Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | АТ24С128-10ПК | - | ![]() | 4006 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | АТ24С128 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 16К х 8 | I²C | 10 мс | ||
![]() | W25Q64JVZESQ | - | ![]() | 3361 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q64JVZESQ | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||
![]() | MT28F400B5WP-8 Б ТР | - | ![]() | 1798 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф400Б5 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8, 256К х 16 | Параллельно | 80нс | |||
![]() | 25АА512-И/СН | 2,6100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25АА512 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 25AA512ISN | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | ЭСППЗУ | 64К х 8 | СПИ | 5 мс | ||
| S26KL128SDABHA030 | 6.4750 | ![]() | 8453 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KL | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КЛ128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 338 | 100 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | S25FL512SAGMFVG13 | 9.4325 | ![]() | 2605 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1450 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||
| 24LC014H-E/СТ | 0,5100 | ![]() | 2513 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24LC014H | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 400 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | БР93Г66ФВТ-3БГЭ2 | 0,6300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | БР93Г66 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ТССОП-Б | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 3 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 16 | Микропровод | 5 мс | |||
![]() | AT45DB321D-MWU | - | ![]() | 6775 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | АТ45ДБ321 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВДФН (8х6) | скачать | 3 (168 часов) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 66 МГц | Энергонезависимый | 32Мбит | ВСПЫШКА | 528 байт x 8192 страницы | СПИ | 6 мс | |||||
![]() | ИДТ71В65602С100ПФГ | - | ![]() | 8183 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В65602 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В65602С100ПФГ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 9 Мбит | 5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | АС6К1008-55ПИН | 4.3500 | ![]() | 745 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AS6C1008 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 13 | Неустойчивый | 1Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | MT29E256G08CMCDBJ5-6:D ТР | - | ![]() | 9478 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 132-ТБГА | MT29E256G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 132-ТБГА (12х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 167 МГц | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR | - | ![]() | 7790 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | МТ53Д768 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | УСТАРЕВШИЙ | 2000 г. | 2133 ГГц | Неустойчивый | 24Гбит | ДРАМ | 768М х 32 | - | - | ||||||||||
![]() | MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 | - | ![]() | 4759 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Активный | MT29VZZZ7 | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 0000.00.0000 | 1520 г. | ||||||||||||||||||
![]() | S99FL128SMG01 | 2,5900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Расширение | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1415SV18-250BZC | - | ![]() | 1233 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1415 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | - | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 1М х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | S25FL129P0XBHI303 | - | ![]() | 1175 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-П | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL129 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 3 мс | |||
![]() | IDT71V3559SA75BQGI | - | ![]() | 5654 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИДТ71В3559 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71V3559SA75BQGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | БР24Г01-3 | - | ![]() | 4484 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | BR24G01 | ЭСППЗУ | 1,6 В ~ 5,5 В | 8-ДИП-Т | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2000 г. | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | EDFB164A1PB-JD-FD | - | ![]() | 6746 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°С ~ 85°С (ТА) | - | - | ЭДФБ164 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95 В | - | - | 1 (без блокировки) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1190 | 933 МГц | Неустойчивый | 32Гбит | ДРАМ | 512М х 64 | Параллельно | - | |||||
![]() | AT27C010L-45PC | - | ![]() | 1337 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AT27C010 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | AT27C010L45PC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 12 | Энергонезависимый | 1Мбит | 45 нс | СППЗУ | 128 КБ х 8 | Параллельно | - | ||
| S26KL256SDABHV020 | 12.0000 | ![]() | 91 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГиперФлэш™ КЛ | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КЛ256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1690 г. | 100 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | ИС43ТР16128Б-15ХБЛИ | - | ![]() | 8940 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | CY7C1021CV33-10BAXI | - | ![]() | 2183 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY7C1021 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (7х7) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 416 | Неустойчивый | 1Мбит | 10 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | FM93CS56M8 | - | ![]() | 4585 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93CS56 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 16 | Микропровод | 10 мс | |||
![]() | CY7C1049BNL-17VC | - | ![]() | 1211 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1049 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 36-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 17 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 17нс | |||
![]() | 709349L7PFGI8 | - | ![]() | 2697 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 709349Л | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 72Кбит | 7,5 нс | СРАМ | 4К х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | CY7C1370D-167AXC | - | ![]() | 6622 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,4 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | 7015L12J8 | - | ![]() | 7990 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7015L12 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 72Кбит | 12 нс | СРАМ | 8К х 9 | Параллельно | 12нс | |||
![]() | 7008С35ПФ | - | ![]() | 2444 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 7008S35 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 512Кбит | 35 нс | СРАМ | 64К х 8 | Параллельно | 35 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)