SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42S16320B-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETLI-TR -
RFQ
 ECAD 9989 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS25WX128-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLE-TR 3.1230
RFQ
 ECAD 8705 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX128 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX128-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS61LPS102418B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200B3LI 16.3574
RFQ
 ECAD 1593 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS41LV16100B-60TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TLI -
RFQ
 ECAD 2177 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 Nestabilnый 16 марта 30 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS45S32200E-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8546 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS64WV102416BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10CTLA3 25.7125
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS64WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS42S32400E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BL -
RFQ
 ECAD 2551 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS42S16400J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TL-TR 1.5184
RFQ
 ECAD 4396 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS62WV12816EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-5555BLI-TR 2.6189
RFQ
 ECAD 6878 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS45S16800F-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA2-TR 5,7000
RFQ
 ECAD 7288 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42SM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800K-75BLI 5.8888
RFQ
 ECAD 9394 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32800 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62WV2568BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-5555BLI 2.3481
RFQ
 ECAD 7157 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV2568 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 256K x 8 Парлель 55NS
IS42S86400D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-7TLI-TR 13.5300
RFQ
 ECAD 1205 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR 15.6750
RFQ
 ECAD 8679 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS45S16800E-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8198 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS64WV2568EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10BLA3 6.6251
RFQ
 ECAD 2855 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS64WV2568 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 256K x 8 Парлель 10NS
IS45VM16800E-75BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800E-75BLA2 -
RFQ
 ECAD 9663 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS25LQ016-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016-JNLE -
RFQ
 ECAD 6488 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 2 мс
IS62WV102416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI 11.1800
RFQ
 ECAD 9315 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV102416 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 45 м Шram 1m x 16 Парлель 45NS
IS42S16100C1-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL-TR -
RFQ
 ECAD 8588 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 200 мг Nestabilnый 16 марта 5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S16800F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TL 2.3385
RFQ
 ECAD 9801 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42S32800J-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETLI 6.5854
RFQ
 ECAD 3646 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62WV6416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45TLI -
RFQ
 ECAD 4579 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV6416 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 64K x 16 Парлель 45NS
IS43DR16160B-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-37CBLI-TR 3.9938
RFQ
 ECAD 8610 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 266 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61LF51236A-6.5B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B2LI-TR -
RFQ
 ECAD 2674 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S16160J-6TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TI -
RFQ
 ECAD 8023 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43TR85120AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4603 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (9x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR85120AL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 220 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS43DR81280B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBI -
RFQ
 ECAD 3979 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42RM32400H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BI -
RFQ
 ECAD 5514 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32400 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS43R86400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI-TR 5.3639
RFQ
 ECAD 2578 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть