 pf @ 1000 - 270 yt (tat)
R6076ENZ4C13 Rohm Semiconductor R6076enz4c13 20.3900
RFQ
 ECAD 479 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 R6076 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-R6076enz4c13 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 76A (TC) 10 В 42mohm @ 44,4a, 10 В 4 В @ 1MA 260 NC @ 10 V ± 20 В. 6500 pf @ 25 v - 735W (TC)
NVD6414ANT4G onsemi NVD6414ANT4G -
RFQ
 ECAD 2102 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NVD641 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 32A (TC) 10 В 37mohm @ 32a, 10v 4 В @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1450 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1401EDH-T1-GE3 0,4100
RFQ
 ECAD 8266 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 SI1401 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 4a (TC) 1,5 В, 4,5 В. 34mohm @ 5,5a, 4,5 1В @ 250 мк 36 NC @ 8 V ± 10 В. - 1,6 yt (ta), 2,8 yt (tc)
IRF7455 Infineon Technologies IRF7455 -
RFQ
 ECAD 6713 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 30 15a (TA) 2,8 В, 10 В. 7,5mohm @ 15a, 10 В 2 В @ 250 мк 56 NC @ 5 V ± 12 В. 3480 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
PSMN057-200B,118 NXP USA Inc. PSMN057-200B, 118 -
RFQ
 ECAD 3831 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PSMN0 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800
DMT6007LFG-7 Diodes Incorporated DMT6007LFG-7 1.1200
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMT6007 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 15a (ta), 80a (TC) 4,5 В, 10. 6mohm @ 20a, 10v 2 В @ 250 мк 41,3 NC @ 10 V ± 20 В. 2090 PF @ 30 V - 2,2 Вт (TA), 62,5 st (TC)
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division CPC3960ZTR 0,8900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA CPC3960 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 - 0 44OM @ 100MA, 0 В - ± 15 В. 100 pf @ 25 v Rershymicehenipe 1,8 yt (tat)
IPB015N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB015N04LGATMA1 4.8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB015 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 120A (TC) 4,5 В, 10. 1,5mohm @ 100a, 10 В 2V @ 200 мк 346 NC @ 10 V ± 20 В. 28000 pf @ 25 v - 250 yt (TC)
FDMS86263P-23507X onsemi FDMS86263P-23507X -
RFQ
 ECAD 5939 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-FDMS86263P-23507XTR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 150 4.4a (ta), 22a (TC) 6 В, 10 В. 53mohm @ 4.4a, 10 4 В @ 250 мк 63 NC @ 10 V ± 25 В 3905 PF @ 75 V - 2,5 yt (ta), 104w (tc)
AO4435_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4435_103 -
RFQ
 ECAD 3092 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 30 10.5a (TA) 5 В, 20 В. 14mohm @ 11a, 20В 3 В @ 250 мк 24 NC @ 10 V ± 25 В 1400 pf @ 15 v - 3,1 yt (tat)
BSS138BKW-B115 NXP USA Inc. BSS138BKW-B115 0,0300
RFQ
 ECAD 9273 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1899
AO3401 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3401 0,0964
RFQ
 ECAD 4887 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, SOT-23-3 AO34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 4a (TA) 2,5 В, 10 В. 50mohm @ 4a, 10 В 1,3 Е @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 12 В. 645 PF @ 15 V - 1,4 yt (tat)
PJD12P06-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD12P06-AU_L2_000A1 0,4009
RFQ
 ECAD 2278 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PJD12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJD12P06-AU_L2_000A1TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 60 2.6A (TA), 12A (TC) 10 В 155mohm @ 6a, 10 В 4 В @ 250 мк 10,9 NC @ 10 V ± 20 В. 385 PF @ 25 V - 2 Вт (TA), 50 yt (TC)
IXTK33N50 IXYS IXTK33N50 -
RFQ
 ECAD 7564 0,00000000 Ixys - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA IXTK33 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264 (IXTK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 500 33a (TC) 10 В 170mohm @ 500ma, 10 В 4 В @ 250 мк 250 NC @ 10 V ± 20 В. 4900 pf @ 25 v - 416W (TC)
FDMS86255 onsemi FDMS86255 4.3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn FDMS86 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 150 10a (ta), 45a (TC) 6 В, 10 В. 12.4mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 63 NC @ 10 V ± 20 В. 4480 PF @ 75 V - 2.7W (TA), 113W (TC)
NTB85N03G onsemi NTB85N03G -
RFQ
 ECAD 7126 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NTB85 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 28 85A (TC) 4,5 В, 10. 6,8mohm @ 40a, 10 В 3 В @ 250 мк 29 NC @ 4,5 ± 20 В. 2150 pf @ 24 - 80 Вт (TC)
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 1261 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosii Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TK15A60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 15a (TA) 10 В 300mohm @ 7,5a, 10 В 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ± 30 v 950 pf @ 10 v - 40 yt (tc)
CSD17559Q5 Texas Instruments CSD17559Q5 2.9500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn CSD17559 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-VSON-CLIP (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 40a (ta), 100a (TC) 4,5 В, 10. 1,15mohm @ 40a, 10 1,7 В @ 250 мк 51 NC @ 4,5 ± 20 В. 9200 pf @ 15 v - 3,2 yt (ta), 96w (TC)
FQPF9N08 onsemi FQPF9N08 -
RFQ
 ECAD 6925 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FQPF9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 7A (TC) 10 В 210mohm @ 3,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 7,7 NC @ 10 V ± 25 В 250 pf @ 25 v - 23W (TC)
ITF86130SK8T Intersil ITF86130SK8T 1.1000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Мейлэйл - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 5000 N-канал 30 14a (TA) 4 В, 10 В. 7,8mohm @ 14a, 10v 2,5 -50 мк 84 NC @ 10 V ± 20 В. 3050 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть