SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61QDPB42M36A-550B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-550B4LI -
RFQ
 ECAD 6643 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 SRAM - Quad Port, Синронн 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 мг Nestabilnый 72 мб Шram 2m x 36 Парлель -
IS25WP032D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLA3-TR 1.1599
RFQ
 ECAD 1188 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP032D-JBLA3-TR 2000 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 7 млн В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS46LQ32256A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA2 24.8268
RFQ
 ECAD 5507 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32256A-062BLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 8 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 32 Lvstl 18ns
IS46TR16640ED-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-15HBLA1 8.0394
RFQ
 ECAD 8163 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1469 Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR 20.2500
RFQ
 ECAD 8548 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LF25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS42S32800G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BL 6.9670
RFQ
 ECAD 3519 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS25WP256D-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-RMLE -
RFQ
 ECAD 8987 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP256 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1654 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 мг NeleTUSHIй 256 мб 8 млн В.С. 32 м х 8 Серриал 800 мкс
IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-55TLI 3.2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS66WV51216 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 8 марта 55 м Псром 512K x 16 Парлель 55NS
IS43DR16320D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI 6.0682
RFQ
 ECAD 2487 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16400J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7BLI 2.0049
RFQ
 ECAD 2254 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10TLI-TR 1.6819
RFQ
 ECAD 7061 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS63WV1288 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS42VM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI 4.9065
RFQ
 ECAD 6057 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32400 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MLA3-TR 17.3250
RFQ
 ECAD 2167 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS42VS16100C1-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TL-TR -
RFQ
 ECAD 6253 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42VS16100 SDRAM 1,7 В ~ 1,9 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 100 мг Nestabilnый 16 марта 7 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S81600F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TL 2.4835
RFQ
 ECAD 7626 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS46R16320E-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA2 10.0646
RFQ
 ECAD 9908 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43DR16160A-5BBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-5BBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7961 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 200 мг Nestabilnый 256 мб 600 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS25WP128F-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JLLE-TR 1.9148
RFQ
 ECAD 2399 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina o Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP128F-JLLE-TR 4000 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS61DDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M36A-300M3L 74.4172
RFQ
 ECAD 9459 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB42 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 мг Nestabilnый 72 мб Шram 2m x 36 Парлель -
IS43TR16128BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-15HBL -
RFQ
 ECAD 1013 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43TR82560DL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-107MBL 4.7419
RFQ
 ECAD 7226 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR82560DL-107MBL 242 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS46TR16256B-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-107MBLA2-TR 9.2887
RFQ
 ECAD 2650 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16256B-107MBLA2-TR 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS25LQ016B-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JMLE-TR -
RFQ
 ECAD 1884 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LQ016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS49NLS18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33BI -
RFQ
 ECAD 9444 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS61LF102418A-7.5TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5TQ -
RFQ
 ECAD 4482 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS49RL18320-107BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-107BL -
RFQ
 ECAD 1972 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL18320 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 933 мг Nestabilnый 576 мб 10 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS42RM32800K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800K-6BLI-TR 5.6400
RFQ
 ECAD 6530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46R16160D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6BLA1 6 8591
RFQ
 ECAD 5634 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 190 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42RM32400G-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-75BI -
RFQ
 ECAD 9126 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32400 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS25WP128-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-RMLE -
RFQ
 ECAD 7891 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1652 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 128 мб 7 млн В.С. 16m x 8 SPI 800 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть