Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]()  |                                                           IDT6116SA45TP | - | ![]()  |                              3576 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 24-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | IDT6116 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 24-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 6116SA45TP | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 16Кбит | 45 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 45нс | ||
![]()  |                                                           C-2933D4SR8N/16G | 109,5000 | ![]()  |                              5392 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-C-2933D4SR8N/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]()  |                                                           W631GU6MB15J | - | ![]()  |                              8874 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W631GU6MB15J | УСТАРЕВШИЙ | 198 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]()  |                                                           71В321ЛА25ПФ8 | - | ![]()  |                              3096 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 71В321Л | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 16Кбит | 25 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
![]()  |                                                           S34SL02G200BHV003 | - | ![]()  |                              8674 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | СЛ-2 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | S34SL02 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-БГА (11х9) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2300 | Энергонезависимый | 2Гбит | 25 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | - | |||
![]()  |                                                           GD25Q256EWIGY | 2,2897 | ![]()  |                              7620 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | ВСПЫШКА-НОР (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (5х6) | скачать | 1970-GD25Q256EWIGY | 5700 | 133 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||||||
| МТ46Х16М16ЛФБФ-75:А | - | ![]()  |                              7292 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ВФБГА | МТ46Х16М16 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 60-ВФБГА (8х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15нс | |||
![]()  |                                                           71В424С12ЙГИ8 | - | ![]()  |                              9594 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71В424 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 36-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 12нс | |||
![]()  |                                                           AS8C403625-QC75N | 4,3972 | ![]()  |                              3718 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | AS8C403625 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 117 МГц | Неустойчивый | 4 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | 8,5 нс | ||
| W25Q64JVTCJQ ТР | - | ![]()  |                              9045 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q64JVTCJQTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]()  |                                                           МТ42Л128М64Д2ЛЛ-25 ВТ:А | - | ![]()  |                              3815 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 216-ВФБГА | МТ42Л128М64 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,3 В | 216-ФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1008 | 400 МГц | Неустойчивый | 8Гбит | ДРАМ | 128М х 64 | Параллельно | - | |||
![]()  |                                                           AT28HC64B-12TI | - | ![]()  |                              7636 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | AT28HC64 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | Энергонезависимый | 64Кбит | 120 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | Параллельно | 10 мс | |||
![]()  |                                                           CY62177GE30-55ZXIT | 62,5625 | ![]()  |                              1938 год | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 32 Мбит | 55 нс | СРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 55нс | ||||||
![]()  |                                                           MT49H32M18CSJ-25E ИТ:Б | - | ![]()  |                              6589 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-ТФБГА | МТ49Н32М18 | ДРАМ | 1,7 В ~ 1,9 В | 144-ФБГА (18,5х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1120 | 400 МГц | Неустойчивый | 576Мбит | 15 нс | ДРАМ | 32М х 18 | Параллельно | - | ||
![]()  |                                                           MT41DC11TW-V88A | - | ![]()  |                              4776 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | МТ41DC | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | ||||||||||||||||
![]()  |                                                           7133LA35JI | - | ![]()  |                              2438 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7133ЛА | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Неустойчивый | 32Кбит | 35 нс | СРАМ | 2К х 16 | Параллельно | 35нс | ||||
![]()  |                                                           71В3557С80БГ8 | 9,9699 | ![]()  |                              8588 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | 71В3557 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | |||
| AT45DQ321-CCUD-T | - | ![]()  |                              7726 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 9-УБГА | AT45DQ321 | ВСПЫШКА | 2,5 В ~ 3,6 В | 9-УБГА (6х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 528 байт x 8192 страницы | СПИ | 8 мкс, 4 мс | ||||
![]()  |                                                           АТ25СФ161-УУД-Т | - | ![]()  |                              7997 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УФБГА, ВЛЦП | АТ25SF161 | ВСПЫШКА – НО | 2,5 В ~ 3,6 В | 8-ВЛЦСП (2,55х1,45) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 5 мс | ||||
| CAV25320VE-GT3 | 0,7700 | ![]()  |                              961 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАВ25320 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 10 МГц | Энергонезависимый | 32Кбит | ЭСППЗУ | 4К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
![]()  |                                                           S25FL132K0XMFI011 | - | ![]()  |                              5388 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ1-К | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FL132 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2832-S25FL132K0XMFI011 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 91 | 108 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||
| 93С86Б-И/П | - | ![]()  |                              2087 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 93C86 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 3 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 16 | Микропровод | 2 мс | ||||
![]()  |                                                           FT93C56A-UDR-B | - | ![]()  |                              9503 | 0,00000000 | Фремонт Микро Девайс Лтд. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 93С56А | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1219-1203 гг. | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 2 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8, 128 х 16 | 3-проводной последовательный порт | 10 мс | ||
![]()  |                                                           MTFC4GLGDQ-AIT Z | - | ![]()  |                              9244 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | МТФК4 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LBGA (14x18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | MTFC4GLGDQ-AITZ | УСТАРЕВШИЙ | 980 | Энергонезависимый | 32Гбит | ВСПЫШКА | 4G х 8 | ММК | - | |||||
| 25LC040А-И/П | 0,6500 | ![]()  |                              1 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 25LC040 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | 25LC040AIP | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]()  |                                                           ИС42С16160Б-6БЛ-ТР | - | ![]()  |                              3912 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЛФБГА | ИС42С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЛФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | ||
![]()  |                                                           АТ25040-10ПИ-2,7 | - | ![]()  |                              7242 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | АТ25040 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 3 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]()  |                                                           ИС42С81600Ф-7ТЛИ-ТР | 2,4556 | ![]()  |                              8492 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С81600 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1500 | 143 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 8 | Параллельно | - | ||
![]()  |                                                           GE28F160C3BD70A | 3.3600 | ![]()  |                              64 | 0,00000000 | Нумоникс | - | Масса | Активный | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 16Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | ||||||||||||||
![]()  |                                                           IS25WP128-RMLE-TR | 2.1070 | ![]()  |                              4944 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | IS25WP128 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 800 мкс | 

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)