Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 13Л72АА-С | 200.7500 | ![]() | 6495 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-13L72AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S29GL128N11FFA022 | - | ![]() | 2439 | 0,00000000 | Расширение | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-N | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 128 Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 110 нс | |||
![]() | SST39VF801C-70-4I-EKE-T | 2,9550 | ![]() | 5396 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | SST39VF801 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 16 | Параллельно | 10 мкс | |||
![]() | M29F002BT70K6E | - | ![]() | 6931 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | M29F002 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,35х13,89) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 2Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | MT28F800B3WG-9 СТАВКА ТР | - | ![]() | 7701 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф800Б3 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8, 512К х 16 | Параллельно | 90 нс | |||
![]() | SST39VF401C-70-4I-EKE | 2.7000 | ![]() | 122 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | SST39VF401 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | SST39VF401C704IEKE | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 256К х 16 | Параллельно | 10 мкс | ||
![]() | IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR | 10.0200 | ![]() | 5240 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS61WV102416 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | S25FS512SDSBHI210 | 10,9900 | ![]() | 1872 г. | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | С25ФС512 | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 1,7 В ~ 2 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 0000.00.0000 | 338 | 80 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 2 мс | |||
![]() | IDT71V416VL12Y | - | ![]() | 2685 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИДТ71В416 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В416ВЛ12И | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | ||
![]() | MT29F256G08AUEDBJ6-12:D | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 132-ЛБГА | MT29F256G08 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,5 В ~ 3,6 В | 132-ЛБГА (12х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1120 | 83 МГц | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС43Р16160Ф-6БЛ-ТР | 3,6992 | ![]() | 3721 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС43Р16160 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | М-АСР1К-1001-16ГБ-С | 80.0000 | ![]() | 2809 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-М-АСР1К-1001-16ГБ-С | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | ||||||||||||||||||
| AT24C512C-CUM-T-923 | - | ![]() | 6335 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВФБГА, ДСБГА | AT24C512C | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 3,6 В | 8 дБГА (2,35x3,73) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | АТ28ЛВ010-20Ю-630 | 61.3600 | ![]() | 9298 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | АТ28LV010 | ЭСППЗУ | 3 В ~ 3,6 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 750 | Энергонезависимый | 1Мбит | 200 нс | ЭСППЗУ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 10 мс | |||
![]() | RM25C64C-LSNI-B | - | ![]() | 4342 | 0,00000000 | Адесто Технологии | Маврик™ | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | RM25C64 | КБРАМ | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1265-1225 гг. | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | CBRAM® | Размер страницы 32 байта | СПИ | 100 мкс, 5 мс | ||
![]() | UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-A | 57.0300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3А991 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | AT49LV002-90JC | - | ![]() | 3932 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | АТ49LV002 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 32-ПЛСС (13,97х11,43) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | AT49LV00290JC | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 2Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 50 мкс | ||
![]() | DS28E05P+ | 1.0500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 6-СМД, J-вывод | DS28E05 | ЭСППЗУ | 3 В ~ 3,6 В | 6-ТСОК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | -4941-DS28E05P+ | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | Энергонезависимый | 896бит | 2 мкс | ЭСППЗУ | 112 х 8 | 1-Wire® | - | ||
![]() | AT45DB081B-CNU | - | ![]() | 5381 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-КАСОН (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 338 | 20 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 4096 страниц | СПИ | 14 мс | |||
![]() | CY62138FV30LL-45ZSXI | - | ![]() | 4052 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62138 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 117 | Неустойчивый | 2Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 45нс | |||
| S26KS128SDABHI030 | 5.3800 | ![]() | 112 | 0,00000000 | Расширение | ГиперФлэш™ КС | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КС128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | - | ||||||
![]() | АТ49БВ040-12ТИ | - | ![]() | 3002 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AT49BV040 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||
![]() | 24AA64T-I/MNY | 0,5700 | ![]() | 4158 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | 24АА64 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 5 мс | ||
![]() | S34ML01G200TFB003 | - | ![]() | 1335 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-2 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S34ML01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 1Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
![]() | GD25B512MEBJRY | 5.2136 | ![]() | 4467 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | ГД25Б | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | 1970-GD25B512MEBJRY | 4800 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | - | ||||||||
![]() | MR4A16BUYS45R | 47.0550 | ![]() | 3140 | 0,00000000 | Эверспин Технологии Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | MR4A16 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 819-MR4A16BUYS45RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 16Мбит | 45 нс | БАРАН | 1М х 16 | Параллельно | 45нс | ||
![]() | SM662PAA-ЛУЧШИЙ | - | ![]() | 1167 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-eMMC® | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | СМ662 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | - | 100-БГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1984-SM662PAA-ЛУЧШИЙ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | eMMC | - | |||
![]() | ИС42СМ16800Г-75БИ | - | ![]() | 5805 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42СМ16800 | SDRAM – мобильная версия | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 МГц | Неустойчивый | 128 Мбит | 6 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | - | ||
![]() | BR24T01FJ-WE2 | 0,3267 | ![]() | 3142 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | БР24Т01 | ЭСППЗУ | 1,6 В ~ 5,5 В | 8-СОП-J | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | ССТ39ВФ3201-70-4С-Б3КЭ-Т | 4.3200 | ![]() | 5182 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ССТ39ВФ3201 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | Энергонезависимый | 32Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | Параллельно | 10 мкс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)