Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT6116SA45TP | - | ![]() | 3576 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 24-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | IDT6116 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 24-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 6116SA45TP | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Неустойчивый | 16Кбит | 45 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 45нс | ||
![]() | W631GU6MB15J | - | ![]() | 8874 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W631GU6MB15J | УСТАРЕВШИЙ | 198 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | CY7C1381KV33-100AXC | 32.4000 | ![]() | 720 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1381 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | IDT71T75802S100PFGI | - | ![]() | 3517 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71Т75 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 2375 В ~ 2625 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71T75802S100PFGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 5 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
![]() | НДЛ46ПФП-9МИТ ТР | 9.0000 | ![]() | 3354 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджик Корпорейшн | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | - | 1982-НДЛ46ПФП-9МИТТР | 2500 | 933 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15нс | |||||||
![]() | МТ28Ф400Б3СГ-8 Б ТР | - | ![]() | 5095 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-SOIC (ширина 0,496 дюйма, 12,60 мм) | МТ28Ф400Б3 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 44-СО | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8, 256К х 16 | Параллельно | 80нс | |||
![]() | M25PX16-VMW6TG ТР | - | ![]() | 8787 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | M25PX16 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СО В | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 75 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | СПИ | 15 мс, 5 мс | |||
![]() | 24LC02BHT-E/МС | 0,4350 | ![]() | 3240 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) | 24LC02BH | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | ||
![]() | S25FL128LAGMFI010 | 4.4100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-Л | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 280 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||
| 93С86Б-И/П | - | ![]() | 2087 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 93C86 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 3 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 16 | Микропровод | 2 мс | ||||
![]() | AT28C010E-12DM/883 | 545,6100 | ![]() | 8650 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -55°C ~ 125°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-CDIP (0,600 дюймов, 15,24 мм) | AT28C010 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-CDIP | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 12 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 120 нс | ЭСППЗУ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 10 мс | |||
![]() | 709289L9PFI8 | - | ![]() | 9821 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 709289Л | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1 Мбит | 9 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | АТ28HC64B-90SU | 7.9500 | ![]() | 3525 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | AT28HC64 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | AT28HC64B90SU | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | Энергонезависимый | 64Кбит | 90 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | Параллельно | 10 мс | ||
| 24ВЛ025Т/ОТ | 0,4400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -20°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 | 24ВЛ025 | ЭСППЗУ | 1,5 В ~ 3,6 В | СОТ-23-6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | N25Q128A13EV740 | - | ![]() | 5774 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | - | - | N25Q128A13 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | 108 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 4 | СПИ | 8 мс, 5 мс | |||
![]() | 24AA512SC-I/С22К | - | ![]() | 5491 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | 24АА512 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | Править | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | ||
![]() | CY621572E18LL-55BVXIT | - | ![]() | 3594 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY621572 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,25 В | 48-ВФБГА (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | Неустойчивый | 8 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | C-667D2N5/2ГБ | 17.5000 | ![]() | 2307 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-C-667D2N5/2ГБ | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1615KV18-250BZXC | - | ![]() | 6873 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1615 | SRAM — синхронный, QDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | 250 МГц | Неустойчивый | 144 Мбит | СРАМ | 4М х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | S34MS02G104BHB010 | - | ![]() | 6481 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МС-1 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | С34МС02 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-БГА (11х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 210 | Энергонезависимый | 2Гбит | 45 нс | ВСПЫШКА | 128М х 16 | Параллельно | 45нс | |||
![]() | W25Q64FVSH03 | - | ![]() | 9555 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | - | - | - | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 3 мс | |||
![]() | MTFC4GLGDQ-AIT Z | - | ![]() | 9244 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | МТФК4 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LBGA (14x18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | MTFC4GLGDQ-AITZ | УСТАРЕВШИЙ | 980 | Энергонезависимый | 32Гбит | ВСПЫШКА | 4G х 8 | ММК | - | |||||
![]() | MT29F4G08ABDAH4-ITX:D ТР | - | ![]() | 2947 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | MT29F4G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-ВФБГА (9х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4Гбит | ВСПЫШКА | 512М х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | 709359L9PF | - | ![]() | 8954 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 709359Л | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 144Кбит | 9 нс | СРАМ | 8К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | 71321SA35PF | - | ![]() | 9483 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 71321SA | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 16Кбит | 35 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 35нс | |||
![]() | CY62256NLL-70ZXI | - | ![]() | 6257 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2,0139 | ![]() | 2642 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС66ВВК2М4ДАЛЛ-200БЛИ-ТР | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 8 Мбит | ПСРАМ | 2М х 4 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 40 нс | |||||
![]() | 71342LA55PFI8 | - | ![]() | 8590 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 71342LA | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 32Кбит | 55 нс | СРАМ | 4К х 8 | Параллельно | 55нс | ||||
![]() | CY7C027V-15AC | - | ![]() | 2711 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C027 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 512Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 16 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | IS61LPD51236A-200TQI-TR | - | ![]() | 7824 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IS61LPD51236 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-LQFP (14x20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 3,1 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)