SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS34ML01G081-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-BLI 5.3600
RFQ
 ECAD 194 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA IS34ML01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1629 3A991B1A 8542.32.0071 220 NeleTUSHIй 1 Гит 25 млн В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR 10.1242
RFQ
 ECAD 4925 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS61VPS51236A-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3L -
RFQ
 ECAD 1534 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS61VPD102418A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3I -
RFQ
 ECAD 8972 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD102418 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS42S83200D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 2201 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS25LP010E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP010E-JNLE-TR 0,4000
RFQ
 ECAD 680 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 1 март 8 млн В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS61VPD51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3I -
RFQ
 ECAD 9331 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42RM16160D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160D-7BLI -
RFQ
 ECAD 3669 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16160 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 54-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS25LP010E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP010E-JYLE-TR 0,3100
RFQ
 ECAD 5802 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LP010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP010E-JYLE-TR Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 1 март 8 млн В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS66WVC2M16EALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16EALL-7010BLI 3.6544
RFQ
 ECAD 9430 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS66WVC2M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 32 мб 70 млн Псром 2m x 16 Парлель 70NS
IS66WVS4M8BLL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8BLL-104NLI 3.6600
RFQ
 ECAD 279 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS66WVS4M8 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVS4M8BLL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 мг Nestabilnый 32 мб 7 млн Псром 4m x 8 SPI, QPI -
IS46DR16128A-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128A-3DBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 2786 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-LFBGA IS46DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-LFBGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43DR82560C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI-TR 12.8700
RFQ
 ECAD 4604 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 с Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS61C25616AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AL-10TLI 3.7930
RFQ
 ECAD 6165 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61C25616 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 7.1841
RFQ
 ECAD 2906 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS61QDPB42M36A-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4LI 117.1779
RFQ
 ECAD 1507 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS62WV5128BLL-55T2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2I-TR -
RFQ
 ECAD 2153 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS61WV3216BLL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV3216BLL-12TLI-TR 1.7660
RFQ
 ECAD 7503 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV3216 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 512 12 млн Шram 32K x 16 Парлель 12NS
IS61NLP204818B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818B-200TQLI 81.3214
RFQ
 ECAD 7448 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
IS42SM16400M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-6BLI 3.2150
RFQ
 ECAD 9458 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16400 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61NVF25672-6.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5b1i-tr -
RFQ
 ECAD 6845 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVF25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS42S16160G-6TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TI -
RFQ
 ECAD 1405 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 7832 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS43R16320E-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5BL 7.3552
RFQ
 ECAD 2924 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLF25672-6.5B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-6.5B1-TR -
RFQ
 ECAD 2414 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLF25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS42S16160B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 2379 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61WV25616BLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10KLI-TR 3.9525
RFQ
 ECAD 8603 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS46TR16256BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-125KBLA2-TR 8.9855
RFQ
 ECAD 3973 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16256BL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42S32160F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL 11.8500
RFQ
 ECAD 7156 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43DR16160A-37CBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-37CBLI -
RFQ
 ECAD 3887 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 266 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть