SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
IS62C256AL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-45TLI-TR 1.0839
RFQ
 ECAD 2770 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) IS62C256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 256 45 м Шram 32K x 8 Парлель 45NS
IS61WV204816ALL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10BLI -
RFQ
 ECAD 4812 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV204816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 100 Nestabilnый 32 мб 10 млн Шram 2m x 16 Парлель 10NS
IS61LV5128AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T -
RFQ
 ECAD 2611 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS65WV102416DBLL-55CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416DBLL-55CTLA3 10.5176
RFQ
 ECAD 4819 0,00000000 Issi, ина - Трубка Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS65WV102416 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 55 м Шram 1m x 16 Парлель 55NS
IS45S16160J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6CTLA1 5.2943
RFQ
 ECAD 3916 0,00000000 Issi, ина - Трубка Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS45S16100C1-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 2626 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS62WV5128DBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45BI-TR -
RFQ
 ECAD 3407 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 512K x 8 Парлель 45NS
IS42RM16800H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI-TR 4.1257
RFQ
 ECAD 3052 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS46DR16640B-25EBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25EBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 2799 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43R86400D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TLI 8.3985
RFQ
 ECAD 5946 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS61NLF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-6.5b1i -
RFQ
 ECAD 8908 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLF25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS43DR86400C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 1830 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2000 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS62WV25616EALL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TI -
RFQ
 ECAD 5644 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS42RM32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6986 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32400 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS34ML01G081-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-BLI 5.3600
RFQ
 ECAD 194 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA IS34ML01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1629 3A991B1A 8542.32.0071 220 NeleTUSHIй 1 Гит 25 млн В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
IS42S16400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7832 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS25LP010E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP010E-JNLE-TR 0,4000
RFQ
 ECAD 680 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 1 март 8 млн В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR 5.7734
RFQ
 ECAD 6509 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS61VPS51236A-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3L -
RFQ
 ECAD 1534 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32200C1-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 5133 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42SM16400M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-6BLI 3.2150
RFQ
 ECAD 9458 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16400 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS42S32160F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL 11.8500
RFQ
 ECAD 7156 0,00000000 Issi, ина - Трубка Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS25LP010E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP010E-JYLE-TR 0,3100
RFQ
 ECAD 5802 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LP010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP010E-JYLE-TR Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 1 март 8 млн В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR 10.1242
RFQ
 ECAD 4925 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS42S16800D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7B-TR -
RFQ
 ECAD 4033 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-минуя (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS46R16320D-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5TLA1 9.7086
RFQ
 ECAD 1635 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16320 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS25LP01GG-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01GG-RHLE-TR 9.1105
RFQ
 ECAD 6037 0,00000000 Issi, ина * Lenta и катахка (tr) Активна - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP01GG-RHLE-TR 2500
IS46TR16256BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-125KBLA2-TR 8.9855
RFQ
 ECAD 3973 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16256BL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42RM16160D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160D-7BLI -
RFQ
 ECAD 3669 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16160 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 54-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43TR16512A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-15HBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS Nprovereno
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть