SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 17.9550
RFQ
 ECAD 3069 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 1500 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS43LR16160G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BLI-TR 5.4750
RFQ
 ECAD 7796 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2000 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43DR16160B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI 4.4500
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 333 мг Nestabilnый 256 мб 450 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43QR85120B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBLI 10.6342
RFQ
 ECAD 8798 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR85120B-083RBLI 136 1,2 -е Nestabilnый 4 Гит 19 млн Ддрам 512M x 8 Капсул 15NS
IS46TR81280B-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 1167 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR81280B-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 1684 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 2500 200 мг Nestabilnый 64 марта 40 млн Псром 8m x 8 Гипербус 400NS
IS42S32200E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TLI -
RFQ
 ECAD 2194 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS25WP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILE-TR 10.6799
RFQ
 ECAD 5173 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-lbga Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-LFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP01G-RILE-TR 2500 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 10 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS49NLC36160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 8628 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC36160A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 16m x 36 HSTL -
IS42S32160F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TLI-TR 12.3750
RFQ
 ECAD 6336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61WV12816BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816BLL-12TLI 3.5221
RFQ
 ECAD 7891 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV12816 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 12 млн Шram 128K x 16 Парлель 12NS
IS61DDP2B42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B42M18A-400M3L 71.5551
RFQ
 ECAD 2910 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDP2 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 36 мб Шram 2m x 18 Парлель -
IS46LD32128A-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-18BPLA1 -
RFQ
 ECAD 8575 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128A-18BPLA1 Управо 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS45S16160J-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6BLA1-TR 4.3997
RFQ
 ECAD 7268 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42SM16160D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7BLI -
RFQ
 ECAD 3737 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16160 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16400F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5TL -
RFQ
 ECAD 8397 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 200 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS25LP128F-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLA3 2.6234
RFQ
 ECAD 5422 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-RHLA3 480 166 мг NeleTUSHIй 128 мб 6,5 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS42S16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BLI 2.7454
RFQ
 ECAD 8930 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS49RL36160-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107BLI -
RFQ
 ECAD 3155 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 933 мг Nestabilnый 576 мб 10 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS43LR32100C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100C-6BL -
RFQ
 ECAD 5993 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 1m x 32 Парлель 12NS
IS62WV51216BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55TLI-TR 5.7395
RFQ
 ECAD 8727 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV51216 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 55 м Шram 512K x 16 Парлель 55NS
IS61NLP51236-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3LI-TR -
RFQ
 ECAD 8308 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS61QDPB41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M18A-400M3L 44.1540
RFQ
 ECAD 9872 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB41 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 мг Nestabilnый 18 марта 8,4 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3.0900
RFQ
 ECAD 330 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVQ2M4 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 133 мг Nestabilnый 8 марта Псром 2m x 4 SPI - Quad I/O 37.5ns
IS25WP064D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JBLA3 1.7082
RFQ
 ECAD 3023 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP064D-JBLA3 90 166 мг NeleTUSHIй 64 марта 5,5 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS43TR82560CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBLI 7.0517
RFQ
 ECAD 8132 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43TR16128A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 2042 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43QR81024A-075VBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-075VBLI 20.0067
RFQ
 ECAD 4622 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR81024A-075VBLI 136 1 333 г Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS43LD16256A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256A-25BPLI -
RFQ
 ECAD 6083 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD16256 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD16256A-25BPLI Управо 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 256 м x 16 HSUL_12 15NS
IS49NLS18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BI -
RFQ
 ECAD 4395 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть