SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS66WVE1M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-55BLI -
RFQ
 ECAD 9991 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 16 марта 55 м Псром 1m x 16 Парлель 55NS
IS42S32200L-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7TL 3.4900
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1271 Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43TR16K01S2AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16K01S2AL-125KBLI 40 8100
RFQ
 ECAD 6233 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16K01S2AL-125KBLI Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 16 -й Гит 20 млн Ддрам 1G x 16 Парлель 15NS
IS43LD16128C-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-18BLI-TR 9.8250
RFQ
 ECAD 4995 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD16128C-18BLI-TR 2000 533 мг Nestabilnый 2 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 16 HSUL_12 15NS
IS25WP032D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JKLE-TR 0,9680
RFQ
 ECAD 5888 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP032 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS62WV6416ALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BLI 2.9583
RFQ
 ECAD 3861 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV6416 SRAM - Асинров 1,7 В ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 480 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 64K x 16 Парлель 55NS
IS49NLC36800-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25B -
RFQ
 ECAD 2989 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC36800 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 8m x 36 Парлель -
IS42S16100F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BLI -
RFQ
 ECAD 6205 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S16800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6B -
RFQ
 ECAD 7429 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-минуя (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61WV25616BLL-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10TL-TR 2.8125
RFQ
 ECAD 9329 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS25LP256D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JLLE-TR 3.4650
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EEBLL-10CTLA3 12.3619
RFQ
 ECAD 3028 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3 135 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS43DR81280C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-25DBLI-TR 5.3550
RFQ
 ECAD 1756 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42S16320B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5106 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2000 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS46LD16640A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD16640A-25BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 1336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS46LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1200 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43R16160F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BLI-TR 3.8973
RFQ
 ECAD 5158 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42VM16400K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16400K-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5961 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16400 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS62WV25616DALL-55TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TL-TR -
RFQ
 ECAD 1448 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS61NVP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-166TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 4627 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP204836 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 мг Nestabilnый 72 мб 3,8 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS42S16160G-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BL-TR 3.4373
RFQ
 ECAD 6733 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS46LQ16256A-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1 14.3129
RFQ
 ECAD 7071 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Lvstl -
IS43R16160B-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-5TL-TR -
RFQ
 ECAD 2398 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42S86400D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-6TLI-TR 14.2050
RFQ
 ECAD 4194 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS43TR16128D-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBL 5.8900
RFQ
 ECAD 1004 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1718 Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43R83200B-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-5TL-TR -
RFQ
 ECAD 8819 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R83200 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 32 м х 8 Парлель 15NS
IS42S16100C1-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 4104 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43TR82560C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL-TR 5.2507
RFQ
 ECAD 6806 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV3216DBLL-10TLI 2.5017
RFQ
 ECAD 1214 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV3216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 135 Nestabilnый 512 10 млн Шram 32K x 16 Парлель 10NS
IS43TR16640B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBLI -
RFQ
 ECAD 6521 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61DDB24M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB24M18A-250M3L 52,5000
RFQ
 ECAD 9573 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB24 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 72 мб Шram 4m x 18 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть