SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS25LP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JBLE-TR 0,8200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LP080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61LPD51236A-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3LI-TR 20.1000
RFQ
 ECAD 8075 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS43TR81024B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBLI 22.8583
RFQ
 ECAD 9132 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR81024B-107MBLI 136 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS63LV1024L-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10T -
RFQ
 ECAD 4521 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 117 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS42S32200E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 1589 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS46LR32160C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1-TR 10.2750
RFQ
 ECAD 6939 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS42S32800B-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TI-TR -
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61LV5128AL-10K ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K -
RFQ
 ECAD 8174 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 19 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS34ML02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI 6 8500
RFQ
 ECAD 890 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML02 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1633 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 2 Гит 25 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
IS46DR16128C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA1-TR 12.4800
RFQ
 ECAD 6571 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2500 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS49RL18320-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-093EBL -
RFQ
 ECAD 3278 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL18320 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 8 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS42S16800F-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BI -
RFQ
 ECAD 9813 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS43TR16128A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBLI -
RFQ
 ECAD 1644 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25WQ040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 9785 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25WQ040 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-VVSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 1 мс
IS43R16160D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL-TR 3.4412
RFQ
 ECAD 3875 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS46TR16512S2DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 1535 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1 Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS43LD32640B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BLI 11.2943
RFQ
 ECAD 7717 0,00000000 Issi, ина - Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 171 400 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS61WV102416DALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-10TLI -
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS43R16320E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 2084 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43R16320E-6TL-TR 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 SSTL_2 15NS
IS43LD32128B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BPLI-TR 12.4500
RFQ
 ECAD 8543 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128B-25BPLI-TR Ear99 8542.32.0036 1500 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS61VPS51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 2959 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS62WV25616EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 8109 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS46LD32128C-18BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6254 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS61LV6416-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10T -
RFQ
 ECAD 9389 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
IS61LF12836EC-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI 7.8683
RFQ
 ECAD 9494 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 6,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
IS43TR85120B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI-TR 7.7140
RFQ
 ECAD 9865 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR85120B-125KBLI-TR 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS21TF64G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF64G-JCLI 70.8800
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21TF64G Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21TF64G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 мг NeleTUSHIй 512 Гит В.С. 64G x 8 MMC -
IS25WX512M-JHE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX512M-JHE-TR 7.5600
RFQ
 ECAD 2425 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX512M В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX512M-JHE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS25LP128-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JKLE-TR 1.6825
RFQ
 ECAD 4236 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP128 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 1 мс
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 11.0390
RFQ
 ECAD 3818 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть