Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MB85RE4M2TFN-G-JAE2 | - | ![]() | 7143 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МБ85РЕ4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 256К х 16 | - | 150 нс | |||||
![]() | MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 | 2.5600 | ![]() | 588 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОН (2х3) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | MB85RS16NPNF-G-JNE1 | 1,2048 | ![]() | 7153 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 95°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS16NPNF-G-JNE1 | 95 | 20 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 18 нс | ФРАМ | 2К х 8 | СПИ | - | |||||||
![]() | MB85R256FPF-G-BNDE1 | - | ![]() | 3061 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | 865-1171 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||||
![]() | MB85RC04PNF-G-JNE1 | 0,7745 | ![]() | 2169 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC04 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC04PNF-G-JNE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ФРАМ | 512 х 8 | I²C | - | ||
| MB85RS2MLYPNF-GS-AWE2 | 7.5500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS2MLYPNF-GS-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | MB85RC64PNF-G-JNE1 | 2.2200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RS64VYPNF-G-BCERE1 | 1,5749 | ![]() | 6065 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||
![]() | MB85RS1MTPN-G-AWEWE1 | 4.3451 | ![]() | 4586 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 | 3.1288 | ![]() | 4483 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||||||
![]() | MB85RS256BPNF-G-JNE1 | - | ![]() | 5707 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS64VYPNF-GS-BCE1 | 2.3400 | ![]() | 855 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-GS-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | MB85R1002ANC-GE1 | 8.3332 | ![]() | 4271 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | МБ85Р1002 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | 865-1169 | EAR99 | 8542.32.0071 | 128 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 150 нс | ||
![]() | MB85RS128APNF-G-JNERE1 | - | ![]() | 7651 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS128APNF-G-JNERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 25 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 | 3.2300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | |||||
![]() | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | - | ![]() | 3671 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МБ85Р4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 150 нс | |||
![]() | MB85RE4M2TFN-G-ASE1 | - | ![]() | 7278 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МБ85РЕ4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 256К х 16 | - | 150 нс | |||||
![]() | MB85R8M2TAFN-G-JAE2 | 15.2432 | ![]() | 4431 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МБ85Р8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85R8M2TAFN-G-JAE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 126 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 120 нс | ФРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 120 нс | |||
![]() | MB85RS16NPNF-G-JNERE1 | 1,5800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ФРАМ | 2К х 8 | СПИ | - | |||
![]() | MB85R4001ANC-GE1 | 17,5883 | ![]() | 4632 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | МБ85Р4001 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 128 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||
![]() | МБ85Р8М2ТАБГЛ | - | ![]() | 4199 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | - | 865-MB85R8M2TABGL | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 | 6.2000 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||
![]() | MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1 | 7,0974 | ![]() | 6833 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS4MTYPN-GS-AWEWE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||
![]() | MB85RC16VPNF-G-JNE1 | - | ![]() | 7286 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 865-1174 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | ||
![]() | MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 | 7.2374 | ![]() | 4552 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | MB85RS2MTPH-G-JNE1 | - | ![]() | 1593 г. | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 865-1264-5 | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 25 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||
![]() | MB85RS256TYPNF-G-BCE1 | 2,9597 | ![]() | 9267 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS256TYPNF-G-BCE1 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||||||
![]() | MB85RS2MTAPF-G-BCE1 | 7.4556 | ![]() | 9118 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS2MTAPF-G-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 80 | 40 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | 9 нс | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | 400 мкс | ||
![]() | MB85R256GPF-G-BNDE1 | - | ![]() | 5095 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | - | - | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||||
![]() | MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | 2.5600 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)