SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS25WP016-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JLLE -
RFQ
 ECAD 2976 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 Серриал 800 мкс
IS43TR16128D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-125KBLI 62000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1721 Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS45S16320B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6522 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S16100C1-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TLI -
RFQ
 ECAD 8177 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43LD32128C-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPLI -
RFQ
 ECAD 9406 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128C-25BPLI Ear99 8542.32.0036 1
IS61NLP25672-200B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1 -
RFQ
 ECAD 7033 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS46TR16640B-125KBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125KBLA3 -
RFQ
 ECAD 3691 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640B-125KBLA3 Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS34ML01G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G084-TLI-TR 3.6841
RFQ
 ECAD 1399 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 1 Гит 25 млн В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
IS62WV102416GBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GBLL-45TLI-TR 8.1000
RFQ
 ECAD 4262 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV102416 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 16 марта 45 м Шram 1m x 16 Парлель 45NS
IS45S32800D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800D-6TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 1983 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS45S32200E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6BLA1 -
RFQ
 ECAD 2270 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43QR85120B-075UBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-075Bubl 10.1363
RFQ
 ECAD 4346 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR85120B-075Bubl 136 1 333 г Nestabilnый 4 Гит 19 млн Ддрам 512M x 8 Капсул 15NS
IS43TR16256BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-107MBLI-TR 8.2688
RFQ
 ECAD 7894 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16256BL-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS43LD32800B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32800B-25BLI 5.9261
RFQ
 ECAD 5156 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LD32800B-25BLI 171 400 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 HSUL_12 15NS
IS43QR16256A-093PBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBL-TR -
RFQ
 ECAD 6617 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42S32800B-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6T-TR -
RFQ
 ECAD 6872 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61DDB44M18A-300M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB44M18A-300M3I -
RFQ
 ECAD 9883 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB44 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS61DDB44M18A-300M3I Управо 105 300 мг Nestabilnый 72 мб 1,48 млн Шram 4m x 18 Парлель -
IS43LR32320B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BL 9.7035
RFQ
 ECAD 9306 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS43LR32320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель 15NS
IS43LR32800F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800F-6BL -
RFQ
 ECAD 8143 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5TQLI 15.4275
RFQ
 ECAD 7705 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF51218 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
IS45S16160G-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7BLA1 7.1328
RFQ
 ECAD 1758 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 348 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-6BLI-TR 5.1153
RFQ
 ECAD 8327 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS22TF128G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1 75.0416
RFQ
 ECAD 7279 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF128G-JQLA1 98 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 3.6010
RFQ
 ECAD 1707 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVH8M8 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2500 100 мг Nestabilnый 64 марта 40 млн Псром 8m x 8 Парлель 40ns
IS61LV25616AL-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10T-TR -
RFQ
 ECAD 4443 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS46TR16512A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 8549 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16512A-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 70 млн Псром 1m x 16 Парлель 70NS
IS49NLS93200A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 8996 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS93200A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 32 м х 9 HSTL -
IS42S16160G-6TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TI-TR -
RFQ
 ECAD 1917 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43DR16320D-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 1211 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть