SIC
close

Память(69470)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
W25Q16CVSSAG Winbond Electronics W25Q16CVSSAG -
запросить цену
 ECAD 1725 г. 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25Q16 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q16CVSSAG УСТАРЕВШИЙ 1 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит 6 нс ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 50 мкс, 3 мс
70V18S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70В18С12ПФИ8 -
запросить цену
 ECAD 1523 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Последняя покупка - 800-70В18С12ПФИ8ТР 1
MT46V32M16FN-75 IT:C Micron Technology Inc. МТ46В32М16ФН-75 ИТ:С -
запросить цену
 ECAD 8544 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА МТ46В32М16 SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 60-ФБГА (10х12,5) - не соответствует RoHS 5 (48 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 133 МГц Неустойчивый 512 Мбит 750 пс ДРАМ 32М х 16 Параллельно 15нс
MT46V32M8CY-5B:M TR Micron Technology Inc. MT46V32M8CY-5B:М ТР -
запросить цену
 ECAD 2246 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА МТ46В32М8 SDRAM-DDR 2,5 В ~ 2,7 В 60-ФБГА (8х12,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 200 МГц Неустойчивый 256Мбит 700 пс ДРАМ 32М х 8 Параллельно 15нс
W66CM2NQUAHJ Winbond Electronics W66CM2NQUAHJ 10.1293
запросить цену
 ECAD 8286 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Не для новых дизайнов -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА W66CM2 SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 200-ВФБГА (10х14,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W66CM2NQUAHJ EAR99 8542.32.0036 144 2133 ГГц Неустойчивый 4Гбит 3,5 нс ДРАМ 128М х 32 ЛВСТЛ_11 18нс
M25P64-VMF3PB Micron Technology Inc. М25П64-ВМФ3ПБ -
запросить цену
 ECAD 3122 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Трубка Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) М25П64 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3А991Б1А 8542.32.0071 1225 75 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 СПИ 15 мс, 5 мс
IS61LP6436A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQLI-TR 5.4170
запросить цену
 ECAD 1588 г. 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИС61ЛП6436 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-LQFP (14x20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 МГц Неустойчивый 2Мбит 4 нс СРАМ 64К х 36 Параллельно -
AT28HC256-90TU-T Microchip Technology АТ28HC256-90ТУ-Т -
запросить цену
 ECAD 9674 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) AT28HC256 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0051 2000 г. Энергонезависимый 256Кбит 90 нс ЭСППЗУ 32К х 8 Параллельно 10 мс
IS46TR16128A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС46ТР16128А-125КБЛА2 -
запросить цену
 ECAD 5775 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS46TR16128 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-TWBGA (9x13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 190 800 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15нс
IS43DR86400C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ДР86400С-25ДБЛИ 6,8343
запросить цену
 ECAD 4987 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА ИС43ДР86400 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 60-TWBGA (8х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 242 400 МГц Неустойчивый 512 Мбит 400 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15нс
GM252AA-C ProLabs ГМ252АА-С 17.5000
запросить цену
 ECAD 4675 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-GM252AA-C EAR99 8473.30.5100 1
7016L35J8 Renesas Electronics America Inc 7016L35J8 -
запросить цену
 ECAD 9601 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7016L35 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 250 Неустойчивый 144Кбит 35 нс СРАМ 16К х 9 Параллельно 35нс
AT45DQ321-MHD-T Adesto Technologies AT45DQ321-MHD-T -
запросить цену
 ECAD 7138 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-УДФН Открытая площадка AT45DQ321 ВСПЫШКА 2,5 В ~ 3,6 В 8-УДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 6000 104 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 528 байт x 8192 страницы СПИ 8 мкс, 4 мс
AS4C128M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCNTR -
запросить цену
 ECAD 7502 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА AS4C128 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (9х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 2000 г. 800 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15нс
W631GU6NB11I Winbond Electronics W631GU6NB11I 4.8800
запросить цену
 ECAD 28 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ВФБГА W631GU6 SDRAM-DDR3L 1283 В ~ 1,45 В, 1425 В ~ 1575 В 96-ВФБГА (7,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-В631ГУ6НБ11И EAR99 8542.32.0032 198 933 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15нс
AS7C256A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-10TCNTR 1,9342
запросить цену
 ECAD 2690 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) AS7C256 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 256Кбит 10 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 10 нс
M95512-RCS6TP/K STMicroelectronics M95512-RCS6TP/К -
запросить цену
 ECAD 4793 0,00000000 СТМикроэлектроника - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФБГА, ВЛЦП M95512 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-WLCSP скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 16 МГц Энергонезависимый 512Кбит ЭСППЗУ 64К х 8 СПИ 5 мс
CAT24C32WGI-26751 onsemi CAT24C32WGI-26751 0,2400
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) КАТ24C32 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-МСОП - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-CAT24C32WGI-26751-488 EAR99 8542.32.0071 1 1 МГц Энергонезависимый 32Кбит 400 нс ЭСППЗУ 4К х 8 I²C 5 мс
MT53E256M16D1FW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 WT:B 7.7349
запросить цену
 ECAD 7625 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В 200-ТФБГА (10х14,5) скачать 557-MT53E256M16D1FW-046WT:B 1 2133 ГГц Неустойчивый 4Гбит 3,5 нс ДРАМ 256М х 16 Параллельно 18нс
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-6 ИТ:К ТР -
запросить цену
 ECAD 8553 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ВФБГА МТ48Х8М16 SDRAM — мобильный LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В 54-ВФБГА (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 1000 166 МГц Неустойчивый 128Мбит 5 нс ДРАМ 8М х 16 Параллельно 15нс
CY7B139-35JI Cypress Semiconductor Corp CY7B139-35JI 34.8000
запросить цену
 ECAD 1305 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) CY7B139 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛСС (24,23х24,23) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 36Кбит 35 нс СРАМ 4К х 9 Параллельно 35нс
SST26VF032BT-104V/TD Microchip Technology ССТ26ВФ032БТ-104В/ТД -
запросить цену
 ECAD 7162 0,00000000 Микрочиповая технология SST26 SQI® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ SST26VF032 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 24-ТБГА (6х8) - Соответствует ROHS3 REACH не касается 150-ССТ26ВФ032БТ-104В/ТДТР 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 104 МГц Энергонезависимый 32 Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1,5 мс
BR25S320NUX-WTR Rohm Semiconductor BR25S320NUX-WTR 0,7600
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка БР25С320 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В ВСОН008X2030 скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 4000 20 МГц Энергонезависимый 32Кбит ЭСППЗУ 4К х 8 СПИ 5 мс
S25FL512SDSBHMC10 Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC10 12.9500
запросить цену
 ECAD 4170 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 676 80 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 64М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
BR24C02-WDW6TP Rohm Semiconductor BR24C02-WDW6TP -
запросить цену
 ECAD 6549 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) BR24C02 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 3000 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR -
запросить цену
 ECAD 1238 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 376-ВФБГА МТ53Д512 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В 376-ВФБГА (14х14) - 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 2133 ГГц Неустойчивый 32Гбит ДРАМ 512М х 64 - -
IS42S83200B-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С83200Б-6ТЛИ-ТР -
запросить цену
 ECAD 9552 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1500 166 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 32М х 8 Параллельно -
70V9269L12PRFI Renesas Electronics America Inc 70В9269Л12ПРФИ -
запросить цену
 ECAD 1400 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 128-LQFP 70В9269 SRAM — двухпортовый, синхронный 3 В ~ 3,6 В 128-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 6 Неустойчивый 256Кбит 12 нс СРАМ 16К х 16 Параллельно -
W631GG6MB-12 Winbond Electronics W631GG6MB-12 3.6000
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ВФБГА W631GG6 SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-ВФБГА (7,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 256-W631GG6MB-12 EAR99 8542.32.0032 198 800 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно -
IS43R86400D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43Р86400Д-5ТЛИ-ТР 7.8600
запросить цену
 ECAD 8247 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС43Р86400 SDRAM-DDR 2,5 В ~ 2,7 В 66-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 1500 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.