Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H64M8B6-37E IT:D ТР | - | ![]() | 6607 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ФБГА | МТ47Х64М8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ФБГА | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 267 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 500 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | CY14B104L-ZS20XC | - | ![]() | 4021 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY14B104 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 20 нс | НВСРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 20нс | |||
![]() | М25ПХ64СОВЗМ6ТП ТР | - | ![]() | 2377 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | M25PX64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 75 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | СПИ | 15 мс, 5 мс | |||
![]() | RM24C64BF-7-GCSI-T | - | ![]() | 1123 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 4-XFBGA, WLCSP | RM24C64 | ЭСППЗУ | 1,65 В ~ 2,2 В | 4-ВЛЦСП (0,75х0,75) | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 8542.32.0051 | 10 000 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 500 мкс | |||
![]() | CY7C1345F-100BGC | - | ![]() | 2013 год | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1345 | SRAM – синхронный, SDR | 3,15 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 8 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | MT48LC16M16A2P-6A:D | - | ![]() | 5185 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ48LC16M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 12нс | ||
![]() | 70824L35PFI | - | ![]() | 7365 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | СРАМ | 4,5 В ~ 5,5 В | 80-ТКФП (14х14) | - | 800-70824Л35ПФИ | 1 | 25 МГц | Неустойчивый | 64Кбит | 35 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 35 нс | |||||||
![]() | AT45DB161B-CNI | - | ![]() | 3403 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН | АТ45ДБ161 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-КАСОН (6х8) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 378 | 20 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 528 байт х 4096 страниц | СПИ | 14 мс | |||
![]() | CY7C1049D-10VXI | - | ![]() | 3304 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1049 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 36-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | AS4C64M8D1-5BINTR | 4.1866 | ![]() | 1743 г. | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | AS4C64 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | АТ49Ф002Н-70ПК | - | ![]() | 9270 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 70°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AT49F002 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | AT49F002N70PC | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | Энергонезависимый | 2Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 50 мкс | ||
| 24ВЛ024/П | 0,6750 | ![]() | 3449 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -20°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 24ВЛ024 | ЭСППЗУ | 1,5 В ~ 3,6 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | W25X16VSFIG Т&Р | - | ![]() | 9307 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | W25X16 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | 75 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | СПИ | 3 мс | |||
![]() | 11LC080T-I/МС | 0,3900 | ![]() | 5073 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) | 11LC080 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 100 кГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | Одиночный провод | 5 мс | |||
| S26KL256SDABHB023 | 9.6600 | ![]() | 3119 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperFlash™ KL | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С26КЛ256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2500 | 100 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | 96 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | 7015L25J8 | - | ![]() | 7027 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 7015L25 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 72Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 9 | Параллельно | 25нс | |||
![]() | НМ93C46M8 | - | ![]() | 5587 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 93C46 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 64 х 16 | Микропровод | 10 мс | |||
![]() | AS7C31026B-20JCN | 3,6256 | ![]() | 7773 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C31026 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Неустойчивый | 1 Мбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 20нс | |||
![]() | 70В26С55Г | - | ![]() | 4056 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 84-БПГА | 70В26С | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 84-ПГА (27,94х27,94) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Неустойчивый | 256Кбит | 55 нс | СРАМ | 16К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | CY14B064PA-SFXIT | 8.2800 | ![]() | 8597 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | CY14B064 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | 40 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | НВСРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||
![]() | CAT24C04LGI | - | ![]() | 5711 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | КАТ24C04 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 512 х 8 | I²C | 5 мс | ||
![]() | MTFC256ГАЗАОТД-АИТ | 90,5250 | ![]() | 6889 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | - | 557-MTFC256ГАЗАОТД-АИТ | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | 16-1004144-01 | - | ![]() | 3645 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CY62147G-45ZSXIT | 6,3875 | ![]() | 5915 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | МоБЛ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62147 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 45нс | |||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 WT:C | 42.4500 | ![]() | 7309 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | -25°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ТФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В | 200-ТФБГА (10х14,5) | скачать | 557-MT53E2G32D4DE-046WT:C | 1 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 64Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 2Г х 32 | Параллельно | 18нс | |||||||
![]() | 051GL512S10TFI010 | - | ![]() | 8956 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ИС42С32200Л-5ТЛ | 3,3234 | ![]() | 8405 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С32200 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 4,8 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | - | ||
![]() | MT53B384M64D4NH-062 WT:B | - | ![]() | 7200 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 272-ВФБГА | МТ53Б384 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | 272-ВФБГА (15х15) | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1190 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 24Гбит | ДРАМ | 384 м х 64 | - | - | ||||
![]() | 71В124СА10ТИГ8 | 2,9800 | ![]() | 125 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | 71В124 | SRAM — асинхронный | 3,15 В ~ 3,6 В | 32-СОЮ | скачать | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1 Мбит | 10 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 10 нс | ||||||
![]() | ИС42С16320Б-6ТЛ | - | ![]() | 2870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16320 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)