SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS45S16400J-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7TLA2-TR 4.0698
RFQ
 ECAD 8719 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61NLP25636A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3LI-TR 14.7000
RFQ
 ECAD 7880 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS62LV256-70UI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256-70UI -
RFQ
 ECAD 9764 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-Sop IS62LV256 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS
IS61DDPB41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB41M18A-400M3L 44.1540
RFQ
 ECAD 1666 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB41 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR 4.0426
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV3216 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 512 15 млн Шram 32K x 16 Парлель 15NS
IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wvs4m8bll-104nli-tr 2.3566
RFQ
 ECAD 9807 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR 3000 104 мг Nestabilnый 32 мб 7 млн Псром 4m x 8 SPI, QPI -
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR 4.2627
RFQ
 ECAD 2290 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS61WV2568 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 256K x 8 Парлель 10NS
IS25LP016D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JKLE 1.0700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS39LV010-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV010-70JCE -
RFQ
 ECAD 2579 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-LCC (J-Lead) IS39LV010 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 32-PLCC (11.43x13.97) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1348 Ear99 8542.32.0071 32 NeleTUSHIй 1 март 70 млн В.С. 128K x 8 Парлель 70NS
IS61LF51236B-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 4353 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS61LF51236B-7.5B3I Управо 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS25LP016D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JBLE 0,9600
RFQ
 ECAD 217 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1582 Ear99 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS43R16320D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BI -
RFQ
 ECAD 8198 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16100E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI -
RFQ
 ECAD 3001 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S32800J-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBLI 6.8011
RFQ
 ECAD 4969 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61QDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36C-250M3L -
RFQ
 ECAD 2734 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB21 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 2.6189
RFQ
 ECAD 3422 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 70 млн Псром 1m x 16 Парлель 70NS
IS61LF51236A-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3LI -
RFQ
 ECAD 6391 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32800B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7BL -
RFQ
 ECAD 9231 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS25LQ032B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 4806 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ032 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2000 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS62WV12816FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45BLI 1.5749
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV12816FBLL-45BLI 480 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 45NS
IS61NVP25672-200B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1 -
RFQ
 ECAD 2694 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVP25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS42S16100E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43TR16640BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4535 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16800F-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BLI-TR 2.4552
RFQ
 ECAD 4255 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS29GL256-70SLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70SLET-TR 5.2027
RFQ
 ECAD 7007 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) Flash - нет (SLC) 3 В ~ 3,6 В. 56-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL256-70SLET-TR 800 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32 м х 8 CFI 70NS, 200 мкс
IS46TR82560B-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR82560B-15HBLA2 -
RFQ
 ECAD 3933 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR82560B-15HBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS61LV12824-10B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10B-TR -
RFQ
 ECAD 1570 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA IS61LV12824 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 3 марта 10 млн Шram 128K x 24 Парлель 10NS
IS25LP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE 0,3900
RFQ
 ECAD 9208 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP040 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP040E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 8 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS42S16160G-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7TL-TR 3.2592
RFQ
 ECAD 2928 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS62WV12816FBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 1.5491
RFQ
 ECAD 6937 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 2500 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть