SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
S29CD032J0PFAM010 Infineon Technologies S29CD032J0PFAM010 -
запросить цену
ECAD 8959 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший скачать 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1
CG5955BA Cypress Semiconductor Corp CG5955BA -
запросить цену
ECAD 1149 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация * Масса Активный - Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1
CY7C1412AV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1412AV18-250BZC 47.0800
запросить цену
ECAD 129 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1412 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 2М х 18 Параллельно - Не проверено
CY7C0851AV-167AXC Infineon Technologies CY7C0851AV-167AXC -
запросить цену
ECAD 6452 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 176-LQFP CY7C0851 SRAM — двухпортовый, синхронный 3135 В ~ 3465 В 176-TQFP (24x24) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 40 167 МГц Неустойчивый 2Мбит СРАМ 64К х 36 Параллельно -
CY62127DV30LL-70ZI Cypress Semiconductor Corp CY62127DV30LL-70ZI 1,3400
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62127 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1Мбит 70 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 70нс
STK14C88-5L35M Cypress Semiconductor Corp СТК14C88-5L35M -
запросить цену
ECAD 7215 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-СТК14К88-5Л35М-428 3A001A2C 0000.00.0000 1
MX25L25745GMI-08G Macronix MX25L25745GMI-08G 2,7680
запросить цену
ECAD 1546 0,00000000 Макроникс MXSMIO™ Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП - 3 (168 часов) 1092-MX25L25745GMI-08G 44 120 МГц Энергонезависимый 256Мбит 6 нс ВСПЫШКА 64М х 4, 128М х 2, 256М х 1 CFI 30 мкс, 750 мкс
CG10081AFT Infineon Technologies CG10081AFT 3,5785
запросить цену
ECAD 1232 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует ROHS3 1000
S99ML01G10042 SkyHigh Memory Limited S99ML01G10042 -
запросить цену
ECAD 5709 0,00000000 SkyHigh Память ограничена - Масса Снято с производства в НИЦ S99ML01 - Поставщик не определен 2120-С99МЛ01Г10042 0000.00.0000 96 Не проверено
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 ААТ:Б ТР 32,5650
запросить цену
ECAD 3030 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 200-ВФБГА (10х14,5) - 557-МТ62Ф1Г32Д4ДС-031ААТ:БТР 2000 г. 3,2 ГГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 1Г х 32 Параллельно -
93LC76BT-I/MS Microchip Technology 93LC76BT-I/МС -
запросить цену
ECAD 1783 г. 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) 93LC76 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 3 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 512 х 16 Микропровод 5 мс
SM671PED-AFSS Silicon Motion, Inc. SM671PED-AFSS -
запросить цену
ECAD 1368 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-УФС™ Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 153-ТФБГА СМ671 ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) - 153-БГА (11,5х13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1984-SM671PED-AFSS 1 Энергонезависимый 320Гбит ВСПЫШКА 40 г х 8 УФС2.1 -
MT57W1MH18BF-7.5 Micron Technology Inc. МТ57В1МХ18БФ-7,5 23.0000
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА SRAM — синхронный, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 МГц Неустойчивый 18 Мбит 500 пс СРАМ 1М х 18 ХСТЛ -
S80KS2562GABHB020 Infineon Technologies S80KS2562GABHB020 15.4500
запросить цену
ECAD 676 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА С80КС2562 PSRAM (псевдо SRAM) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0024 338 200 МГц Неустойчивый 256Мбит 35 нс ПСРАМ 32М х 8 Гипербус 35 нс
S26361-F4083-E316-C ProLabs S26361-F4083-E316-C 210.0000
запросить цену
ECAD 8427 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-S26361-F4083-E316-C EAR99 8473.30.5100 1
CY14MB064J1-SXI Cypress Semiconductor Corp CY14MB064J1-SXI 3.1900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) CY14MB064 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 94 3,4 МГц Энергонезависимый 64Кбит НВСРАМ 8К х 8 I²C - Не проверено
M3004316045NX0PTAR Renesas Electronics America Inc M3004316045NX0PTAR 10.5203
запросить цену
ECAD 2614 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 2,7 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II - Соответствует ROHS3 800-M3004316045NX0PTATR 1 Энергонезависимый 4 Мбит 45 нс БАРАН 256К х 16 Параллельно 45нс
MT58L256L18F1T-10 Micron Technology Inc. МТ58Л256Л18Ф1Т-10 5.9800
запросить цену
ECAD 37 0,00000000 Микрон Технология Инк. СИНКБЕРСТ™ Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP SRAM – стандартный 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20,1) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 МГц Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
MB85RS64TPNF-G-JNE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS64TPNF-G-JNE2 1,6913
запросить цену
ECAD 8392 0,00000000 Кага FEI America, Inc. - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 1,8 В ~ 3,6 В 8-СОП - 865-MB85RS64TPNF-G-JNE2 95 10 МГц Энергонезависимый 64Кбит 18 нс ФРАМ 8К х 8 СПИ -
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 АВТО:Б 71.3850
запросить цену
ECAD 9767 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Коробка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 441-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR5 1,05 В 441-ТФБГА (14х14) - 557-МТ62Ф1Г64Д8ЕК-031АУТ:Б 1 3,2 ГГц Неустойчивый 64Гбит ДРАМ 1Г х 64 Параллельно -
FM24C256FLEM8 Fairchild Semiconductor FM24C256FLEM8 0,8800
запросить цену
ECAD 431 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) FM24C256 ЭСППЗУ 2,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 400 кГц Энергонезависимый 256Кбит 900 нс ЭСППЗУ 32К х 8 I²C 6 мс
CAT28LV65XI-15 Catalyst Semiconductor Inc. КАТ28LV65XI-15 -
запросить цену
ECAD 6184 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) КАТ28LV65 ЭСППЗУ 3 В ~ 3,6 В 28-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 Энергонезависимый 64Кбит 150 нс ЭСППЗУ 8К х 8 Параллельно 5 мс
IS62WV6416FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45TLI 1,5722
запросить цену
ECAD 2647 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС62ВВ6416ФБЛЛ-45ТЛИ 135 Неустойчивый 1Мбит 45 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 45нс
IS43LR32320C-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-5BLI-TR 8.3524
запросить цену
ECAD 2827 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-IS43LR32320C-5БЛИ-ТР 2500 208 МГц Неустойчивый 1Гбит 5 нс ДРАМ 32М х 32 Параллельно 14,4 нс
CY7C1163KV18-400BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1163KV18-400BZI 37.1400
запросить цену
ECAD 559 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1163 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать 9 400 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 1М х 18 Параллельно - Не проверено
MX25U12832FM2I02 Macronix MX25U12832FM2I02 2,4800
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Макроникс MXSMIO™ Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) MX25U12832 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 2 В 8-СОП - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1092-MX25U12832FM2I02 3А991Б1А 8542.32.0071 92 133 МГц Энергонезависимый 128 Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI 40 мкс, 3 мс
28C64A-35B/XA Microchip Technology 28С64А-35Б/ХА 16.0000
запросить цену
ECAD 7144 0,00000000 Микрочиповая технология - Масса Активный - - - 28С64А ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В - скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 1 Энергонезависимый 64Кбит ЭСППЗУ 8К х 8 Параллельно 1 мс
RM25C256C-LTAI-B Adesto Technologies RM25C256C-LTAI-B -
запросить цену
ECAD 6633 0,00000000 Адесто Технологии Маврик™ Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) RM25C256 КБРАМ 1,65 В ~ 3,6 В 8-ЦСОП - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0051 100 10 МГц Энергонезависимый 256Кбит CBRAM® Размер страницы 64 байта СПИ 100 мкс, 5 мс
CG8554AAT Infineon Technologies CG8554AAT -
запросить цену
ECAD 5582 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший - REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1000
CAT24C04WI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C04WI-GT3 0,1300
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. * Масса Активный скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-CAT24C04WI-GT3-736 2340
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе