Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71V124SA12TYI8 | - | ![]() | 5208 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | ИДТ71В124 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В124СА12ТИИ8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | ||
![]() | 70В9269Л9ПРФ8 | - | ![]() | 8400 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 128-LQFP | 70В9269 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3 В ~ 3,6 В | 128-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 9 нс | СРАМ | 16К х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | МТ40А2Г4ПМ-083Е:А | - | ![]() | 3000 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ40А2Г4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (9х13,2) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1020 | 1,2 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | ДРАМ | 2Г х 4 | Параллельно | - | |||
| AT34C02-10TI-2.7 | - | ![]() | 4293 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ34С02 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 10 мс | |||
![]() | MX25L12855FXDI-10G | - | ![]() | 3908 | 0,00000000 | Макроникс | MXSMIO™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ТБГА, ЦСПБГА | MX25L12855 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ЦСПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 30 мкс, 3 мс | |||
![]() | S29PL032J55BFI120L | - | ![]() | 7287 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | PL-J | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | S29PL032 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (8,15х6,15) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | Энергонезависимый | 32Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | S25FL032P0XBHI030 | 0,8700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ-П | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL032 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 575 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 3 мс | |||||
![]() | 71256S35TDB | - | ![]() | 9340 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71256С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 35 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 35 нс | ||||||
![]() | MT28F800B5WP-8 СТАВКА | - | ![]() | 4007 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф800Б5 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8, 512К х 16 | Параллельно | 80нс | |||
![]() | ИС45С16100Э-7БЛА1 | - | ![]() | 2165 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | ИС45С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 60-ТФБГА (6,4х10,1) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||
![]() | S25FL164K0XBHIS20 | 0,8300 | ![]() | 1016 | 0,00000000 | Расширение | ФЛ1-К | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL164 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Непригодный | 3A991B1A | 0000.00.0000 | 338 | 108 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||||
![]() | АТ25ДН256-ССШФ-Т | 0,3800 | ![]() | 6329 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ25ДН256 | ВСПЫШКА | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ВСПЫШКА | 32К х 8 | СПИ | 8 мкс, 1,75 мс | |||
![]() | MT48LC2M32B2TG-55:G ТР | - | ![]() | 8213 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ48LC2M32B2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 183 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
![]() | IS25LQ020B-JBLE | - | ![]() | 8405 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | IS25LQ020 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-1317 | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 800 мкс | ||
| 24AA02HT-I/СТ | 0,3600 | ![]() | 9460 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24АА02 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 24AA02HT-I/СТТР | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | ||
![]() | SST39WF1602-70-4I-B3KE | 2,6400 | ![]() | 3988 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | SST39WF1602 | ВСПЫШКА | 1,65 В ~ 1,95 В | 48-ТФБГА | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Энергонезависимый | 16Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 1М х 16 | Параллельно | 40 мкс | |||
![]() | 70В9189Л6ПФ | - | ![]() | 2810 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 70В9189 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | - | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 6 нс | СРАМ | 128 КБ х 9 | Параллельно | - | ||||
![]() | S29GL256P11FFI020 | 11.1800 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-П | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | СП005668305 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | Энергонезависимый | 256Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | 110 нс | ||
![]() | 25LC020AT-I/MNY | 0,5700 | ![]() | 8570 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | 25LC020 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 10 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | СПИ | 5 мс | |||
| 7026S20J8 | - | ![]() | 7634 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 7026S20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Неустойчивый | 256Кбит | 20 нс | СРАМ | 16К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | AT24C64-10PC-2.7 | - | ![]() | 5719 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | АТ24С64 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 10 мс | ||
| 70Т651С10БФ | 317.8510 | ![]() | 2500 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 208-ЛФБГА | 70Т651 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 2,4 В ~ 2,6 В | 208-КАБГА (15х15) | скачать | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Неустойчивый | 9 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | AT24C32E-U1UM0B-T | - | ![]() | 7657 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 150-AT24C32E-U1UM0B-TTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | ||||||||||||||||
![]() | CY6264-70SNXCT | - | ![]() | 1134 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | CY6264 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 64Кбит | 70 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | W631GG8NB-09 ТР | 3.1427 | ![]() | 2833 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | W631GG8 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ВФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W631GG8NB-09TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2000 г. | 1066 ГГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | SSTL_15 | 15нс | |
| РД48Ф4400П0ВБК0А | - | ![]() | 9874 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Акселл™ | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 88-ТФБГА, КСПБГА | РД48Ф4400 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 88-СКСП (8х11) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 52 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 85 нс | ВСПЫШКА | 32М х 16 | Параллельно | 85нс | |||
![]() | МТ46Х32М32ЛФБ5-5 АТ:Б | - | ![]() | 5517 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ВФБГА | МТ46Х32М32 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ВФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 5 нс | ДРАМ | 32М х 32 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | 25LC040A-I/МС | 0,6300 | ![]() | 2886 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | 25LC040 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]() | AT29BV010A-20TI | - | ![]() | 4851 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AT29BV010 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | - | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 1Мбит | 200 нс | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | Параллельно | 20 мс | |||
![]() | CY62138FV30LL-45BVXIT | 4.0425 | ![]() | 2566 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-ВФБГА | CY62138 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 36-ВФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 2Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 45нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)