SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
IS25WP032A-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 3488 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP032 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS62WV10248EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248EBLL-45BLI 65500
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV10248 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 45 м Шram 1m x 8 Парлель 45NS
IS25WP128F-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JKLE 2.2105
RFQ
 ECAD 4427 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS25LP128F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLE 1.8798
RFQ
 ECAD 4190 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LP128 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S16320D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BL 12.9252
RFQ
 ECAD 3276 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S16100E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TLI -
RFQ
 ECAD 1787 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43R16160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TLI -
RFQ
 ECAD 2943 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42S32800B-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6T -
RFQ
 ECAD 5937 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42SM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-75BL 9.2883
RFQ
 ECAD 6314 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32160 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43DR16640B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBLI 9.4300
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1276 Ear99 8542.32.0032 209 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS25LE512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE512M-RMLE -
RFQ
 ECAD 6673 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LE512M-RMLE Управо 1 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-5555BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7031 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 55 м Псром 1m x 16 Парлель 55NS
IS25WP256E-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3 5.1670
RFQ
 ECAD 4208 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-RHLA3 480 166 мг NeleTUSHIй 256 мб 5,5 млн В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS42S32400E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-6BL -
RFQ
 ECAD 6421 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS25LP016D-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLA3 1.2600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP016D-JNLA3 Ear99 8542.32.0071 100 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS65C256AL-25ULA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C256AL-25ULA3-TR 2.7794
RFQ
 ECAD 4016 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 28 SOIC (0,330 дюйма, Ирин 8,38 мм) IS65C256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 256 25 млн Шram 32K x 8 Парлель 25NS Nprovereno
IS22TF128G-JCLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JCLA2-TR 78.0045
RFQ
 ECAD 9539 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF128G-JCLA2-TR 2000 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS61NVP102418-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-200TQLI -
RFQ
 ECAD 5000 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS42VM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS49RL18320A-093FBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093FBL 66.5861
RFQ
 ECAD 7124 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL18320A-093FBL 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 7,5 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS42S16320F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BLI 14.8000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS62WV1288DBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288DBLL-45HLI-TR -
RFQ
 ECAD 7847 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
IS43LQ32640AL-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9234 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LQ32640AL-062BLI-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 64M x 32 Lvstl 18ns
IS63LV1024L-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12J-TR -
RFQ
 ECAD 4081 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS61LV12816L-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4846 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61LV12816 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS42S16400J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL 1.8423
RFQ
 ECAD 4712 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS62WV6416ALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1608 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV6416 SRAM - Асинров 1,7 В ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 64K x 16 Парлель 55NS
IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR 6.8099
RFQ
 ECAD 5027 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
IS61LV256-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256-12TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5845 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) IS61LV256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 256 12 млн Шram 32K x 8 Парлель 12NS
IS46DR81280B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-3DBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 2516 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть