SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS45S32200L-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6BLA1 5.4321
RFQ
 ECAD 1137 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43TR16640AL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640AL-125JBL-TR -
RFQ
 ECAD 2181 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43R16160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI-TR 5.7450
RFQ
 ECAD 9845 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS64WV12816EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3 5.5209
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV12816 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS61LF51218A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218A-7.5TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 9897 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF51218 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
IS43R16160F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BLI 4.3807
RFQ
 ECAD 8470 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 190 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS46TR81024BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024BL-125KBLA1-TR 23.0223
RFQ
 ECAD 6211 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR81024BL-125KBLA1-TR 2000 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS25WP032A-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JBLE -
RFQ
 ECAD 4753 0,00000000 Issi, ина - Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP032 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS25WQ020-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JBLE -
RFQ
 ECAD 6871 0,00000000 Issi, ина - Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WQ020 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 1 мс
IS61NLP25636A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200TQI -
RFQ
 ECAD 6613 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS49NLC96400-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-33BI -
RFQ
 ECAD 2810 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC96400 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 Парлель -
IS61NLP25618A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 3623 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 256K x 18 Парлель -
IS61C1024-15JI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024-15JI -
RFQ
 ECAD 3524 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS61C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Q3397131 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 128K x 8 Парлель 15NS
IS43LR16800F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800F-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9809 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2000 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель 15NS
IS61DDPB41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB41M18A-400M3L 44.1540
RFQ
 ECAD 1666 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB41 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
IS42S16100E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI -
RFQ
 ECAD 3001 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS25LP512M-RGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-rgle-tr -
RFQ
 ECAD 9379 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LP512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,6 мс
IS62WV51216EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45TLI-TR 4.3887
RFQ
 ECAD 7600 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV51216 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 45 м Шram 512K x 16 Парлель 45NS
IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wvs4m8bll-104nli-tr 2.3566
RFQ
 ECAD 9807 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR 3000 104 мг Nestabilnый 32 мб 7 млн Псром 4m x 8 SPI, QPI -
IS25WX512M-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX512M-JHLA3-TR 8,7000
RFQ
 ECAD 1645 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX512M В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX512M-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS61NVP25672-200B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1I-TR -
RFQ
 ECAD 2539 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVP25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS61QDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36C-250M3L -
RFQ
 ECAD 2734 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB21 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS49NLS18320-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33BLI -
RFQ
 ECAD 5863 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS43DR86400C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBLI-TR 6.2550
RFQ
 ECAD 4866 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2000 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS61LF51236B-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 4353 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS61LF51236B-7.5B3I Управо 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32800J-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBLI 6.8011
RFQ
 ECAD 4969 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62LV256-70UI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256-70UI -
RFQ
 ECAD 9764 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-Sop IS62LV256 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS
IS61NVF51236B-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-6.5TQL-TR 14.5708
RFQ
 ECAD 6141 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S16100E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR 4.0426
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV3216 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 512 15 млн Шram 32K x 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть