Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | К6Ф4008У2Д-ФФ70 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Самсунг Полупроводник, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА | - | 3277-К6Ф4008У2Д-ФФ70ТР | EAR99 | 8542.32.0041 | 100 | Неустойчивый | 4 Мбит | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 70нс | Не проверено | ||||||||
![]() | CY62136FV30LL-55ZSXET | 7,6475 | ![]() | 7494 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62136 | SRAM — асинхронный | 2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 2Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | 71В25761С183БГИ8 | - | ![]() | 5607 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В25761 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 183 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 3,3 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | W25Q16JLUXIG ТР | 0,6600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-УСОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
| CAT28F001GI-12T | - | ![]() | 2806 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | CAT28F001 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 1Мбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | Параллельно | 120 нс | ||||||
![]() | MT28F800B5WG-8 ТЕТ ТР | - | ![]() | 4720 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф800Б5 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8, 512К х 16 | Параллельно | 80нс | ||||
![]() | CY62256LL-70ZRXI | 1.1600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 259 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс | Не проверено | |||||
![]() | CY7C1371C-117BGC | 15.4800 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | НоБЛ™ | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1371 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | W25Q32JVTBJQ ТР | - | ![]() | 3451 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q32JVTBJQTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 32Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]() | SST39LF020-55-4C-MME | - | ![]() | 6500 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 34-ВФБГА | SST39LF020 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 34-ВФБГА (6х4) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 740 | Энергонезависимый | 2Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 20 мкс | ||||
![]() | 71256L45TDB | 38,8776 | ![]() | 5915 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71256Л | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-CDIP | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | Неустойчивый | 256Кбит | 45 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 45нс | ||||
![]() | 7019Л20ПФ8 | - | ![]() | 9572 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 7019L20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 20 нс | СРАМ | 128 КБ х 9 | Параллельно | 20 нс | ||||
![]() | M29W320EB70ZS6E | - | ![]() | 5313 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | M29W320 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -M29W320EB70ZS6E | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 960 | Энергонезависимый | 32Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | 5962-8858702ХА | 104,6600 | ![]() | 237 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 18-CFплоская упаковка | 5962-8858702 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 18-CF в плоской упаковке | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4Кбит | 35 нс | СРАМ | 4К х 1 | Параллельно | 35 нс | ||||
![]() | CY62167DV30LL-55BVXIT | 12.2325 | ![]() | 5226 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62167 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (8х9,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 16Мбит | 55 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | CY7C1062DV33-10BGXI | - | ![]() | 1084 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1062 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 32 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | АТ45ДБ021Е-ШНХА-Т | 1,3900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT45DB021 | ВСПЫШКА | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 70 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 1024 страницы | СПИ | 8 мкс, 3 мс | ||||
| S25FS128SDSBHM200 | 6.3350 | ![]() | 8777 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FS-S | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | С25ФС128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 338 | 80 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||
| MT25QU128ABA8E12-0SIT ТР | 3,3831 | ![]() | 3647 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT25QU128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||||
![]() | MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR | - | ![]() | 8533 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | МТ29ВЗЗЗБД8 | - | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | |||||||||||||||||||
| DS1249Y-85 | - | ![]() | 8228 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 32-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1249Y | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЭДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | Энергонезависимый | 2Мбит | 85 нс | НВСРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 85нс | |||||
![]() | S34SL02G200BHI000 | - | ![]() | 6866 | 0,00000000 | SkyHigh Память ограничена | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | S34SL02 | - | Соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 2120-С34СЛ02Г200БХИ000 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 210 | Не проверено | ||||||||||||||||
![]() | S25FL064LABMFV013 | 5.0000 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ-Л | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FL064 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-S25FL064LABMFV013 | 1 | 108 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | Проверено | ||||||
| MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR | - | ![]() | 3713 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 432-ВФБГА | МТ53Д512 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | 432-ВФБГА (15х15) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 1866 ГГц | Неустойчивый | 32Гбит | ДРАМ | 512М х 64 | - | - | |||||
![]() | SST39VF402C-70-4C-MAQE | 1,9050 | ![]() | 8883 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | SST39VF402 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х4) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 740 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 256К х 16 | Параллельно | 10 мкс | ||||
![]() | GD25VE16CTIGR | - | ![]() | 8137 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ГД25ВЕ16 | ВСПЫШКА – НО | 2,1 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 3000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||
![]() | MT29F1G08ABDAH4-ITX:D ТР | - | ![]() | 1993 год | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | MT29F1G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-ВФБГА (9х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 1Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | DS1350WP-100IND+ | 87.0300 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Модуль 34-PowerCap™ | DS1350W | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 3 В ~ 3,6 В | 34-Модуль PowerCap | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 175-DS1350WP-100IND+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 100 нс | НВСРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 100 нс | |||
![]() | S99GL032N0070 | - | ![]() | 8126 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT44K32M18RB-093F:B ТР | - | ![]() | 2499 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 168-ТБГА | МТ44К32М18 | ДРАМ | 1,28 В ~ 1,42 В | 168-БГА (13,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | 1066 ГГц | Неустойчивый | 576Мбит | 7,5 нс | ДРАМ | 32М х 18 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)