SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
AT24C128-10PC Microchip Technology АТ24С128-10ПК -
запросить цену
ECAD 4006 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) АТ24С128 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 50 1 МГц Энергонезависимый 128Кбит 550 нс ЭСППЗУ 16К х 8 I²C 10 мс
W25Q64JVZESQ Winbond Electronics W25Q64JVZESQ -
запросить цену
ECAD 3361 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q64 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (8х6) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q64JVZESQ 1 133 МГц Энергонезависимый 64 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
MT28F400B5WP-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 Б ТР -
запросить цену
ECAD 1798 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) МТ28Ф400Б5 ВСПЫШКА – НО 4,5 В ~ 5,5 В 48-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 Энергонезависимый 4 Мбит 80 нс ВСПЫШКА 512К х 8, 256К х 16 Параллельно 80нс
25AA512-I/SN Microchip Technology 25АА512-И/СН 2,6100
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 25АА512 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 25AA512ISN EAR99 8542.32.0051 100 20 МГц Энергонезависимый 512Кбит ЭСППЗУ 64К х 8 СПИ 5 мс
S26KL128SDABHA030 Infineon Technologies S26KL128SDABHA030 6.4750
запросить цену
ECAD 8453 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KL Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА С26КЛ128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0051 338 100 МГц Энергонезависимый 128 Мбит 96 нс ВСПЫШКА 16М х 8 Параллельно -
S25FL512SAGMFVG13 Infineon Technologies S25FL512SAGMFVG13 9.4325
запросить цену
ECAD 2605 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) S25FL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1450 133 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
24LC014H-E/ST Microchip Technology 24LC014H-E/СТ 0,5100
запросить цену
ECAD 2513 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) 24LC014H ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 1 МГц Энергонезависимый 1Кбит 400 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
BR93G66FVT-3BGE2 Rohm Semiconductor БР93Г66ФВТ-3БГЭ2 0,6300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) БР93Г66 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ТССОП-Б скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 3 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 256 х 16 Микропровод 5 мс
AT45DB321D-MWU Adesto Technologies AT45DB321D-MWU -
запросить цену
ECAD 6775 0,00000000 Адесто Технологии - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка АТ45ДБ321 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-ВДФН (8х6) скачать 3 (168 часов) 3A991B1A 8542.32.0071 338 66 МГц Энергонезависимый 32Мбит ВСПЫШКА 528 байт x 8192 страницы СПИ 6 мс
IDT71V65602S100PFG Renesas Electronics America Inc ИДТ71В65602С100ПФГ -
запросить цену
ECAD 8183 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В65602 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать 3 (168 часов) REACH не касается 71В65602С100ПФГ 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 МГц Неустойчивый 9 Мбит 5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
AS6C1008-55PIN Alliance Memory, Inc. АС6К1008-55ПИН 4.3500
запросить цену
ECAD 745 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) AS6C1008 SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 5,5 В 32-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 13 Неустойчивый 1Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 55нс
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6:D ТР -
запросить цену
ECAD 9478 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 132-ТБГА MT29E256G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 132-ТБГА (12х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 167 МГц Энергонезависимый 256Гбит ВСПЫШКА 32Г х 8 Параллельно -
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR -
запросить цену
ECAD 7790 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) МТ53Д768 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В - УСТАРЕВШИЙ 2000 г. 2133 ГГц Неустойчивый 24Гбит ДРАМ 768М х 32 - -
MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 -
запросить цену
ECAD 4759 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Активный MT29VZZZ7 - 3 (168 часов) REACH не касается 0000.00.0000 1520 г.
S99FL128SMG01 Spansion S99FL128SMG01 2,5900
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Расширение - Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
CY7C1415SV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1415SV18-250BZC -
запросить цену
ECAD 1233 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1415 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) - не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 1М х 36 Параллельно -
S25FL129P0XBHI303 Infineon Technologies S25FL129P0XBHI303 -
запросить цену
ECAD 1175 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-П Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL129 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 2500 104 МГц Энергонезависимый 128 Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 3 мс
IDT71V3559SA75BQGI Renesas Electronics America Inc IDT71V3559SA75BQGI -
запросить цену
ECAD 5654 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА ИДТ71В3559 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 3135 В ~ 3465 В 165-КАБГА (13х15) скачать 3 (168 часов) REACH не касается 71V3559SA75BQGI 3A991B2A 8542.32.0041 136 Неустойчивый 4,5 Мбит 7,5 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
BR24G01-3 Rohm Semiconductor БР24Г01-3 -
запросить цену
ECAD 4484 0,00000000 Ром Полупроводник - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) BR24G01 ЭСППЗУ 1,6 В ~ 5,5 В 8-ДИП-Т скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2000 г. 400 кГц Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
EDFB164A1PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1PB-JD-FD -
запросить цену
ECAD 6746 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -30°С ~ 85°С (ТА) - - ЭДФБ164 SDRAM — мобильный LPDDR3 1,14 В ~ 1,95 В - - 1 (без блокировки) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1190 933 МГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 512М х 64 Параллельно -
AT27C010L-45PC Microchip Technology AT27C010L-45PC -
запросить цену
ECAD 1337 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) AT27C010 СППЗУ-ОТП 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается AT27C010L45PC 3A991B1B1 8542.32.0061 12 Энергонезависимый 1Мбит 45 нс СППЗУ 128 КБ х 8 Параллельно -
S26KL256SDABHV020 Infineon Technologies S26KL256SDABHV020 12.0000
запросить цену
ECAD 91 0,00000000 Инфинеон Технологии ГиперФлэш™ КЛ Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА С26КЛ256 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1690 г. 100 МГц Энергонезависимый 256Мбит 96 нс ВСПЫШКА 32М х 8 Параллельно -
IS43TR16128B-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16128Б-15ХБЛИ -
запросить цену
ECAD 8940 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43TR16128 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-TWBGA (9x13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 190 667 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15нс
CY7C1021CV33-10BAXI Infineon Technologies CY7C1021CV33-10BAXI -
запросить цену
ECAD 2183 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА CY7C1021 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (7х7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 416 Неустойчивый 1Мбит 10 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 10 нс
FM93CS56M8 onsemi FM93CS56M8 -
запросить цену
ECAD 4585 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 93CS56 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 95 1 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 128 х 16 Микропровод 10 мс
CY7C1049BNL-17VC Infineon Technologies CY7C1049BNL-17VC -
запросить цену
ECAD 1211 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1049 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 36-СОЮ скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4 Мбит 17 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 17нс
709349L7PFGI8 Renesas Electronics America Inc 709349L7PFGI8 -
запросить цену
ECAD 2697 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 709349Л SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 750 Неустойчивый 72Кбит 7,5 нс СРАМ 4К х 18 Параллельно -
CY7C1370D-167AXC Infineon Technologies CY7C1370D-167AXC -
запросить цену
ECAD 6622 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1370 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 72 167 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3,4 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
7015L12J8 Renesas Electronics America Inc 7015L12J8 -
запросить цену
ECAD 7990 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7015L12 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 250 Неустойчивый 72Кбит 12 нс СРАМ 8К х 9 Параллельно 12нс
7008S35PF Renesas Electronics America Inc 7008С35ПФ -
запросить цену
ECAD 2444 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 7008S35 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 6 Неустойчивый 512Кбит 35 нс СРАМ 64К х 8 Параллельно 35 нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе