SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
K6F4008U2D-FF70 Samsung Semiconductor, Inc. К6Ф4008У2Д-ФФ70 2.0000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 3,6 В 48-ФБГА - 3277-К6Ф4008У2Д-ФФ70ТР EAR99 8542.32.0041 100 Неустойчивый 4 Мбит СРАМ 512К х 8 Параллельно 70нс Не проверено
CY62136FV30LL-55ZSXET Infineon Technologies CY62136FV30LL-55ZSXET 7,6475
запросить цену
ECAD 7494 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62136 SRAM — асинхронный 2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
71V25761S183BGI8 Renesas Electronics America Inc 71В25761С183БГИ8 -
запросить цену
ECAD 5607 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА 71В25761 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 183 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 3,3 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
W25Q16JLUXIG TR Winbond Electronics W25Q16JLUXIG ТР 0,6600
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка W25Q16 ВСПЫШКА – НО 2,3 В ~ 3,6 В 8-УСОН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4000 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит 6 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
CAT28F001GI-12T onsemi CAT28F001GI-12T -
запросить цену
ECAD 2806 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) CAT28F001 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (11,43х13,97) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 32 Энергонезависимый 1Мбит 120 нс ВСПЫШКА 128 КБ х 8 Параллельно 120 нс
MT28F800B5WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 ТЕТ ТР -
запросить цену
ECAD 4720 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) МТ28Ф800Б5 ВСПЫШКА – НО 4,5 В ~ 5,5 В 48-ЦОП I скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 8Мбит 80 нс ВСПЫШКА 1М х 8, 512К х 16 Параллельно 80нс
CY62256LL-70ZRXI Cypress Semiconductor Corp CY62256LL-70ZRXI 1.1600
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) CY62256 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0041 259 Неустойчивый 256Кбит 70 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 70нс Не проверено
CY7C1371C-117BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1371C-117BGC 15.4800
запросить цену
ECAD 44 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация НоБЛ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1371 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 МГц Неустойчивый 18 Мбит 7,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
W25Q32JVTBJQ TR Winbond Electronics W25Q32JVTBJQ ТР -
запросить цену
ECAD 3451 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ W25Q32 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ТФБГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается W25Q32JVTBJQTR 3А991Б1А 8542.32.0071 2000 г. 133 МГц Энергонезависимый 32Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
SST39LF020-55-4C-MME Microchip Technology SST39LF020-55-4C-MME -
запросить цену
ECAD 6500 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 34-ВФБГА SST39LF020 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 34-ВФБГА (6х4) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 740 Энергонезависимый 2Мбит 55 нс ВСПЫШКА 256К х 8 Параллельно 20 мкс
71256L45TDB Renesas Electronics America Inc 71256L45TDB 38,8776
запросить цену
ECAD 5915 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие 28-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) 71256Л SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-CDIP скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3A001A2C 8542.32.0041 13 Неустойчивый 256Кбит 45 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 45нс
7019L20PF8 Renesas Electronics America Inc 7019Л20ПФ8 -
запросить цену
ECAD 9572 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 7019L20 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 Неустойчивый 1,125 Мбит 20 нс СРАМ 128 КБ х 9 Параллельно 20 нс
M29W320EB70ZS6E Micron Technology Inc. M29W320EB70ZS6E -
запросить цену
ECAD 5313 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА M29W320 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается -M29W320EB70ZS6E 3А991Б1А 8542.32.0071 960 Энергонезависимый 32Мбит 70 нс ВСПЫШКА 4М х 8, 2М х 16 Параллельно 70нс
5962-8858702XA Cypress Semiconductor Corp 5962-8858702ХА 104,6600
запросить цену
ECAD 237 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-CFплоская упаковка 5962-8858702 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 18-CF в плоской упаковке скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A001A2C 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4Кбит 35 нс СРАМ 4К х 1 Параллельно 35 нс
CY62167DV30LL-55BVXIT Infineon Technologies CY62167DV30LL-55BVXIT 12.2325
запросить цену
ECAD 5226 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY62167 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (8х9,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 16Мбит 55 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 55нс
CY7C1062DV33-10BGXI Infineon Technologies CY7C1062DV33-10BGXI -
запросить цену
ECAD 1084 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1062 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 84 Неустойчивый 16Мбит 10 нс СРАМ 512К х 32 Параллельно 10 нс
AT45DB021E-SHNHA-T Adesto Technologies АТ45ДБ021Е-ШНХА-Т 1,3900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT45DB021 ВСПЫШКА 1,65 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 2000 г. 70 МГц Энергонезависимый 2Мбит ВСПЫШКА 264 байт х 1024 страницы СПИ 8 мкс, 3 мс
S25FS128SDSBHM200 Infineon Technologies S25FS128SDSBHM200 6.3350
запросить цену
ECAD 8777 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, FS-S Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ С25ФС128 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 338 80 МГц Энергонезависимый 128 Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI -
MT25QU128ABA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-0SIT ТР 3,3831
запросить цену
ECAD 3647 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MT25QU128 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 24-Т-ПБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 133 МГц Энергонезависимый 128 Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 СПИ 8 мс, 2,8 мс
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR -
запросить цену
ECAD 8533 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший МТ29ВЗЗЗБД8 - 1 (без блокировки) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1000
DS1249Y-85 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1249Y-85 -
запросить цену
ECAD 8228 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие Модуль 32-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) DS1249Y NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 4,5 В ~ 5,5 В 32-ЭДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 11 Энергонезависимый 2Мбит 85 нс НВСРАМ 256К х 8 Параллельно 85нс
S34SL02G200BHI000 SkyHigh Memory Limited S34SL02G200BHI000 -
запросить цену
ECAD 6866 0,00000000 SkyHigh Память ограничена - Поднос Снято с производства в НИЦ S34SL02 - Соответствует RoHS 3 (168 часов) 2120-С34СЛ02Г200БХИ000 3А991Б1А 8542.32.0071 210 Не проверено
S25FL064LABMFV013 Cypress Semiconductor Corp S25FL064LABMFV013 5.0000
запросить цену
ECAD 34 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ФЛ-Л Масса Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) S25FL064 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 2832-S25FL064LABMFV013 1 108 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI - Проверено
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR -
запросить цену
ECAD 3713 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 432-ВФБГА МТ53Д512 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В 432-ВФБГА (15х15) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 1866 ГГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 512М х 64 - -
SST39VF402C-70-4C-MAQE Microchip Technology SST39VF402C-70-4C-MAQE 1,9050
запросить цену
ECAD 8883 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ39 МПФ™ Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА SST39VF402 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х4) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 740 Энергонезависимый 4 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 256К х 16 Параллельно 10 мкс
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
запросить цену
ECAD 8137 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ГД25ВЕ16 ВСПЫШКА – НО 2,1 В ~ 3,6 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 3000 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABDAH4-ITX:D ТР -
запросить цену
ECAD 1993 год 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА MT29F1G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 63-ВФБГА (9х11) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 1Гбит ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно -
DS1350WP-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1350WP-100IND+ 87.0300
запросить цену
ECAD 55 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж Модуль 34-PowerCap™ DS1350W NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 3 В ~ 3,6 В 34-Модуль PowerCap скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 175-DS1350WP-100IND+ 3A991B2A 8542.32.0041 40 Энергонезависимый 4 Мбит 100 нс НВСРАМ 512К х 8 Параллельно 100 нс
S99GL032N0070 Infineon Technologies S99GL032N0070 -
запросить цену
ECAD 8126 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1
MT44K32M18RB-093F:B TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093F:B ТР -
запросить цену
ECAD 2499 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 168-ТБГА МТ44К32М18 ДРАМ 1,28 В ~ 1,42 В 168-БГА (13,5х13,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1000 1066 ГГц Неустойчивый 576Мбит 7,5 нс ДРАМ 32М х 18 Параллельно -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе