SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS64LF204818B-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF204818B-7.5TQLA3 132.3258
RFQ
 ECAD 8137 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LF204818 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS25WP512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLE-TR 6.9993
RFQ
 ECAD 8481 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP512M-RMLE-TR 1000 112 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS62WVS5128GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128GBLL-45NLI 4.2821
RFQ
 ECAD 2843 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SRAM - Синронн 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WVS5128GBLL-45NLI 100 45 мг Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 512K x 8 SPI - Quad I/O, SDI -
IS42RM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800K-75BLI 5.8888
RFQ
 ECAD 4512 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS63WV1024BLL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12BLI 2.4384
RFQ
 ECAD 4431 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS63WV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 480 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS65WV12816BLL-55TA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TA3 -
RFQ
 ECAD 9367 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS65WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS43LR32100D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL 2.7495
RFQ
 ECAD 4410 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 1m x 32 Парлель 15NS
IS43TR16640CL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBL 3.3318
RFQ
 ECAD 6877 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640CL-107MBL Ear99 8542.32.0032 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS49NLC93200-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BI -
RFQ
 ECAD 7659 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS43LD32128A-25BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL -
RFQ
 ECAD 6536 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128A-25BPL Управо 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS61WV102416EDBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10B2LI 12.4781
RFQ
 ECAD 6306 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS43TR16256BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBLI 10.8600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1732 Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS46TR16640ED-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA1-TR 6.9565
RFQ
 ECAD 4565 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16640ED-125KBLA1-TR 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 SSTL_15 15NS
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ2M4DBLL-133BLI-TR 2.0139
RFQ
 ECAD 5134 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI-TR 2500 133 мг Nestabilnый 8 марта Псром 2m x 4 SPI - Quad I/O 37.5ns
IS49NLC18320A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320A-18WBL 52.0065
RFQ
 ECAD 9149 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC18320A-18WBL 104 533 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 32 м х 18 HSTL -
IS25WX128-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLA3-TR 3.6908
RFQ
 ECAD 5771 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX128 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX128-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS61C1024AL-12TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12TI -
RFQ
 ECAD 1769 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 156 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS61LV256AL-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10JLI 1.1580
RFQ
 ECAD 2218 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS61LV256 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 28-soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 256 10 млн Шram 32K x 8 Парлель 10NS
IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61wv6416eebll-8tli-tr 2.1576
RFQ
 ECAD 6089 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR 1000 Nestabilnый 1 март 8 млн Шram 64K x 16 Парлель 8ns
IS25LX064-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLA3 2.5064
RFQ
 ECAD 3841 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX064 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX064-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS25WP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JNLE 0,3196
RFQ
 ECAD 4772 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25WP040 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WP040E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 8 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS43TR16256A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBLI -
RFQ
 ECAD 7882 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61DDPB41M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB41M36A-400M3L 71.5551
RFQ
 ECAD 6684 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB41 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 36 мб Шram 1m x 36 Парлель -
IS43DR16320D-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBLI-TR 5.5050
RFQ
 ECAD 6973 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16100H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BLI-TR 1.4795
RFQ
 ECAD 7906 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42VM16320E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320E-6BLI-TR 8.4450
RFQ
 ECAD 2880 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16320 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS25WX256-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX256-JHLA3 4.6211
RFQ
 ECAD 1739 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX256 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX256-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS25WP128F-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RHLE-TR 2.1378
RFQ
 ECAD 5190 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP128F-RHLE-TR 2500 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS43TR85120B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBL-TR 5.4437
RFQ
 ECAD 5184 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR85120B-125KBL-TR 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS25LP064A-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JMLE 2.1700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP064 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1586 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 800 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть