- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- Коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(69470)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DS1225AD-150+ | 22.2200 |  | 153 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1225A | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЭДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | -4941-DS1225AD-150+ | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | Энергонезависимый | 64Кбит | 150 нс | НВСРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||
 | MT48LC128M4A2P-75:C ТР | - | | 5026 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ48LC128M4A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 128М х 4 | Параллельно | 15нс | ||
 | S-93L76AD0I-J8T1U | 0,3168 | | 7038 | 0,00000000 | АБЛИК Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | С-93Л76 | ЭСППЗУ | 1,6 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0051 | 4000 | 2 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 16 | СПИ | 10 мс | |||||
 | CY7C1041G30-10ZSXE | 9.8400 | | 688 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1041 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
 | AT25640T1-10TC-2.7 | - | | 9617 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 14-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ25640 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 14-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ЭСППЗУ | 8К х 8 | СПИ | 5 мс | |||
 | PC28F640P30T85B ТР | - | | 9432 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СтратаФлэш™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ГАТБ | ПК28Ф640 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 64-EasyBGA (10x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 52 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 85 нс | ВСПЫШКА | 4М х 16 | Параллельно | 85нс | ||
 | MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D | - | | 5849 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | - | MT29F128G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 132-ТБГА (12х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1120 | 167 МГц | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | Параллельно | - | |||
 | MT46V64M8TG-5B ИТ:J | - | | 1835 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ46В64М8 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | |||
 | MT25QL256ABA1EW9-0SIT | 5.9500 | | 50 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | MT25QL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1920 год | 133 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||
 | MT41K64M16TW-107 IT:J TR | 3,6664 | | 2253 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К64М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2000 г. | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - | ||
 | MT29F512G08CUCABH3-12IT:А | - | | 4726 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | MT29F512G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LBGA (12x18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 83 МГц | Энергонезависимый | 512Гбит | ВСПЫШКА | 64Г х 8 | Параллельно | - | ||||
 | MR0A16AVYS35R | 15.5400 | | 1896 г. | 0,00000000 | Эверспин Технологии Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | MR0A16 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 35 нс | БАРАН | 64К х 16 | Параллельно | 35нс | |||
 | FEMC032GCG-T340 | 108.2500 | | 6 | 0,00000000 | Флексксон Пте, ООО | - | Поднос | Активный | -25°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | FEMC032 | ФЛЕШ-NAND (pSLC) | - | 153-ФБГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3052-FEMC032GCG-T340 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | eMMC | - | ||||
 | W25Q16FWUXSQ | - | | 6036 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-УСОН (2х3) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q16FWUXSQ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 60 мкс, 3 мс | |||
 | 7008Л20ПФ8 | - | | 2001 г. | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 7008L20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 512Кбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 8 | Параллельно | 20 нс | |||
 | S25FL512SAGBHV313 | 9.4325 | | 3777 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||
 | IS43LQ16128AL-062BLI | - | | 2173 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43ЛК16128АЛ-062БЛИ | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 16 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||
 | ССТ26ВФ016БАТ-104ИС/СМ | - | | 6088 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST26 SQI® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | SST26VF016 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИЖ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2100 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | |||
| ИС66ВВЭ4М16ЕБЛЛ-70БЛИ-ТР | 3,6010 | | 7353 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВЭ4М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 64 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
 | AT45DB081E-UUN-T | 2.1300 | | 13 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УФБГА, ВЛЦП | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-ВЛЦСП (2,32x1,61) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 85 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 4096 страниц | СПИ | 8 мкс, 4 мс | |||
| S29GL064N90TFA020 | - | | 5901 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С29ГЛ064Н90ТФА020 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S25FL256LDPNFV010 | - | | 2297 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С25ФЛ256ЛДПНФВ010 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S29PL032J70BFA070 | 4,5862 | | 2514 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | PL-J | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | S29PL032 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (8,15х6,15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1690 г. | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
| ССТ26ВФ032БТ-104В/ТД | - | | 7162 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST26 SQI® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | SST26VF032 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТБГА (6х8) | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 150-ССТ26ВФ032БТ-104В/ТДТР | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | |||
 | 49Y1564-С | 37.0000 | | 8493 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-49Y1564-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT25QL02GCBB8E12-0SIT | 34.7400 | | 6 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT25QL02 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1122 | 133 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||
 | IDT71V3578YS133PFI | - | | 5337 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В3578 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3578ИС133ПФИ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |
 | 25LC256-Е/МФ | 2.1150 | | 2453 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | 25LC256 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ДФН-С (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ЭСППЗУ | 32К х 8 | СПИ | 5 мс | |||
 | W9464G6JH-5I | - | | 9301 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | W9464G6 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 55 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
 | M95512-WMN6TP | 0,8900 | | 8772 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | M95512 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 16 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | ЭСППЗУ | 64К х 8 | СПИ | 5 мс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)