- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- Коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(158)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MB85RC128PNF-G-JNE1 | - |  | 2871 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 900 нс | ФРАМ | 16К х 8 | I²C | - | ||
 | MB85R1001ANC-GE1 | 10.5100 | | 1 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | МБ85Р1001 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 128 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 150 нс | |||
 | MB85AS8MTPW-G-KBBERE1 | - | | 4595 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 11-XFBGA, WLBGA | МБ85АС8 | ReRAM (резистивная ОЗУ) | 1,6 В ~ 3,6 В | 11-ЛП (2,07х2,88) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85AS8MTPW-G-KBBERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 10 000 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | 35 нс | БАРАН | 1М х 8 | СПИ | 10 мс | ||
 | MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 | 2,8659 | | 3814 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||
 | MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | 3,9700 | | 23 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RS512TPNF-G-JNE1 | 4.2289 | | 8548 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS512TPNF-G-JNE1TR | 95 | 40 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 9 нс | ФРАМ | 64К х 8 | СПИ | - | |||||||
 | MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 | 1,6900 | | 16 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | 5,6800 | | 2 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC512 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 130 нс | ФРАМ | 64К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RC64TAPNF-G-JNE2 | 1,6595 | | 2234 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC64TAPNF-G-JNE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 | 6.4148 | | 4951 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | - | | 1566 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | - | - | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||||
| MB85RS128APNF-G-JNE1 | - | | 5939 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 865-1176 | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 25 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | ||
 | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 | 13.1900 | | 4 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MB85RQ4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 16-СОП | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 108 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||
| MB85R8M1TAFN-G-JAE2 | 15.2432 | | 9537 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МБ85Р8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85R8M1TAFN-G-JAE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 126 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 120 нс | ФРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 120 нс | |||
| MB85RS16PNF-G-JNERE1 | 1,1709 | | 9673 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ФРАМ | 2К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS64TUPNF-G-JNE2 | 2,3678 | | 4401 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS64TUPNF-G-JNE2 | 95 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 18 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||
| MB85RC64PNF-G-JNERE1 | 1,5749 | | 1595 г. | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RS256APNF-G-JNERE1 | - | | 6573 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256APNF-G-JNERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 25 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS4MTPF-G-JNERE2 | - | | 4131 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 40 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RC256VPNF-G-JNERE1 | 4.7200 | | 2 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RC64TAPNF-G-BDE1 | 1,3102 | | 4946 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RS128TYPNF-G-BCE1 | 2,4613 | | 8219 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS128TYPNF-G-BCE1TR | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 13 нс | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | |||||||
| MB85RC16VPNF-G-JNERE1 | - | | 6539 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 | 5.4170 | | 1973 год | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 | 3.4300 | | 9 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RS256BPNF-G-JNERE1 | 4.2900 | | 30 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||
 | MB85RS1MTPW-G-APEWE1 | 6.0900 | | 9 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-XFBGA, WLCSP | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ЛП (2,28х3,09) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS2MTPF-G-JNERE2 | - | | 4701 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 25 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 | 3.1288 | | 9201 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||
| MB85R8M1TABGL-G-JAE1 | 14.3327 | | 6270 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | МБ85Р8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (8х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 120 нс | ФРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 120 нс |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)