SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS25LP064D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-RMLE-TR 1.3716
RFQ
ECAD 3607 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP064D-RMLE-TR 1000 166 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS43TR16128D-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-093NBLI -
RFQ
ECAD 4779 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16128D-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1 066 ГОГ Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR 2.1688
RFQ
ECAD 2304 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS25LP020E-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3 0,4819
RFQ
ECAD 2487 0,00000000 Issi, ина * Поднос Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP020E-JNLA3 100
IS46LQ32128AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062BLA2-TR -
RFQ
ECAD 8205 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128AL-062BLA2-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS43TR16640B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125KBL-TR -
RFQ
ECAD 6334 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640B-125KBL-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR81280CL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280CL-125JBLA2-TR -
RFQ
ECAD 6862 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR81280CL-125JBLA2-TR Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS29GL256-70SLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70SLET 7 9700
RFQ
ECAD 478 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS29GL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 56-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS29GL256-70SLET 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32 м х 8 Парлель 200 мкс
IS64LF25636B-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636B-7.5TQLA3 20.2860
RFQ
ECAD 9697 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRAM - Станодар 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64LF25636B-7.5TQLA3 72 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS25WP128F-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RHLE-TR 2.1378
RFQ
ECAD 5190 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP128F-RHLE-TR 2500 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS46TR16640BL-125KBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA3-TR -
RFQ
ECAD 1598 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640BL-125KBLA3-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS29GL128-70DLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70DLEB 6 8500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga IS29GL128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (9x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS29GL128-70DLEB 3A991B1A 8542.32.0071 260 NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 16m x 8 Парлель 200 мкс
IS25LX256-LHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-LHLE 5.1400
RFQ
ECAD 240 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LX256-LHLE 480 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД 1,8 мс
IS43TR16128B-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-15HBLI-TR -
RFQ
ECAD 9278 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS49RL36160A-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160A-107EBLI 89,7000
RFQ
ECAD 94 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL36160A-107EBLI Ear99 8542.32.0032 119 933 мг Nestabilnый 576 мб 7,5 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wve4m16ecll-70bli-tr 4.1105
RFQ
ECAD 3499 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE4M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS66WVH32M8DALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DALL-166B1LI-TR 4.4904
RFQ
ECAD 1111 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVH32M8DALL-166B1LI-TR 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 36 млн Псром 32 м х 8 Парлель 36NS
IS46LQ32128A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA2 -
RFQ
ECAD 4435 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128A-062TBLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS42SM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160K-75BLI 5.6950
RFQ
ECAD 8297 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16160 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS46LQ32128AL-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062BLA2 -
RFQ
ECAD 2605 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128AL-062BLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS61NLP102418B-200B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200B3L-TR 13.8630
RFQ
ECAD 6459 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS43R16320D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5TLI-TR 7.8600
RFQ
ECAD 8458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS25LP512M-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RHLA3-TR 7.3017
RFQ
ECAD 3480 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP512M-RHLA3-TR 2500 133 мг NeleTUSHIй 512 мб 7 млн В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS22TF16G-JCLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JCLA1 26.7671
RFQ
ECAD 9178 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF16G-JCLA1 152 200 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 EMMC_5.1 -
IS42S32160F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TLI-TR 12.3750
RFQ
ECAD 6336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61WV12816BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816BLL-12TLI 3.5221
RFQ
ECAD 7891 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV12816 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 12 млн Шram 128K x 16 Парлель 12ns
IS42SM16160D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7BLI -
RFQ
ECAD 3737 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16160 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16400F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5TL -
RFQ
ECAD 8397 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 200 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS25LP128F-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLA3 2.6234
RFQ
ECAD 5422 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-RHLA3 480 166 мг NeleTUSHIй 128 мб 6,5 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS42S16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BLI 2.7454
RFQ
ECAD 8930 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе