SIC
close

Память(69470)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
27C16Q55/B Rochester Electronics, LLC 27C16Q55/Б 88.7400
запросить цену
 ECAD 71 0,00000000 Рочестер Электроникс, ООО - Масса Активный -55°С ~ 125°С (ТА) Сквозное отверстие Окно 24-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) 27С16 СППЗУ - УФ 4,5 В ~ 5,5 В 24-ДИП - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A001A2C 8542.32.0051 1 Энергонезависимый 16Кбит 550 нс СППЗУ 2К х 8 Параллельно -
MB85RC256VPF-G-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RC256VPF-G-BCERE1 3,2589
запросить цену
 ECAD 8743 0,00000000 Кага FEI America, Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) MB85RC256 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 2,7 В ~ 5,5 В 8-СОП - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 865-MB85RC256VPF-G-BCERE1TR EAR99 8542.32.0071 500 1 МГц Энергонезависимый 256Кбит 550 нс ФРАМ 32К х 8 I²C -
S29WS128N0SBAW010 Infineon Technologies S29WS128N0SBAW010 -
запросить цену
 ECAD 1681 г. 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1
MTFC64GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC64GASAONS-AIT TR 37,6950
запросить цену
 ECAD 7973 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q104 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 153-ТФБГА ФЛЕШ-NAND (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 153-ТФБГА (11,5х13) - 557-MTFC64GASAONS-AITTR 2000 г. 52 МГц Энергонезависимый 512Гбит ВСПЫШКА 64Г х 8 УФС2.1 -
IS42S32160F-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С32160Ф-75ЭБЛИ 13.0470
запросить цену
 ECAD 4006 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 90-ТФБГА ИС42С32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 90-ТФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 240 133 МГц Неустойчивый 512 Мбит 6 нс ДРАМ 16М х 32 Параллельно -
S25FL116K0XBHI020 Infineon Technologies S25FL116K0XBHI020 -
запросить цену
 ECAD 1994 год 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ1-К Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL116 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 338 108 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
W957D8MFYA5I Winbond Electronics W957D8MFYA5I 3.7300
запросить цену
 ECAD 9311 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ W957D8 ГиперОЗУ 3 В ~ 3,6 В 24-TFBGA, DDP (6x8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-В957Д8МФЯ5И EAR99 8542.32.0002 480 200 МГц Неустойчивый 128Мбит 36 нс ДРАМ 16М х 8 Гипербус 35 нс
IS43TR85120A-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР85120А-093НБЛИ -
запросить цену
 ECAD 7700 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА IS43TR85120 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 78-TWBGA (9х10,5) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС43ТР85120А-093НБЛИ EAR99 8542.32.0036 220 1066 ГГц Неустойчивый 4Гбит 20 нс ДРАМ 512М х 8 Параллельно 15 нс
3PL81AT-C ProLabs 3PL81AT-C 29.5000
запросить цену
 ECAD 8019 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-3PL81AT-C EAR99 8473.30.5100 1
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT:B 55.3050
запросить цену
 ECAD 9548 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный - - - SDRAM — мобильный LPDDR5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT:B 1 4266 ГГц Неустойчивый 96Гбит ДРАМ 1,5 г х 64 Параллельно -
AT25DN512C-MAHFGP-Y Adesto Technologies AT25DN512C-MAHFGP-Y -
запросить цену
 ECAD 8218 0,00000000 Адесто Технологии - Поднос Снято с производства в НИЦ -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка АТ25ДН512 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-УДФН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 490 104 МГц Энергонезависимый 512Кбит ВСПЫШКА 64К х 8 СПИ 8 мкс, 1,75 мс
CY7C1670KV18-450BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1670KV18-450BZXC 345.5500
запросить цену
 ECAD 312 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1670 SRAM — синхронный, DDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать 1 450 МГц Неустойчивый 144 Мбит СРАМ 4М х 36 Параллельно - Не проверено
CY7C1399BL-12ZXC Infineon Technologies CY7C1399BL-12ZXC -
запросить цену
 ECAD 2736 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) CY7C1399 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 28-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 234 Неустойчивый 256Кбит 12 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 12нс
S70KS1283GABHB023 Infineon Technologies S70KS1283GABHB023 9,8525
запросить цену
 ECAD 6062 0,00000000 Инфинеон Технологии ГиперОЗУ™ КЛ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА PSRAM (псевдо SRAM) 1,7 В ~ 2 В 24-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 2500 200 МГц Неустойчивый 128Мбит 35 нс ПСРАМ 16М х 8 SPI — восьмеричный ввод-вывод 35 нс
CY62157ESL-45ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY62157ESL-45ZSXI -
запросить цену
 ECAD 7171 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ® Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62157 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 5,5 В 44-ЦОП II скачать 1 Неустойчивый 8 Мбит 45 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 45нс Не проверено
CY7C1165KV18-400BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1165KV18-400BZC 37.1400
запросить цену
 ECAD 363 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1165 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать 9 400 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 512К х 36 Параллельно - Не проверено
A02-M308GB1-2-C ProLabs A02-M308GB1-2-C 70.0000
запросить цену
 ECAD 3803 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-A02-M308GB1-2-C EAR99 8473.30.5100 1
MTFC8GACAALT-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GACAALT-4M ИТ -
запросить цену
 ECAD 6301 0,00000000 Микрон Технология Инк. e•MMC™ Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-ТБГА MTFC8 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 100-ТБГА (14х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) MTFC8GACAALT-4MIT 3А991Б1А 8542.32.0071 980 Энергонезависимый 64Гбит ВСПЫШКА 8Г х 8 ММК -
709269S7PFG Renesas Electronics America Inc 709269S7PFG -
запросить цену
 ECAD 4823 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Последняя покупка 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP SRAM — двухпортовый, стандартный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) - 800-709269С7ПФГ 1 Неустойчивый 256Кбит СРАМ 16К х 16 Параллельно -
M58WR032KB7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR032KB7AZB6E -
запросить цену
 ECAD 5823 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-ВФБГА M58WR032 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 56-ВФБГА (7,7х9) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 336 66 МГц Энергонезависимый 32 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 2М х 16 Параллельно 70нс
7007L25J Renesas Electronics America Inc 7007L25J -
запросить цену
 ECAD 6318 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7007L25 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 9 Неустойчивый 256Кбит 25 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
AS7C32096A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-12TCNTR 4,4831
запросить цену
 ECAD 6420 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS7C32096 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 12 нс СРАМ 256К х 8 Параллельно 12нс
W25Q16JWZPIQ Winbond Electronics W25Q16JWZPIQ 0,5829
запросить цену
 ECAD 1833 г. 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q16 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-ВСОН (6х5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q16JWZPIQ EAR99 8542.32.0071 100 133 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
MT45W4MW16BFB-708 L WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 L WT TR -
запросить цену
 ECAD 7287 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 54-ВФБГА MT45W4MW16 PSRAM (псевдо SRAM) 1,7 В ~ 1,95 В 54-ВФБГА (6х9) скачать не соответствует RoHS 2 (1 год) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2000 г. Неустойчивый 64 Мбит 70 нс ПСРАМ 4М х 16 Параллельно 70нс
CY27H010-70PC Cypress Semiconductor Corp CY27H010-70ПК -
запросить цену
 ECAD 5630 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) CY27H010 СППЗУ - УФ 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПДИП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 1 Мбит 70 нс СППЗУ 128 КБ х 8 Параллельно -
M93C76-RMN3TP/K STMicroelectronics М93С76-РМН3ТП/К 0,6500
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 СТМикроэлектроника Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) М93С76 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 497-14437-2 EAR99 8542.32.0051 2500 2 МГц Энергонезависимый 4Кбит ЭСППЗУ 512 х 8, 256 х 16 Микропровод 5 мс
A7946645-C ProLabs А7946645-С 132,5000
запросить цену
 ECAD 1365 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А7946645-С EAR99 8473.30.5100 1
IDT71V67602S166BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V67602S166BQI -
запросить цену
 ECAD 1243 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА ИДТ71В67602 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-КАБГА (13х15) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В67602С166БКИ 3A991B2A 8542.32.0041 136 166 МГц Неустойчивый 9 Мбит 3,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 МТА:J ТР 5.6400
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ41К64М16 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (8х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 2000 г. 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно -
PCA24S08D,118 NXP USA Inc. PCA24S08D,118 -
запросить цену
 ECAD 1003 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ПКА24 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 3,6 В 8-СО скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 400 кГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 I²C -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.