SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
MT47H64M8B6-37E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-37E IT:D ТР -
запросить цену
ECAD 6607 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 60-ФБГА МТ47Х64М8 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 60-ФБГА скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 267 МГц Неустойчивый 512 Мбит 500 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15 нс
CY14B104L-ZS20XC Infineon Technologies CY14B104L-ZS20XC -
запросить цену
ECAD 4021 0,00000000 Инфинеон Технологии - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY14B104 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 135 Энергонезависимый 4 Мбит 20 нс НВСРАМ 512К х 8 Параллельно 20нс
M25PX64SOVZM6TP TR Micron Technology Inc. М25ПХ64СОВЗМ6ТП ТР -
запросить цену
ECAD 2377 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ M25PX64 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-Т-ПБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 75 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 СПИ 15 мс, 5 мс
RM24C64BF-7-GCSI-T Adesto Technologies RM24C64BF-7-GCSI-T -
запросить цену
ECAD 1123 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 4-XFBGA, WLCSP RM24C64 ЭСППЗУ 1,65 В ~ 2,2 В 4-ВЛЦСП (0,75х0,75) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 8542.32.0051 10 000 1 МГц Энергонезависимый 64Кбит ЭСППЗУ 8К х 8 I²C 500 мкс
CY7C1345F-100BGC Cypress Semiconductor Corp CY7C1345F-100BGC -
запросить цену
ECAD 2013 год 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1345 SRAM – синхронный, SDR 3,15 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 8 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
MT48LC16M16A2P-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A:D -
запросить цену
ECAD 5185 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МТ48LC16M16A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 167 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 16М х 16 Параллельно 12нс
70824L35PFI Renesas Electronics America Inc 70824L35PFI -
запросить цену
ECAD 7365 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Последняя покупка -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 80-LQFP СРАМ 4,5 В ~ 5,5 В 80-ТКФП (14х14) - 800-70824Л35ПФИ 1 25 МГц Неустойчивый 64Кбит 35 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 35 нс
AT45DB161B-CNI Microchip Technology AT45DB161B-CNI -
запросить цену
ECAD 3403 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-ВДФН АТ45ДБ161 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-КАСОН (6х8) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 378 20 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 528 байт х 4096 страниц СПИ 14 мс
CY7C1049D-10VXI Infineon Technologies CY7C1049D-10VXI -
запросить цену
ECAD 3304 0,00000000 Инфинеон Технологии - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1049 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 36-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 19 Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 10 нс
AS4C64M8D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BINTR 4.1866
запросить цену
ECAD 1743 г. 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА AS4C64 SDRAM-DDR 2,3 В ~ 2,7 В 60-ФБГА (8х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 2500 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15 нс
AT49F002N-70PC Microchip Technology АТ49Ф002Н-70ПК -
запросить цену
ECAD 9270 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший 0°C ~ 70°C (TC) Сквозное отверстие 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) AT49F002 ВСПЫШКА 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается AT49F002N70PC EAR99 8542.32.0071 12 Энергонезависимый 2Мбит 70 нс ВСПЫШКА 256К х 8 Параллельно 50 мкс
24VL024/P Microchip Technology 24ВЛ024/П 0,6750
запросить цену
ECAD 3449 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 24ВЛ024 ЭСППЗУ 1,5 В ~ 3,6 В 8-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный REACH не касается EAR99 8542.32.0051 60 400 кГц Энергонезависимый 2Кбит 900 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
W25X16VSFIG T&R Winbond Electronics W25X16VSFIG Т&Р -
запросить цену
ECAD 9307 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) W25X16 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1000 75 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 СПИ 3 мс
11LC080T-I/MS Microchip Technology 11LC080T-I/МС 0,3900
запросить цену
ECAD 5073 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) 11LC080 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 100 кГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 Одиночный провод 5 мс
S26KL256SDABHB023 Infineon Technologies S26KL256SDABHB023 9.6600
запросить цену
ECAD 3119 0,00000000 Инфинеон Технологии Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KL Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ВБГА С26КЛ256 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-ФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 2500 100 МГц Энергонезависимый 256Мбит 96 нс ВСПЫШКА 32М х 8 Параллельно -
7015L25J8 Renesas Electronics America Inc 7015L25J8 -
запросить цену
ECAD 7027 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 68-LCC (J-вывод) 7015L25 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 250 Неустойчивый 72Кбит 25 нс СРАМ 8К х 9 Параллельно 25нс
NM93C46M8 onsemi НМ93C46M8 -
запросить цену
ECAD 5587 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 93C46 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 95 1 МГц Энергонезависимый 1Кбит ЭСППЗУ 64 х 16 Микропровод 10 мс
AS7C31026B-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-20JCN 3,6256
запросить цену
ECAD 7773 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS7C31026 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 16 Неустойчивый 1 Мбит 20 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 20нс
70V26S55G Renesas Electronics America Inc 70В26С55Г -
запросить цену
ECAD 4056 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие 84-БПГА 70В26С SRAM — двухпортовый, асинхронный 3 В ~ 3,6 В 84-ПГА (27,94х27,94) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 3 Неустойчивый 256Кбит 55 нс СРАМ 16К х 16 Параллельно 55нс
CY14B064PA-SFXIT Infineon Technologies CY14B064PA-SFXIT 8.2800
запросить цену
ECAD 8597 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) CY14B064 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1000 40 МГц Энергонезависимый 64Кбит НВСРАМ 8К х 8 СПИ -
CAT24C04LGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C04LGI -
запросить цену
ECAD 5711 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) КАТ24C04 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 400 кГц Энергонезависимый 4Кбит 900 нс ЭСППЗУ 512 х 8 I²C 5 мс
MTFC256GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. MTFC256ГАЗАОТД-АИТ 90,5250
запросить цену
ECAD 6889 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный - 557-MTFC256ГАЗАОТД-АИТ 1
16-1004144-01 Infineon Technologies 16-1004144-01 -
запросить цену
ECAD 3645 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1
CY62147G-45ZSXIT Infineon Technologies CY62147G-45ZSXIT 6,3875
запросить цену
ECAD 5915 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY62147 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 4 Мбит 45 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 45нс
MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 WT:C 42.4500
запросить цену
ECAD 7309 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Коробка Активный -25°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В 200-ТФБГА (10х14,5) скачать 557-MT53E2G32D4DE-046WT:C 1 2133 ГГц Неустойчивый 64Гбит 3,5 нс ДРАМ 2Г х 32 Параллельно 18нс
051GL512S10TFI010 Infineon Technologies 051GL512S10TFI010 -
запросить цену
ECAD 8956 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Последняя покупка - 1
IS42S32200L-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С32200Л-5ТЛ 3,3234
запросить цену
ECAD 8405 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 86-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0002 108 200 МГц Неустойчивый 64 Мбит 4,8 нс ДРАМ 2М х 32 Параллельно -
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NH-062 WT:B -
запросить цену
ECAD 7200 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 272-ВФБГА МТ53Б384 SDRAM — мобильный LPDDR4 1,1 В 272-ВФБГА (15х15) - 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1190 1,6 ГГц Неустойчивый 24Гбит ДРАМ 384 м х 64 - -
71V124SA10TYG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71В124СА10ТИГ8 2,9800
запросить цену
ECAD 125 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) 71В124 SRAM — асинхронный 3,15 В ~ 3,6 В 32-СОЮ скачать 3A991B2B 8542.32.0041 1 Неустойчивый 1 Мбит 10 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 10 нс
IS42S16320B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16320Б-6ТЛ -
запросить цену
ECAD 2870 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0028 108 166 МГц Неустойчивый 512 Мбит 5,4 нс ДРАМ 32М х 16 Параллельно -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе